烧结接合用组合物、烧结接合用片、及带烧结接合用片的切割带制造技术

本发明专利技术的烧结接合用组合物含有含导电性金属的烧结性颗粒。该烧结性颗粒的平均粒径为2μm以下，并且该烧结性颗粒中的粒径100nm以下的颗粒的比例为80质量％以上。本发明专利技术的烧结接合用片(10)具备由这样的烧结接合用组合物形成的粘合层。本发明专利技术的带烧结接合用片的切割带(X)具备这样的烧结接合用片(10)及切割带(20)。切割带(20)具有包含基材(21)和粘合剂层(22)的层叠结构，烧结接合用片(10)位于切割带(20)的粘合剂层(22)上。本发明专利技术的烧结接合用组合物、烧结接合用片、及带烧结接合用片的切割带适于在低负荷条件下实现基于高密度的烧结层的烧结接合。

Composition for sintering joint, sheet for sintering joint and cutting belt with sheet for sintering joint

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】烧结接合用组合物、烧结接合用片、及带烧结接合用片的切割带
本专利技术涉及可以用于半导体装置的制造等的烧结接合用组合物、烧结接合用片、及带烧结接合用片的切割带。
技术介绍
半导体装置的制造中，对于引线框、绝缘电路基板等支撑基板，作为用于将半导体芯片与支撑基板侧电连接的同时进行芯片接合的方法，已知：在支撑基板与芯片之间形成Au-Si共晶合金层来实现接合状态的方法；利用焊料、含有导电性颗粒的树脂作为接合材料的方法。另一方面，承担电力的供给控制的功率半导体装置的普及近年来变得显著，但功率半导体装置常常由于工作时的通电量大而发热量大。因此，功率半导体装置的制造中，关于将半导体芯片与支撑基板侧电连接的同时与支撑基板进行芯片接合的方法，要求在高温工作时也能够实现可靠性高的接合状态。采用SiC、GaN作为半导体材料从而实现了高温工作化的功率半导体装置中，这种要求特别强烈。而且，为了响应这样的要求，作为伴有电连接的芯片接合方法，提出了使用含有烧结性颗粒和溶剂等的烧结接合用的组合物的技术。使用含烧结性颗粒的烧结接合用组合物进行的芯片接合中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种烧结接合用组合物，其包含：平均粒径为2μm以下、并且粒径100nm以下的颗粒的比例为80质量％以上的含导电性金属的烧结性颗粒。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171113 JP 2017-2183551.一种烧结接合用组合物，其包含：平均粒径为2μm以下、并且粒径100nm以下的颗粒的比例为80质量％以上的含导电性金属的烧结性颗粒。


2.根据权利要求1所述的烧结接合用组合物，其中，所述烧结性颗粒的含有比例为90～98质量％。


3.根据权利要求1或2所述的烧结接合用组合物，其孔隙率为10％以下。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的烧结接合用组合物，其还包含热分解性高分子粘结剂。


5.根据权利要求4所述的烧结接合用组合物，其中，所述热分解性高分子粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：市川智昭，菅生悠树，下田麻由，三田亮太，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP