光刻设备和方法技术

一种光刻设备，包括衬底存储模块，所述衬底存储模块具有用于保护经光刻曝光的衬底免受环境空气影响的可控环境。所述衬底存储模块被配置成存储至少二十个衬底并且所述衬底存储模块是所述光刻设备的组成部分。所述衬底存储模块可以被用于在拼接光刻曝光期间保护衬底免受环境空气的影响。

Lithography equipment and methods

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻设备和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月30日提交的欧洲申请17178949.8的优先权，所述申请的全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及用于存储衬底的光刻设备和方法。
技术介绍
光刻设备是一种构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将来自图案形成装置(例如，掩模)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。光刻设备用于将图案投影到衬底上的辐射的波长确定了能够在所述衬底上形成的特征的最小大小。使用EUV辐射(该EUV辐射是具有在4-20nm范围内的波长的电磁辐射)的光刻设备可以用于在衬底上形成比常规光刻设备(所述常规光刻设备可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)更小的特征。可以使用光刻设备而成像于衬底上的图案形成装置的最大区域(即，最大图像区域)在不同光刻设备之间可能不同。例如，一些光刻设备能够成像的图案形成装置的区域可能仅小于或等于其它光刻设备的最大图像区域的一半。已知为拼接的技术可以被用于克服一些光刻设备的受限的最大图像区域。拼接包括在衬底的相邻区域上执行至少两次子曝光以在衬底上形成组合图像。在执行了光刻曝光之后，衬底可以经历抗蚀剂处理，所述抗蚀剂处理包括例如焙烤过程。在拼接曝光的情况下，焙烤过程被推迟直到每组子曝光已经跨越所述衬底的所有目标区域而发生。在对所述批次的第一衬底执行第一组子曝光与在对所述批次的最终衬底执行后续组子曝光之间可能出现延迟。衬底上的被光刻曝光的抗蚀剂在这样的延迟期间可能易于劣化。期望提供例如消除或减轻现有技术的一个或更多个问题(无论本文中识别的或在别处识别的问题)的光刻设备和方法。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括衬底存储模块，所述衬底存储模块具有用于保护经光刻曝光的衬底免受环境空气影响的可控环境，所述衬底存储模块被配置成存储至少二十个衬底，其中所述衬底存储模块是光刻设备的组成部分。所述衬底存储模块有利地提供一空间，在光刻曝光之后衬底可以被存储在所述空间中并且所述衬底被保护以免受由环境空气引起的负面影响。例如，衬底存储模块可以在延长的时间段内保护在拼接光刻曝光期间已经经历了子曝光的衬底。衬底存储模块有利地存储至少二十个衬底，使得所述衬底存储模块适合于在涉及二十个或更多个衬底的光刻过程期间存储衬底。术语“组成部分”旨在表示在光刻设备的整个操作期间所述衬底存储模块保持连接至所述光刻设备(即，衬底存储模块不能从光刻设备移除，除非光刻设备被关掉)。衬底存储模块可以包括气体输送系统，所述气体输送系统被配置成在衬底存储模块内提供气体流。气体输送系统可以包括过滤器。气体输送系统可以包括热交换器。光刻设备还可以包括真空系统，所述真空系统被配置成在衬底存储模块内产生真空。衬底存储模块可以包括用于接收衬底的多个狭槽。狭槽可以被堆叠成多列。衬底存储模块可以包括位于相邻狭槽之间的屏蔽件，所述屏蔽件被配置成减少在所存储的衬底之间传输的碎片的量。衬底存储模块可以包括被配置成移动所述狭槽的致动器。所述光刻设备还可以包括机器人臂，所述机器人臂被配置成接收进入的衬底并且将所述进入的衬底放置在所述衬底存储模块中，所述机器人臂还被配置成从所述衬底存储模块取回离开的衬底并且从所述衬底存储模块移除所述离开的衬底。根据本专利技术的第二方面，提供一种光刻设备，包括：照射系统，所述照射系统被配置成调节辐射束；支撑结构，所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在所述辐射束的横截面中向所述辐射束赋予图案以形成经图案化的辐射束；衬底台，所述衬底台被构造成保持衬底；投影系统，所述投影系统被配置成将所述经图案化的辐射束投影到所述衬底上；和衬底存储模块，所述衬底存储模块具有用于保护经光刻曝光的衬底免受环境空气影响的可控环境，所述衬底存储模块被配置成存储至少二十个衬底，其中所述衬底存储模块是所述光刻设备的组成部分。根据本专利技术的第三方面，提供一种曝光多个衬底以在所述衬底上形成拼接图案的方法，所述方法包括以下步骤：(a)在衬底上执行第一组子曝光以形成经部分曝光的衬底；(b)将所述经部分曝光的衬底移动至具有受控环境的衬底存储模块，所述衬底存储模块被配置成存储至少二十个衬底，所述衬底存储模块是所述光刻设备的组成部分；(c)对剩余的衬底重复步骤(a)和(b)；和(d)从所述衬底存储模块移除所述经部分曝光的衬底并且在所述经部分曝光的衬底上执行第二组子曝光以形成具有拼接图案的衬底。所述方法还可以包括以下步骤：(e)在具有拼接图案的衬底上执行焙烤过程。所述方法还可以包括在衬底存储模块内提供气体流。所述方法还可以包括过滤所述气体流。所述方法还可以包括控制所述气体的温度。所述方法还可以包括控制所述气体的湿度。所述方法还可以包括控制所述气体中胺的浓度。所述方法还可以包括在衬底存储模块内产生真空。根据本专利技术的第四方面，提供一种根据本专利技术的第三方面的方法或其关联的选项中的任一项而制造的器件。附图说明现在将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式描述本专利技术的实施例，在附图中：-图1示意性地描绘了根据本专利技术的实施例的光刻系统，所述光刻系统包括光刻设备、辐射源和衬底存储模块。-图2示意性地描绘了与第二光刻设备的两个最大图像区域相比的第一光刻设备的最大图像区域；-图3示意性地描绘了从根据本专利技术的实施例的具有衬底存储模块的光刻设备的一部分上方观察的视图；-图4示意性地描绘了从根据本专利技术的实施例的衬底存储模块的前方观察的视图；-图5示意性地描绘了从根据本专利技术的实施例的另一衬底存储模块的前方观察的视图；-图6示意性地描绘了从根据本专利技术的实施例的又一衬底存储模块的前方观察的视图；以及-图7示出了根据本专利技术的实施例的曝光多个衬底以在衬底上形成拼接图案的方法的流程图。具体实施方式图1示出根据本专利技术的一个实施例的包括衬底存储模块15的光刻系统。所述光刻系统包括辐射源SO和光刻设备LA。所述辐射源SO配置成产生极紫外(EUV)辐射束B。所述光刻设备LA包括照射系统IL、配置成支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS、以及配置成支撑衬底W的衬底台WT。照射系统IL被配置成在辐射束B入射到图案形成装置MA上之前调节辐射束B。投影系统PS被配置为将辐射束B(现在由掩模MA图案化)投影到衬底W上。衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备将经图案化的辐射束B与先前形成于衬底W上的图案对准。辐射源SO、照射系统IL和投影系统PS都可以被构造和布置成使得它们能够与外部环境隔离。可以在辐射源SO中提供在低于大气压的压力下的气体(例如氢气)。可以在照射系统IL和/或投影系统PS中提供真空。可以在照射系统IL和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻设备，所述光刻设备包括衬底存储模块，所述衬底存储模块具有用于保护经光刻曝光的衬底免受环境空气影响的可控环境，所述衬底存储模块被配置成存储至少二十个衬底，其中所述衬底存储模块是光刻设备的组成部分。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171109 EP 17200872.41.一种光刻设备，所述光刻设备包括衬底存储模块，所述衬底存储模块具有用于保护经光刻曝光的衬底免受环境空气影响的可控环境，所述衬底存储模块被配置成存储至少二十个衬底，其中所述衬底存储模块是光刻设备的组成部分。


