一种光控自旋交叉分子磁性材料制造技术

一种光控自旋交叉分子磁性材料，一种基于K

A spin controlled cross molecular magnetic material

【技术实现步骤摘要】
一种光控自旋交叉分子磁性材料
本专利技术属于分子磁性材料中光控自旋交叉磁性材料的合成
，具体涉及一种基于K2[Hg(SeCN)4]和单齿3-氟吡啶配体的二价铁三维光控自旋交叉配位聚合物磁性材料及其制备方法。
技术介绍
近年来，光控自旋交叉分子磁性材料日益获得了广泛的关注。分子磁性材料是指通过化学手段设计合成的，在结构上以超分子组装为主要特点，性质上以分子耦合为主要特性，将来可以被实际应用的一类化合物。相比于传统的磁性材料，分子基磁性材料具有磁性能可调节性，结构灵活多样，易于机械加工，可将光、电等其他性能相结合等特性。在智能纳米分子器件、光磁开关、高密度信息存储和量子计算机等方面具有非常重要的潜在应用前景。目前分子磁性材料的研究主要集中于高磁相变磁性材料、单分子及单链磁性材料、光致磁性材料和自旋交叉磁性材料等方面。Kahn指出：分子双稳态现象指的是分子材料在一定的外界条件下（温度、压力、光激发、磁场等），存在两种稳定或介稳的电子状态的现象。分子会在两种状态之间相互转换，从而实现信息存储和开关功能。自从第一个跨越室温的具有滞后回线的热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光控自旋交叉分子磁性材料，其特征在于，所述材料的分子式为C

【技术特征摘要】
1.一种光控自旋交叉分子磁性材料，其特征在于，所述材料的分子式为C14H8F2FeHgN6Se4；化学式为：[Hg(SeCN)4Fe(L)2],L代表3-氟吡啶；所述磁性材料的晶体结构为：晶体属于单斜晶系，空间群为C2/c(15)，晶胞参数为a=11.5527(8)Å，b=13.2441(9)Å，c=14.4752(9)Å,α＝90°，β＝101.693(6)°，γ＝90°；所述磁性材料制备方法步骤为：
S1、材料制备是在常温常压下进行的；将K2[Hg(SeCN)4]（69.9...

【专利技术属性】
技术研发人员：张道鹏，曹桐，迟晓晨，
申请(专利权)人：山东理工大学，
类型：发明
国别省市：山东;37