【技术实现步骤摘要】
聚合物基电介质材料及薄膜电容器
本专利技术属于复合电介质材料
，具体来讲，涉及一种聚合物基电介质材料、以及以该聚合物基电介质材料作为电介质层材料的薄膜电容器。
技术介绍
随着经济的快速发展，人类对能源的需求越来越大，对能源的存储和释放方式的要求也越加苛刻；因此，相关储能技术受到了广泛关注和应用。相比于其他电子储能器件，薄膜电容器具有充放电速率快和功率密度高等特点，但是其储能密度却很不理想。高介电、高击穿强度的聚合物基复合薄膜介电材料综合了无机填料和聚合物的优点，具有较高的储能密度、柔性、加工简单、成本低廉、利于大规模生产等特性，引起广泛关注和研究；然而，含有填料的聚合物基复合薄膜介电材料的介击穿强度难以提升，这极大地限制了聚合物基复合薄膜介电材料的应用。以高耐压的聚合物薄膜材料作为介质的薄膜电容器在电子电气领域具有十分重要的应用，尤其在电动汽车、武器(电磁弹射等)等方面，更加需要耐高压和高储能密度的储能设备。因此，有效提升聚合物基复合薄膜介电材料的耐高压能力和储能密度，对国家安全以及民生建设都有极其重要的意义。...
【技术保护点】
1.一种聚合物基电介质材料，其特征在于，包括聚合物基体及均匀填充在所述聚合物基体中的电介质填料；/n其中，所述电介质填料是一种化学式为X
【技术特征摘要】
1.一种聚合物基电介质材料，其特征在于，包括聚合物基体及均匀填充在所述聚合物基体中的电介质填料；
其中，所述电介质填料是一种化学式为XmYn-iZi的无机化合物；所述电介质填料是由具有稳定晶体结构的化学式为XmYn的无机化合物通过等化合价、异电负性取代形成等电子陷阱结构而获得的；其中，m与n的比值表示元素Y和元素X的化合价的最简比。
2.根据权利要求1所述的聚合物基电介质材料，其特征在于，在化学式XmYn-iZi中，Z元素与Y元素为同族且电负性不同的两种元素，或Z元素与Y元素为不同族且化合价相同、电负性不同的两种元素。
3.根据权利要求2所述的聚合物基电介质材料，其特征在于，所述Z元素与所述Y元素均为主族元素。
4.根据权利要求3所述的聚合物基电介质材料，其特征在于，所述Z元素与所述Y元素均选自N、P、As、O、S、Se、Te中的任意一种。
5.根据权利要求1-4所述的聚合物基电介质材料，其特征在于，i与n-i的比值大于1:99且小于等于49:51。
6.根据权利要求5所述的聚合物基电介质材料，其特征在于，所述电介质填料为ZnS1-iOi、MgS1-iOi、CaS1-iOi、BaS1-iOi、ZnSe1-iOi、ZnSe1-iSi、ZnTe1-iOi、ZnTe1-iSi、ZnTe1-iSei、Ga2S3-iOi、Ga2Se3-iOi、Ga2Se3-iSi、Ga2Te3-iOi、Ga2Te3-iSi、Ga2Te3-iSei、GaP1-iNi、GaAs1-iNi、GaAs1-iPi、GaSb1-iNi、GaSb1-iPi、GaSb1-iAsi、GeS2-iOi、GeSe2-iOi、GeSe2-iSi、GeTe1-iOi、GeTe1-iSi、GeTe1-iSei、InS1-iOi、InSe1-iOi、InS...
【专利技术属性】
技术研发人员：于淑会，于均益，孙蓉，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44
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