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面向低维半导体界面调控的原位测试装置制造方法及图纸

技术编号:24604125 阅读:23 留言:0更新日期:2020-06-21 05:58
本发明专利技术公开一种面向低维半导体界面调控的原位测试装置,所述面向低维半导体界面调控的原位测试装置包括:主腔体,所述主腔体包括六通结构与第一窗口,所述六通结构包括多个通路;真空泵系统,所述真空泵系统与所述六通结构的所述通路连通;蒸镀系统,所述蒸镀系统包括蒸镀模块与监控模块,所述蒸镀模块与所述监控模块分别与所述六通结构的不同所述通路连通;光学测试系统,所述光学测试系统设于所述主腔体靠近所述第一窗口的一侧,所述光学测试系统的入光端与所述第一窗口相对设置。本发明专利技术提供一种面向低维半导体界面调控的原位测试装置,旨在解决现有技术中低维半导体在界面调控后需要接触大气环境后再进行测试,从而影响低维半导体的测试结果的问题。

In situ testing device for low dimensional semiconductor interface control

【技术实现步骤摘要】
面向低维半导体界面调控的原位测试装置
本专利技术涉及半导体测试
,尤其涉及一种面向低维半导体界面调控的原位测试装置。
技术介绍
低维半导体材料是微电子领域与光电子领域中重要的新型材料,它至少在一个空间维度达到原子尺度,因此具有极高的比表面积,使得低维半导体器件的性能主要取决于其表面和界面的性质。低维半导体器件在制备或使用过程中,需要通过界面调控的方法,有效的控制低维半导体的光电性质,从而对器件性能进行优化。由于低维半导体的表界面容易受到大气环境的影响,尤其是在界面调控后对低维半导体器件进行测试时,暴露于大气环境中的低维半导体会产生较大的测试误差,从而影响低维半导体的界面调控。现有技术中,在对低维半导体器件制备界面或界面调控后,需要将低维半导体从制备装置转移到测试装置后,再进行原位光电测试或光谱测试,但是在从制备装置转移到测试装置的过程中,会导致低维半导体接触大气环境,从而影响低维半导体的调控结果与测试结果。
技术实现思路
本专利技术提供一种面向低维半导体界面调控的原位测试装置,旨在解决现有技术中低维半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种面向低维半导体界面调控的原位测试装置,其特征在于,所述原位测试装置包括:/n主腔体,所述主腔体包括六通结构与第一窗口,所述六通结构包括多个通路;/n真空泵系统,所述真空泵系统与所述六通结构的所述通路连通;/n蒸镀系统,所述蒸镀系统包括蒸镀模块与监控模块,所述蒸镀模块与所述监控模块分别与所述六通结构的不同所述通路连通;/n光学测试系统,所述光学测试系统设于所述主腔体靠近所述第一窗口的一侧,所述光学测试系统的入光端与所述第一窗口相对设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种面向低维半导体界面调控的原位测试装置,其特征在于,所述原位测试装置包括:
主腔体,所述主腔体包括六通结构与第一窗口,所述六通结构包括多个通路;
真空泵系统,所述真空泵系统与所述六通结构的所述通路连通;
蒸镀系统,所述蒸镀系统包括蒸镀模块与监控模块,所述蒸镀模块与所述监控模块分别与所述六通结构的不同所述通路连通;
光学测试系统,所述光学测试系统设于所述主腔体靠近所述第一窗口的一侧,所述光学测试系统的入光端与所述第一窗口相对设置。


2.如权利要求1所述的原位测试装置,其特征在于,所述原位测试装置还包括光学平台,所述主腔体、所述真空泵系统、所述蒸镀系统以及所述测试系统均设置在所述光学平台上。


3.如权利要求1所述的原位测试装置,其特征在于,所述主腔体还包括闸板阀与第一真空计,所述六通结构沿第一方向的两侧分别连通有第一三通结构与第二三通结构,所述第一三通结构与所述真空泵系统连通,所述第二三通结构远离所述六通结构的一侧通路与所述闸板阀连接,所述第二三通结构的另一通路与第一真空计连通。


4.如权利要求1所述的原位测试装置,其特征在于,所述真空泵系统包括机械泵、分子泵、第一管路、四通阀、第二管路以及第三管路,所述第一管路的一端与所述机械泵连通,另一端与所述四通阀连通,所述四通阀分别与所述第二管路与所述第三管路连通,所述第二管路的另一端与所述六通结构连通,所述第三管路与所述分子泵连通,所述分子泵与所述六通结构连通。


5.如权利要求1所述的原位测试装置,其特征在于,所述原位测试装置还包括电学测量系统,所述电学测量系统包括第一电馈通、第二电馈通以及样品台,所述样品台上设有温度传感器与加热装置,所述第一电馈通与所述温度传感器以及所述加热装置电连接,所述第二电馈通与所述样品台的电学引脚电连接。


6.如权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩成徐涛陈伟
申请(专利权)人:深圳大学
类型:发明
国别省市:广东;44

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