【技术实现步骤摘要】
一种硒硫化锑薄膜的制备方法及其应用
本专利技术涉及硒硫化锑纳米材料
,尤其涉及一种硒硫化锑薄膜的制备方法及其应用。
技术介绍
锑基硫族化合物(Sb2(S,Se)3)由于具有合适的带隙宽度(1.1-1.8eV),在可见光范围内具有较高的光吸收系数(>105cm-1),且稳定性好,组成元素环保无毒等优点而受到了人们的广泛关注。为了得到高质量的Sb2(S,Se)3薄膜,大量的合成方法得到了发展。Zhang等人通过控制硒的乙二胺溶液与CBD法形成的Sb2S3膜之间的扩散反应合成了硒梯度分布的Sb2(S1-xSex)3薄膜(ZhangY,LiJM.SolarRRL,1,1700017(2017));该器件产生的开路电压与Sb2S3太阳能电池相当,且短路电流密度较Sb2S3高(19.43mA·cm-2),并最终获得了5.71%的认证效率。该方法虽然新颖,但制备Sb2(S,Se)3的过程较为复杂。Yang等通过在快速热蒸发过程中引入原位硫化(ShockleyW,QueisserHJ.JournalofAppliedP ...
【技术保护点】
1.一种硒硫化锑薄膜的制备方法,包括以下步骤:/n将酒石酸锑钾、硫源与硒源混合,在密闭环境中进行水热反应,干燥后得到硒硫化锑前驱膜;/n将所述硒硫化锑前驱膜进行退火,得到硒硫化锑薄膜。/n
【技术特征摘要】
1.一种硒硫化锑薄膜的制备方法,包括以下步骤:
将酒石酸锑钾、硫源与硒源混合,在密闭环境中进行水热反应,干燥后得到硒硫化锑前驱膜;
将所述硒硫化锑前驱膜进行退火,得到硒硫化锑薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硫源选自硫脲、硫代乙酰胺和硫代硫酸钠中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硒源选自二硫化硒、二氧化硒和硒脲中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述酒石酸锑钾、硫源和硒源的摩尔比为1∶4∶(0.1~0.7)。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述水热反应的温度...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈涛,唐荣风,王小敏,朱长飞,
申请(专利权)人:中国科学技术大学,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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