一种基于液态金属的电路制造技术

本发明专利技术提供一种基于液态金属的电路，涉及电子技术领域。本发明专利技术提供的基于液态金属的电路包括：粘附液态金属的基材；第一表面改性层，所述第一表面改性层位于所述基材的第一面上，且疏离所述液态金属；第一凹槽，所述第一凹槽设置于所述基材的第一面上，所述第一凹槽的深度大于或等于所述第一表面改性层的厚度；第一液态金属线路，所述第一液态金属线路设置于所述第一凹槽中；第一保护膜，所述第一保护膜覆盖于所述基材的第一面上，用于封装所述第一液态金属线路。本发明专利技术的技术方案能够简化基于液态金属的电路的设计且提高其性能稳定性。

A circuit based on liquid metal

【技术实现步骤摘要】
一种基于液态金属的电路
本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种基于液态金属的电路。
技术介绍
液态金属的熔点低于300摄氏度，其具有导电性好、熔点低、导热性好等优势，成为了近年来发展迅速的一种新兴功能材料。液态金属可以用作冷却介质、导热介质、焊接材料、电子线路、工艺品等，应用范围十分广泛。由于在制作基于液态金属的电路的过程中，液态金属具有流动性，实际制作的液态金属线路的线宽与目标线宽之间具有一定偏差，导致基于液态金属的电路的设计困难且性能稳定性不佳。
技术实现思路
本专利技术提供一种基于液态金属的电路，可以简化基于液态金属的电路的设计且提高其性能稳定性。本专利技术提供一种基于液态金属的电路，采用如下技术方案：所述基于液态金属的电路包括：粘附液态金属的基材；第一表面改性层，所述第一表面改性层位于所述基材的第一面上，且疏离所述液态金属；第一凹槽，所述第一凹槽设置于所述基材的第一面上，所述第一凹槽的深度大于或等于所述第一表面改性层的厚度；第一液态金属线路，所述第一液态金属线路设置于所述第一凹槽中；第一保护膜，所述第一保护膜覆盖于所述基材的第一面上，用于封装所述第一液态金属线路。可选地，所述第一凹槽的宽度为50微米～200微米。进一步地，所述液态金属包括镓铟共晶合金和银包铜的纳米颗粒。可选地，所述第一凹槽的深度为0.1mm～0.5mm。可选地，所述第一液态金属线路的远离所述基材的表面，与所述第一表面改性层的远离所述基材的表面齐平。可选地，所述基于液态金属的电路还包括：第二表面改性层，所述第二表面改性层位于所述基材的第二面上，且疏离所述液态金属；第二凹槽，所述第二凹槽设置于所述基材的第二面上，所述第二凹槽的深度大于或等于所述第二表面改性层的厚度；第二液态金属线路，所述第二液态金属线路设置于所述第二凹槽中；第二保护膜，所述第二保护膜覆盖于所述基材的第二面上，用于封装所述第二液态金属线路。进一步地，所述基于液态金属的电路还包括：过孔，所述过孔贯穿所述第二表面改性层和所述基材；连接件，所述连接件由填充于所述过孔中的液态金属形成；所述连接件用于电连接所述第一液态金属线路和所述第二液态金属线路。进一步地，所述基于液态金属的电路还包括元器件，所述元器件贴附于所述基材的第二面上，所述元器件的引脚与所述第二液态金属线路电连接。进一步地，所述基于液态金属的电路还包括第三凹槽，所述第三凹槽设置于所述基材的第二面上，所述第三凹槽的一端与所述第二凹槽连通，所述第三凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度，所述第三凹槽中填充有液态金属，所述元器件的引脚放置于所述第三凹槽中。进一步地，所述基于液态金属的电路还包括第四凹槽，所述第四凹槽设置于所述基材的第二面上，所述第四凹槽的两端各连通一个所述第三凹槽，所述第四凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度，且小于所述第三凹槽的深度，所述元器件的主体结构放置于所述第四凹槽中。本专利技术实施例提供的一种基于液态金属的电路，该基于液态金属的电路包括：粘附液态金属的基材；位于基材的第一面上的第一表面改性层，第一表面改性层疏离所述液态金属；第一凹槽，第一凹槽设置于基材的第一面上，第一凹槽的深度大于或等于第一表面改性层的厚度；第一液态金属线路，第一液态金属线路设置于第一凹槽中；第一保护膜，第一保护膜覆盖于基材的第一面上，用于封装第一液态金属线路。