具有优良耐折性能的COF Film结构及使用其的液晶屏、OLED、QLED制造技术

技术编号:24594374 阅读:57 留言:0更新日期:2020-06-21 03:15
本实用新型专利技术公开了一种具有优良耐折性能的COF Film结构及使用其的液晶屏、OLED、QLED,包括PI层(5)、Cu层(4)、Sn层(3)和SR层(2),SR层(2)为上层,PI层(5)为下层,Cu层(4)、Sn层(3)设置在SR层(2)和PI层(5)之间,Cu层(4)的上表面与Sn层(3)的下表面相贴合,Cu层(4)的下表面与PI层(5)的上表面相贴合,Sn层(3)的上表面与SR层(2)的下表面相贴合,PI层(5)厚度为20‑28um,Cu层(4)厚度为4‑7um,SR层(2)厚度为5‑20um,Sn层(3)厚度为0.1‑0.5um。本实用新型专利技术的具有优良耐折性能的COF Film结构耐折性好。

COF film structure with excellent folding resistance and its LCD, OLED and qled

【技术实现步骤摘要】
具有优良耐折性能的COFFilm结构及使用其的液晶屏、OLED、QLED
本技术涉及COFFilm,特别涉及一种具有优良耐折性能的COFFilm结构及使用其的液晶屏、OLED、QLED。
技术介绍
目前COFFilm的结构普遍为图1,图1中,PI层5厚度为30-40um,Cu层4厚度为8-10um,SR层2厚度为5-15um,Sn层3厚度为0.1-0.5um,但这种结构的耐弯折性能差,导致容易损坏,影响其使用性能。
技术实现思路
本技术的目的之一在于提供一种具有优良耐折性能的COFFilm结构,该具有优良耐折性能的COFFilm结构耐折性好。技术方案是:一种具有优良耐折性能的COFFilm结构,包括PI层5、Cu层4、Sn层3和SR层2,SR层2为上层,PI层5为下层,Cu层4、Sn层3设置在SR层2和PI层5之间,Cu层4的上表面与Sn层3的下表面相贴合,Cu层4的下表面与PI层5的上表面相贴合,Sn层3的上表面与SR层2的下表面相贴合,PI层5厚度为20-28um,Cu层4厚度为4-7um,SR层2厚度为5-20um,Sn层3厚度为0.1-0.5um。本技术的目的之二在于提供一种液晶屏。技术方案是:一种液晶屏,包括主板和显示板,所述液晶屏还包括上述的具有优良耐折性能的COFFilm结构,该具有优良耐折性能的COFFilm结构连接在所述主板与显示板之间。本技术的目的之三在于提供一种OLED。技术方案是:一种OLED,包括主板和显示板,所述OLED还包括上述的具有优良耐折性能的COFFilm结构,该具有优良耐折性能的COFFilm结构连接在所述主板与显示板之间。本技术的目的之四在于提供一种QLED。技术方案是:一种QLED,包括主板和显示板,其特征在于:所述QLED还包括上述的具有优良耐折性能的COFFilm结构,该具有优良耐折性能的COFFilm结构连接在所述主板与显示板之间。与现有技术相比,本技术的专利技术原理及有益效果在于:本技术专利技术人经过长期研究发现,在不改变材料性质的情况下,通过改变各层材料的厚度可以达到提高耐弯折性能的目的,当采用本技术实施例1的各层厚度时,耐折次数基本上为现有的2-3倍。术语说明COF-指ChipOnFilm,即覆晶薄膜,是一种柔性线路板。PI-指聚酰亚胺。SR-指阻焊油墨。附图说明图1是
技术介绍
COFFilm的结构示意图;图2是本技术的结构示意图。具体实施方式下面将结合附图对本技术作进一步说明。在本技术的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“贴合”、“连接”应做广义理解,例如,“连接”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是焊接,也可以是封装连接等,对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例1如图2,一种COFFilm结构,包括PI层5、Cu层4、Sn层3和SR层2,SR层2为上层,PI层5为下层,Cu层4、Sn层3设置在SR层2和PI层5之间,Cu层4的上表面与Sn层3的下表面相贴合,Cu层4的下表面与PI层5的上表面相贴合,Sn层3的上表面与SR层2的下表面相贴合。