【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】作为除草剂的4-(3,4-二氢萘-1-基或2H-色烯-4-基)-5-羟基-2H-哒嗪-3-酮专利
本专利技术涉及某些饱和双环哒嗪酮,其N-氧化物、盐和组合物,以及其用于控制不希望植被的方法。专利技术背景控制不希望植被在实现高作物效率中是极其重要的。实现对杂草生长的选择性控制,尤其是在此类有用的作物尤其如稻、大豆、甜菜、玉蜀黍、马铃薯、小麦、大麦、番茄和种植园作物中,是非常希望的。在此类有用的作物中的未加抑制的杂草生长可造成产量的显著下降,并且从而导致消费者成本增加。在非作物区域中对不希望植被的控制也是重要的。为了这些目的,许多产品是可商购的,但持续需要更有效、较低成本、较低毒性、对环境更安全或具有不同的作用位点的新型化合物。专利申请公开WO2015/168010和WO2017/074992及专利申请PCT/US18/24742公开了取代的哒嗪酮。这些专利申请中未公开本专利技术的饱和双环哒嗪酮。专利技术概述本专利技术涉及式1的化合物,包括这样的化合物的所有立体异构体、N-氧化物和这样的化合物 ...
【技术保护点】
1.选自式1、其N-氧化物和盐的化合物,/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170630 US 62/527,5231.选自式1、其N-氧化物和盐的化合物,
其中
W为-C(R7)(R8)-或-O-;
R1为H、C1-C7烷基、C3-C8烷基羰基烷基、C3-C8烷氧基羰基烷基、C4-C7烷基环烷基、C2-C7烯基、C3-C7炔基、C3-C7环烷基、C4-C7环烷基烷基、C2-C5氰基烷基、C1-C4硝基烷基、C2-C7卤代烷氧基烷基、C1-C7卤代烷基、C2-C7卤代烯基、C2-C7烷氧基烷基、C3-C7烷硫基烷基或C1-C7烷氧基;
R2为H、卤素、氰基、-CHO、C1-C7烷基、C3-C8烷基羰基烷基、C3-C8烷氧基羰基烷基、C1-C4烷基羰基、C2-C7烷基羰基氧基、C4-C7烷基环烷基、C2-C7烯基、C3-C7炔基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基、C1-C4烷基氨基、C2-C8二烷基氨基、C3-C7环烷基、C4-C7环烷基烷基、C2-C5氰基烷基、C1-C4硝基烷基、C2-C7卤代烷氧基烷基、C1-C7卤代烷基、C2-C7卤代烯基、C2-C7烷氧基烷基、C1-C7烷氧基、C1-C5烷硫基或C2-C3烷氧基羰基;
每个R3独立地为H、卤素、硝基、氰基、C1-C5烷基、C2-C5烯基、C2-C5炔基、C3-C5环烷基、C4-C5环烷基烷基、C1-C5卤代烷基、C2-C5卤代烯基、C3-C5卤代炔基、C2-C5烷氧基烷基、C1-C5烷氧基、C1-C5卤代烷氧基、C1-C5烷硫基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基、C1-C4卤代烷硫基或C2-C5烷氧基羰基;
n为0至3;
每个R4独立地为H、卤素、硝基、氰基、C1-C5烷基、C2-C5烯基、C2-C5炔基、C3-C5环烷基、C4-C5环烷基烷基、C1-C5卤代烷基、C2-C5卤代烯基、C3-C5卤代炔基、C2-C5烷氧基烷基、C1-C5烷氧基、C1-C5卤代烷氧基、C1-C5烷硫基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基、C1-C4卤代烷硫基或C2-C5烷氧基羰基;
R5为H或C1-C5烷基;
R6为H或C1-C5烷基;
R7为H或C1-C5烷基;
R8为H或C1-C5烷基;
L为直接键、C1-C4亚烷基或C2-C4亚烯基;
G为H、C(=O)R9、C(=S)R9、CO2R10、C(=O)SR10、S(O)2R9、C(=O)N(R11)(R12)、S(=O)2N(R11)(R12)或P(=O)(R13)(R14);或C1-C7烷基、C2-C5烯基、C2-C4炔基、C1-C7卤代烷基、C2-C5卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C2-C4烷氧基烷基、C3-C6环烷基或C4-C7环烷基烷基;或任选地被卤素、C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基取代的5元或6元杂环;
R9和R11独立地为H、C1-C7烷基、C3-C7烯基、C3-C7炔基、C3-C7环烷基、C1-C7卤代烷基、C3-C7卤代烯基、C2-C7烷氧基烷基或C4-C7环烷基烷基;或苯基、苄基或5元至6元杂环,每个苯基、苄基或杂环任选地被卤素、C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基取代;
R10为C1-C7烷基、C3-C7烯基、C3-C7炔基、C3-C7环烷基、C2-C7卤代烷基、C3-C7卤代烯基、C2-C7烷氧基烷基或C4-C7环烷基烷基;或苯基、苄基或5元至6元杂环,每个苯基、苄基或杂环任选地被卤素、C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基取代;
R12为H、C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C7环烷基、C4-C7环烷基烷基、C1-C7卤代烷基或C2-C7烷氧基烷基;
R13为C1-C7烷基或C1-C7烷氧基;且
R14为C1-C7烷基或C1-C7烷氧基。
2.权利要求1的化合物,其中
R1为H、C1-C7烷基、C3-C8烷基羰基烷基、C3-C8烷氧基羰基烷基、C4-C7烷基环烷基、C3-C7环烷基、C4-C7环烷基烷基、C1-C7卤代烷基、C2-C7卤代烯基、C2-C7烷氧基烷基或C1-C7烷氧基;
R2为H、卤素、氰基、-CHO、C1-C7烷基、C3-C8烷基羰基烷基、C3-C8烷氧基羰基烷基、C1-C4烷基羰基、C2-C7烷基羰基氧基、C4-C7烷基环烷基、C3-C7环烷基、C4-C7环烷基烷基、C2-C7卤代烷氧基烷基、C1-C7卤代烷基、C2-C7烷氧基烷基、C1-C7烷氧基、C1-C5烷硫基或C2-C3烷氧基羰基;
每个R3独立地为H、卤素、C1-C5烷基、C3-C5环烷基、C1-C5卤代烷基、C1-C5烷氧基或C1-C5卤代烷氧基;
n为0至2;
R4为H、卤素、C1-C3烷基、C3-C4环烷基、C1-C3卤代烷基或C1-C3烷氧基;
L为直接键或C1-C2亚烷基;
G为H、C(=O)R9、C(=S)R9、CO2R10、C(=O)SR10、CON(R11)(R12)或P(=O)(R13)(R14);或C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C2-C4烷氧基烷基、C3-C6环烷基或C4-C7环烷基烷基;
R9和R11独立地为H、C1-C7烷基、C3-C7烯基、C3-C7炔基、C3-C7环烷基或C1-C7卤代烷基;或苯基、苄基或6元杂环,每个苯基、苄基或杂环任选地被卤素、C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基取代;
R10为C1-C7烷基、C3-C7烯基、C3-C7环烷基、C2-C7卤代烷基或C3-C7卤代烯基;或苯基、苄基或6元杂环,每个苯基、苄基或杂环任选地被卤素、C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基取代;
R12为H、C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基或C3-C7环烷基;
R13为C1-C4烷基或C1-C4烷氧基;且
R14为C1-C4烷基或C1-C4烷氧基。
3.权...
【专利技术属性】
技术研发人员:E·A·马歇尔,J·R·德贝格,
申请(专利权)人:FMC公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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