2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述衬底存储模块包括气体输送系统，所述气体输送系统被配置成在所述衬底存储模块内提供气体流。


3.根据权利要求2所述的光刻设备，其中所述气体输送系统包括过滤器。


4.根据权利要求2或权利要求3所述的光刻设备，其中所述气体输送系统包括热交换器。


5.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括真空系统，所述真空系统被配置成在所述衬底存储模块内产生真空。


6.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中所述衬底存储模块包括用于接收衬底的多个狭槽。


7.根据权利要求6所述的光刻设备，其中所述狭槽被堆叠成多列。


8.根据权利要求6或权利要求7所述的光刻设备，其中所述衬底存储模块包括位于相邻狭槽之间的屏蔽件，所述屏蔽件被配置成减少在所存储的衬底之间传输的碎片的量。


9.根据权利要求6至8中任一项所述的光刻设备，其中所述衬底存储模块包括被配置成移动所述狭槽的致动器。


10.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，还包括机器人臂，所述机器人臂被配置成接收进入的衬底并且将所述进入的衬底放置在所述衬底存储模块中，所述机器人臂还被配置成从所述衬底存储模块取回离开的衬底并且从所述衬底存储模块移除所述离开的衬底。


11.一种光刻设备，包括：
照射系统，所述照射系统被配置成调节辐射束；
支撑结构，所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置，所述图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·范栋恩，A·A·范伯兹康，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL