【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单体、聚合物、有机膜组合物以及图案形成方法
本专利技术涉及新的单体以及聚合物、包括上述单体和/或聚合物的有机膜组合物以及使用上述有机膜组合物的图案形成方法。
技术介绍
如今的半导体产业已经从具有数百纳米大小的图案发展到具有几纳米至几十纳米大小的图案的超精细技术。为实现这样的超精细技术，有效的光刻技术是必不可少的。典型的光刻技术包括如下过程：在半导体基板上形成材料层，并在材料层上涂布光刻胶层，进行曝光以及显影而形成光刻胶图案，之后将上述光刻胶图案作为掩膜蚀刻材料层。近来，随着需要形成的图案的尺寸的减小，仅靠上述典型的光刻技术难以形成具有优异轮廓的精细图案。因此，可以在需要蚀刻的材料层与光刻胶层之间形成又称硬掩模层(hardmasklayer)的有机膜来形成精细图案。硬掩模层起到通过选择性蚀刻过程而将光刻胶的精细图案转印到材料层的中间膜的作用。最近，在半导体工序中，随着芯片的二维尺寸的减小，正在开发三维堆叠结构。随着该趋势，需要进一步减小形成平板印刷的图案形成的线宽度。
技术实现思路
...
【技术保护点】
1.一种单体，包括：/n由下述化学式1表示的部分；以及/n取代或者未取代的C6至C30芳香环部分，/n[化学式1]/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171108 KR 10-2017-01481901.一种单体，包括：
由下述化学式1表示的部分；以及
取代或者未取代的C6至C30芳香环部分，
[化学式1]
在所述化学式1中，
Ar是C6至C30芳香环，
X以及X′独立地为卤素原子、羟基、烷氧基、胺基、硫醇基、羧基、腈基、烯基、炔基、叠氮基或者它们的组合，
Z1是N，
Z2是O、S或者NRa，其中，Ra是氢、取代或者未取代的C1至C10烷基、卤素原子、含卤素基团或者它们的组合。
2.根据权利要求1所述的单体，其中，
所述单体由下述化学式2表示，
[化学式2]
在所述化学式2中，
B是下述组1中列出的取代或者未取代的环基团中的任意一个，
Ar是C6至C30芳香环，
X以及X′独立地为卤素原子、羟基、烷氧基、胺基、硫醇基、羧基、腈基、烯基、炔基、叠氮基或者它们的组合，
Z1是N，
Z2是O、S或者NRa，其中，Ra是氢、取代或者未取代的C1至C10烷基、卤素原子、含卤素基团或者它们的组合，
[组1]
在所述组1中，是连接点。
3.根据权利要求2所述的单体，其中，
在所述化学式2中，Ar是菲、芘、苝、苯并苝或者晕苯。
4.根据权利要求2所述的单体，其中，
在所述化学式2中，X以及X′独立地为卤素原子。
5.根据权利要求1所述的单体，其中，
所述单体具有300至1,500的分子量。
6.一种聚合物，其中，
所述聚合物通过单体的缩聚反应来形成，所述单体包括由下述化学式1表示的部分以及取代或者未取代的C6至C30芳香环部分，
[化学式1]
在所述化学式1中，
Ar是C6至C30芳香环，
X以及X′独立地为卤素原子、羟基、烷氧基、胺基、硫醇基、羧基、腈基、烯基、炔基、叠氮基或者它们的组合，
Z1是N，
Z2是O、S或者NRa，其中，Ra是氢、取代或者未取代的C1至C10烷基、...
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