【技术实现步骤摘要】
一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器
本专利技术涉及传感器
，尤其涉及一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器。
技术介绍
超材料是在自然界中不存在的一类物质，但具有自然界物质不可比拟的独特性质，特别是在吸波体，热辐射计，成像系统，传感器，红外隐身的应用中格外惹人注意。在1998年由Ebbesen等人证明异常透射，其在透明电极中的潜在应用，引起了人们对新型结构透明性的研究。在探测和隐身等领域，为了使结构透明，典型的方法是在金属膜的两侧引入孔或狭缝，这可以通过激发表面等离子体激元来提供输入和输出光的有效耦合。并且，高透射光谱中的窄谷也被发现在传感器领域中具有广泛的应用。此后，不同种类的传感器被设计出来应用到各个领域。为了获得更高的吸收性能，人们设计一种U形金属开口环共振器(SRRs)的周期性阵列组成的结构，以进行高质量感测。通过悬浮超材料来降低衬底的影响，可以实现MP共振的强衍射耦合，从而导致窄带混合MP模式具有较大的磁场增强，该结构的品质因数为40。同时人利用等离子共振和法诺共振设计了基于微米级的I...
【技术保护点】
1.一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，其特征在于，/n包括上层结构和下层结构，所述上层结构叠放在所述下层结构上，所述上层结构为周期性设置的工作在亚波长范围内的全介质型光栅结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，其特征在于，
包括上层结构和下层结构，所述上层结构叠放在所述下层结构上，所述上层结构为周期性设置的工作在亚波长范围内的全介质型光栅结构。
2.如权利要求1所述的基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，其特征在于，
所述上层结构为一维SiO2光栅条，所述下层结构是SiO2-Al2O3薄膜层。
3.如权利要求2所述的基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，其特征在于，
所述Al2O3薄膜层的厚度h1为5nm～90nm，所述SiO2薄膜层的厚度h2为5nm～90nm，所述SiO2光栅条的厚度h3设置为50nm～500nm，所述SiO2光栅条的周期P为400nm～1000nm，所述SiO2光栅条的宽度W为200nm～800nm。
4.如权利要求3...
【专利技术属性】
技术研发人员：伍铁生，王学玉，张慧仙，刘智慧，杨祖宁，杨丹，曹卫平，王宜颖，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：广西;45
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