【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量测设备和确定感兴趣的特性的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月7日提交的欧洲申请17200265.1，于2017年11月28日提交的欧洲申请17204158.4，于2017年12月15日提交的欧洲申请17207587.1的优先权，这些欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及一种用于确定衬底上的结构的感兴趣的特性的量测设备。本专利技术还涉及一种确定感兴趣的特性的方法。
技术介绍
光刻设备是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可用于制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)上的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了将图案投影在衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以形成在衬底上的特征的最小大小。当前使用的典型波长是365nm(i线)，248nm，193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用具有在4-20nm(例如6...
【技术保护点】
1.一种用于确定与衬底上的至少一个结构有关的感兴趣的特性的量测设备，所述感兴趣的特性是所述衬底上的第一层和第二层之间的重叠值，并且所述至少一个结构包括所述第一层中的特征和所述第二层中的特征，所述量测设备包括：/n-传感器，用于检测入射在所述传感器上的辐射的特性；/n-光学系统，被配置为用从源接收的辐射照射所述至少一个结构，并且所述光学系统被配置为接收由所述至少一个结构散射的辐射并将接收到的辐射透射到所述传感器，所述光学系统被配置为将所述至少一个结构成像到所述传感器上，所述光学系统被配置为防止在第一操作模式散射辐射的第0衍射阶的辐射向所述传感器的透射；以及所述传感器被布置在所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171107 EP 17200265.1;20171128 EP 17204158.4;20171.一种用于确定与衬底上的至少一个结构有关的感兴趣的特性的量测设备，所述感兴趣的特性是所述衬底上的第一层和第二层之间的重叠值，并且所述至少一个结构包括所述第一层中的特征和所述第二层中的特征，所述量测设备包括：
-传感器，用于检测入射在所述传感器上的辐射的特性；
-光学系统，被配置为用从源接收的辐射照射所述至少一个结构，并且所述光学系统被配置为接收由所述至少一个结构散射的辐射并将接收到的辐射透射到所述传感器，所述光学系统被配置为将所述至少一个结构成像到所述传感器上，所述光学系统被配置为防止在第一操作模式散射辐射的第0衍射阶的辐射向所述传感器的透射；以及所述传感器被布置在所述光学系统的像平面中，或者所述传感器被布置在与所述像平面共轭的平面中；
-确定系统，被配置为从所述传感器接收表示正被记录在所述传感器上的图像的信号，并且被配置为基于所述衬底的所述第一层中的特征相对于所述衬底的所述第二层中的特征的移位来确定所述重叠值。
2.根据权利要求1所述的量测设备，其中，所述结构的特征能够在由所述确定系统接收的所述图像中被单独地区分。
3.根据前述权利要求中任一项所述的量测设备，其中，所述光学系统包括阻挡元件，所述阻挡元件用于阻挡所述散射辐射的第0衍射阶向所述传感器的透射。
4.根据前述权利要求中任一项所述的量测设备，其中，所述光学系统被配置为以所述第一操作模式或第二操作模式操作，在所述第一操作模式所述阻挡元件在第一位置是能够控制的，在所述第一位置所述阻挡元件能够操作以阻挡所述散射辐射的第0衍射阶向所述传感器的透射，在所述第二操作模式所述阻挡元件在第二位置是能够控制的，在所述第二位置所述阻挡元件不阻挡所述散射辐射的第0衍射阶向所述传感器的透射。
5.根据权利要求3和4中任一项所述的量测设备，其中，所述阻挡元件是在不朝向所述传感器的方向上反射所述第0衍射阶的反射镜。
6.根据权利要求5所述的量测设备，其中，所述反射镜将所述第0衍射阶反射至另一传感器，并且可选地，在所述反射镜与所述另一传感器之间设置有成像透镜，以在所述另一传感器上产生所述至少一个结构的明场图像。
7.根据前述权利要求中任一项所述的量测设备，其中，至少满足以下条件之一：
-所述至少一个结构在所述第一层的第一区域内包含重复的特征结构；
-所述至少一个结构在所述第二层的第二区域内包含重复的特征结构；
以及，可选地...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·J·登博夫，R·J·A·范登厄特拉尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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