导电性薄膜的制造方法技术

提供在形成较厚的导电层时也可抑制树脂薄膜的褶皱的产生的导电性薄膜的制造方法。一种导电性薄膜的制造方法，其包括：工序A，在树脂薄膜的一个面形成第1导电层；工序B，在前述第1导电层上贴合保护薄膜；及工序C，边放出前述树脂薄膜边通过溅射法在前述树脂薄膜的另一面形成厚度80nm以上且300nm以下的第2导电层。

Manufacturing method of conductive film

【技术实现步骤摘要】
导电性薄膜的制造方法
本专利技术涉及导电性薄膜的制造方法。
技术介绍
以往，在树脂薄膜的两面形成有导电层的导电性薄膜被用于柔性电路基板、电磁波屏蔽薄膜、平板显示器、接触式传感器、非接触式IC卡、太阳能电池等(例如，专利文献1)。导电性薄膜的主要功能是导电，为了得到符合用途目的的导电性来适宜选择设置于高分子薄膜的表面的导电层的组成、厚度。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-82848号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题为了实现近年的器件的高功能化、用途扩大，有时要求导电层的低电阻化。通常，导电层的低电阻化可以通过至少一个导电层的厚度的增大来达成。然而，通过溅射法形成厚的导电层时，有时会在树脂薄膜上产生褶皱，这成为使生产率、可靠性降低的原因之一。本专利技术的目的在于，提供在形成较厚的导电层时也可抑制树脂薄膜产生褶皱的导电性薄膜的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决前述课题进行了深入研究，结果发现通过采用下述构成，可达成上述目的，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性薄膜的制造方法，其包括：/n工序A，在树脂薄膜的一个面形成第1导电层；/n工序B，在所述第1导电层上贴合保护薄膜；及/n工序C，边放出所述树脂薄膜边通过溅射法在所述树脂薄膜的另一面形成厚度80nm以上且300nm以下的第2导电层。/n

【技术特征摘要】
20181217 JP 2018-2358201.一种导电性薄膜的制造方法，其包括：
工序A，在树脂薄膜的一个面形成第1导电层；
工序B，在所述第1导电层上贴合保护薄膜；及
工序C，边放出所述树脂薄膜边通过溅射法在所述树脂薄膜的另一面形成厚度80nm以上且300nm以下的第2导电层。


2.根据权利要求1所述的导电性薄膜的制造方法，其中，在所述工序A中，通过溅射法形成所述第1导电层。


3.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜的制造方法，其中，所述第1导电层厚度为80n...

【专利技术属性】
技术研发人员：别府浩史，小石直树，鹰尾宽行，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP