【技术实现步骤摘要】
一种非层状二维PbSe晶体材料及其制备方法
本专利技术属于纳米半导体材料相关
，更具体地，涉及一种非层状二维PbSe晶体材料及其制备方法。
技术介绍
自2004年石墨烯首次被机械剥离得到以来，以石墨烯为代表的二维材料便引起了科研工作者的广泛关注。到目前为止，除石墨烯外，大量的二维纳米材料被科研工作者制备出来，像过渡族金属硫化合物、层状金属氧化物、过渡金属碳化物等。由于电子在二维中的超高比表面积和强量子约束，这些二维纳米材料表现出许多非常规的物理、光学、化学和电子特性，并且在电子器件催化、储能与转换、传感、生物医学等领域显示出巨大的应用潜力。目前对二维材料的研究主要集中在层状结构材料，然而，在自然界更多的是在三维空间形成化学键的非层状材料，由于其在三维方向都成键而少有报道。受二维材料晶体的启发，人们可以预期，非层状结构二维材料的受控合成可能会带来一些独特的性能和先进的功能，这是其他维度的材料无法实现的。PbSe作为一种传统的Ⅳ-Ⅵ族半导体材料，具有窄的直接带隙(0.28eV)、大的激子波尔半径(46nm)、极强的...
【技术保护点】
1.一种非层状二维PbSe晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(a)将反应容器划分为为上游区域、中心区域和下游区域；/n(b)选取Se粉作为硒源，置于上游区域；选取Pb
【技术特征摘要】
1.一种非层状二维PbSe晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(a)将反应容器划分为为上游区域、中心区域和下游区域；
(b)选取Se粉作为硒源，置于上游区域；选取Pb3O4作为铅源，并和氯化钾混合获得前驱体，然后将前驱体置于中心区域；选取云母为生长衬底，将多片云母依次紧密排列放置于下游区域；
(c)在所述反应容器中通入氩气作为载气，通入氢气作为反应气，加热反应后在云母衬底上得到非层状二维PbSe晶体材料，其中，所述载气和反应气从所述上游区域流向下游区域。
2.如权利要求1所述的一种非层状二维PbSe晶体材料的制备方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述上游区域距离所述中心区域17cm～19cm。
3.如权利要求1或2所述的一种非层状二维PbSe晶体材料的制备方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述前驱体的上方设置有分子筛，用于减缓所述前驱体的蒸发速率，且所述下游区域距离所...
【专利技术属性】
技术研发人员：周兴，张逊，翟天佑，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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