一种霍山石斛的天然仿野生学种植方法技术

技术编号:24651715 阅读:86 留言:0更新日期:2020-06-27 01:52
本发明专利技术提供了一种霍山石斛的天然仿野生学种植方法,其包括以下步骤:步骤一:选取霍山石斛优质幼苗备用,步骤二:选择已经死亡的干枯树木,在海拔350‑1000m的阴凉、通风、湿润处进行处理,将干枯树木浸润在水中保持湿润,然后通过支架将浸润的树木横向支撑至离地面40cm以上,然后在树木表面上以苔藓为基质,至苔藓成活后,将霍山石斛幼苗保留小部分原始基质栽种在苔藓间,采用干枯稻草将霍山石斛捆绑在干枯树木上。步骤三:在最上层树木顶部1m处设置遮阳帘。步骤四:每隔3‑5天喷一次水,使得干枯树木表皮浸润,综合湿度控制在70‑80%,通过采用干枯树木对石斛生长环境进行模拟,适合石斛生长同时,能够便于采摘和管理。

A natural imitating wild planting method of Dendrobium huoshanense

【技术实现步骤摘要】
一种霍山石斛的天然仿野生学种植方法
本专利技术属于石斛种植
,具体涉及一种霍山石斛的天然仿野生学种植方法。
技术介绍
众所周知,铁皮石斛是我国珍贵的中药材之一,但由于民间长期过度开采,致使野生铁皮石斛资源已濒临绝种。现在很多专家学者都在想办法人工栽培,进行大量的种植生产,目前这个技术已经比较成熟。一般来讲,野生铁皮石斛是生长在海拔100~3000米高度的深山老林、人迹罕至的崖缝间或附生于树上,是采天地之灵气,吸日月之精华而自然生成的。如果铁皮石斛失去了这个生存的条件和环境,就可能产生退化和变异。
技术实现思路
本专利技术提供一种霍山石斛的天然仿野生学的种植方法,通过采用干枯树木对石斛生长环境进行模拟,适合石斛生长同时,能够便于采摘和管理。为此,本专利技术提供了一种霍山石斛的天然仿野生学种植方法,其包括以下步骤:步骤一:选取霍山石斛优质幼苗备用,具体选择生长健壮、叶色正常,根长3cm以上,肉质茎有3-5个节间、长有4-5片叶,叶色正常,根长3.5cm以上,有4-5条根,根皮色白中带绿,无黑色根,无畸形,无本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种霍山石斛的天然仿野生学种植方法,其特征在于,其包括以下步骤:/n步骤一:选取霍山石斛优质幼苗备用,具体选择生长健壮、叶色正常,根长3cm以上,肉质茎有3-5个节间、长有4-5片叶,叶色正常,根长3.5cm以上,有4-5条根,根皮色白中带绿,无黑色根,无畸形,无变异的幼苗;/n步骤二:选择已经死亡的干枯树木,在海拔350-1000m的阴凉、通风、湿润处进行处理,将干枯树木浸润在水中保持湿润,然后通过支架将浸润的树木横向支撑至离地面40cm以上,其上部可重复间隔叠加;然后在树木表面上以苔藓为基质,至苔藓成活后,将霍山石斛幼苗保留小部分原始基质栽种在苔藓间,使得霍山石斛的根系位于干枯树木表面...

【技术特征摘要】
1.一种霍山石斛的天然仿野生学种植方法,其特征在于,其包括以下步骤:
步骤一:选取霍山石斛优质幼苗备用,具体选择生长健壮、叶色正常,根长3cm以上,肉质茎有3-5个节间、长有4-5片叶,叶色正常,根长3.5cm以上,有4-5条根,根皮色白中带绿,无黑色根,无畸形,无变异的幼苗;
步骤二:选择已经死亡的干枯树木,在海拔350-1000m的阴凉、通风、湿润处进行处理,将干枯树木浸润在水中保持湿润,然后通过支架将浸润的树木横向支撑至离地面40cm以上,其上部可重复间隔叠加;然后在树木表面上以苔藓为基质,至苔藓成活后,将霍山石斛幼苗保留小部分原始基质栽种在苔藓间,使得霍山石斛的根系位于干枯树木表面与苔藓底层之间,采用干枯稻草将霍山石斛捆绑在干枯树木上,幼苗间距保持25-40cm;
步骤三:在最上层树木顶部1m处设置遮阳帘,在阳光强烈时通过遮阳帘遮挡部...

【专利技术属性】
技术研发人员:李林
申请(专利权)人:安徽霍山麟鼎轩生物科技有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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