本实施例中,PI层5厚度为20-28um,Cu层4厚度为4-7um,SR层2厚度为5-15um,Sn层3厚度为0.1-0.5um。本实施例中,COFFilm结构的制备工艺是现有的,即PI层5、Cu层4形成覆铜箔板,然后经现有的线路板工艺形成COFFilm结构。实施例2本实施例与实施例1相比,除SR层2厚度为15-20um(不包括15um),其余与实施例1相同。实施例3如图1,一种COFFilm结构,包括PI层5、Cu层4、Sn层3和SR层2,SR层2为上层,PI层5为下层,Cu层4、Sn层3设置在SR层2和PI层5之间,Cu层4的上表面与Sn层3的下表面相贴合,Cu层4的下表面与PI层5的上表面相贴合,Sn层3的上表面与SR层2的下表面相贴合。本实施例中,PI层5厚度为30-40um,Cu层4厚度为8-10um,SR层2厚度为5-15um,Sn层3厚度为0.1-0.5um。实施例4将实施例1的COFFilm结构(随机取10个样品)、实施例2的COFFilm结构(随机取10个样品)和实施例3的COFFilm结构(随机取10个样品)按下表一的条件进行对比测试:表一测试结果见下表二:从表二结果可知,在实施例1整体厚度低于现有技术的条件下,仅通过调节各层的厚度,耐折次数显著提高,专利技术人经进一步研究发现,实施例1结构的耐折性能显著高于现有技术的原因在于的实施例1结构的线路弯折应力小于现有技术的结构的线路弯折应力。实施例5一种液晶屏,包括主板和显示板,实施例1的COFFilm结构连接在主板与显示板之间。由于采用了实施例1的COFFilm结构,延迟了液晶屏的使用寿命,不容易损坏,大大提高了产品性能。实施例6一种OLED,包括主板和显示板,实施例1的COFFilm结构连接在主板与显示板之间。由于采用了实施例1的COFFilm结构,延迟了OLED的使用寿命,不容易损坏,大大提高了产品性能。实施例7一种QLED,包括主板和显示板,实施例1的COFFilm结构连接在主板与显示板之间。由于采用了实施例1的COFFilm结构,延迟了QLED的使用寿命,不容易损坏,大大提高了产品性能。以上所述仅为本技术的优选实施例而已,并不用于限制本技术,对于本领域的技术人员来说,本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种具有优良耐折性能的COF Film结构,包括PI层(5)、Cu层(4)、Sn层(3)和SR层(2),SR层(2)为上层,PI层(5)为下层,Cu层(4)、Sn层(3)设置在SR层(2)和PI层(5)之间,Cu层(4)的上表面与Sn层(3)的下表面相贴合,Cu层(4)的下表面与PI层(5)的上表面相贴合,Sn层(3)的上表面与SR层(2)的下表面相贴合,其特征在于:所述PI层(5)厚度为20-28um,Cu层(4)厚度为4-7um,SR层(2)厚度为5-20um,Sn层(3)厚度为0.1-0.5um。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有优良耐折性能的COFFilm结构,包括PI层(5)、Cu层(4)、Sn层(3)和SR层(2),SR层(2)为上层,PI层(5)为下层,Cu层(4)、Sn层(3)设置在SR层(2)和PI层(5)之间,Cu层(4)的上表面与Sn层(3)的下表面相贴合,Cu层(4)的下表面与PI层(5)的上表面相贴合,Sn层(3)的上表面与SR层(2)的下表面相贴合,其特征在于:所述PI层(5)厚度为20-28um,Cu层(4)厚度为4-7um,SR层(2)厚度为5-20um,Sn层(3)厚度为0.1-0.5um。


2.一种液晶屏,包括主板和显示板,...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙朝晖吴昱蓉王军帽
申请(专利权)人:合肥奕斯伟材料技术有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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