第一凹槽的设置可以限制液态金属的流动，且第一凹槽外的第一表面改性层上不会粘附液态金属，使得形成的第一液态金属线路的线宽与第一凹槽的宽度一致，不会因液态金属的流动性而发生变化，进而可以简化基于液态金属的电路的设计且提高其性能稳定性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的基于液态金属的电路的结构示意图一；图2为本专利技术实施例提供的基于液态金属的电路的结构示意图二；图3为本专利技术实施例提供的基于液态金属的电路的结构示意图三；图4为本专利技术实施例提供的电路的制作方法的流程图一图5为本专利技术实施例提供的电路的制作过程的示意图一；图6为本专利技术实施例提供的电路的制作过程的示意图二；图7为本专利技术实施例提供的电路的制作方法的流程图二；图8为本专利技术实施例提供的电路的制作方法的流程图三；图9为本专利技术实施例提供的电路的制作方法的流程图四；图10为本专利技术实施例提供的步骤S6～步骤S9的过程示意图；图11为本专利技术实施例提供的步骤S6～步骤S7的过程示意图；图12为本专利技术实施例提供的步骤S8～步骤S9的过程示意图；图13为本专利技术实施例提供的电路的制作装置的结构示意图；图14为本专利技术实施例提供的机械手模块的结构示意图；图15为本专利技术实施例提供的激光烧蚀模块的结构示意图；图16为本专利技术实施例提供的激光固定座的结构示意图；图17为本专利技术实施例提供的金属填充模块的结构示意图；图18为本专利技术实施例提供的贴片模块的结构示意图；图19为本专利技术实施例提供的封装模块的结构示意图；图20为本专利技术实施例提供的电路的制作装置的局部结构示意图；图21为本专利技术实施例提供的粘附辊子的结构示意图一；图22为本专利技术实施例提供的粘附辊子的结构示意图二。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下本专利技术实施例中的各技术特征均可以相互结合。本专利技术实施例提供一种基于液态金属的电路，具体地，如图1所示，图1为本专利技术实施例提供的基于液态金属的电路的结构示意图一，该电路包括：粘附液态金属的基材1；第一表面改性层2，第一表面改性层2位于基材1的第一面上，且疏离液态金属；第一凹槽3，第一凹槽3设置于基材1的第一面上，第一凹槽3的深度大于或等于第一表面改性层2的厚度；第一液态金属线路4，第一液态金属线路4设置于第一凹槽3中；第一保护膜5，第一保护膜5覆盖于基材1的第一面上，用于封装第一液态金属线路4。第一凹槽3的设置可以限制液态金属的流动，且第一凹槽3外的第一表面改性层2上不会粘附液态金属，使得形成的第一液态金属线路4的线宽与第一凹槽3的宽度一致，不会因液态金属的流动性而发生变化，进而可以简化基于液态金属的电路的设计且提高其性能稳定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于液态金属的电路，其特征在于，包括：/n粘附液态金属的基材；/n第一表面改性层，所述第一表面改性层位于所述基材的第一面上，且疏离所述液态金属；/n第一凹槽，所述第一凹槽设置于所述基材的第一面上，所述第一凹槽的深度大于或等于所述第一表面改性层的厚度；/n第一液态金属线路，所述第一液态金属线路设置于所述第一凹槽中；/n第一保护膜，所述第一保护膜覆盖于所述基材的第一面上，用于封装所述第一液态金属线路。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于液态金属的电路，其特征在于，包括：
粘附液态金属的基材；
第一表面改性层，所述第一表面改性层位于所述基材的第一面上，且疏离所述液态金属；
第一凹槽，所述第一凹槽设置于所述基材的第一面上，所述第一凹槽的深度大于或等于所述第一表面改性层的厚度；
第一液态金属线路，所述第一液态金属线路设置于所述第一凹槽中；
第一保护膜，所述第一保护膜覆盖于所述基材的第一面上，用于封装所述第一液态金属线路。


2.根据权利要求1所述的基于液态金属的电路，其特征在于，所述第一凹槽的宽度为50微米～200微米。


3.根据权利要求2所述的基于液态金属的电路，其特征在于，所述液态金属包括镓铟共晶合金和银包铜的纳米颗粒。


4.根据权利要求1所述的基于液态金属的电路，其特征在于，所述第一凹槽的深度为0.1mm～0.5mm。


5.根据权利要求1所述的基于液态金属的电路，其特征在于，所述第一液态金属线路的远离所述基材的表面，与所述第一表面改性层的远离所述基材的表面齐平。


6.根据权利要求1所述的基于液态金属的电路，其特征在于，还包括：
第二表面改性层，所述第二表面改性层位于所述基材的第二面上，且疏离所述液态金属；
第二凹槽，所述第二凹槽设置于所述基材的第二面上，所述第二凹槽的深...

【专利技术属性】
技术研发人员：严启臻，张玉星，
申请(专利权)人：北京梦之墨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11