一种工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路制造技术

技术编号:24586834 阅读:118 留言:0更新日期:2020-06-21 01:58
本发明专利技术公开了一种工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路,应用于通信终端,所述通信终端包括RJ45以太网端口与网卡芯片,其特征在于,所述工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路包括设置在所述RJ45以太网端口与所述网卡芯片之间的一级保护电路与二级保护电路,该电路应用于工业物联网网关终端;物联网网关电源所需的浪涌保护系统一般由二级组成,利用各种浪涌抑制器件的特点,可以实现可靠保护,可以有效泄放浪涌电流,吸收浪涌能量,提升了整体的防浪涌等级,从而有效保护了物联网网关后续芯片等电子元器件,使其不会因浪涌电流受损,满足GB/T17626.5、IEC61000‑4‑5等浪涌测试标准,达到4级,以及满足GB/T17626.2、IEC61000‑4‑2等静电测试标准,达到4级。

A lightning surge protection circuit for Ethernet port of industrial Internet of things gateway

【技术实现步骤摘要】
一种工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路
本专利技术涉及物联网通讯网关设备领域,具体为一种工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路。
技术介绍
工业以太网接口的是目前应用最广泛的通讯设备接口,以太网的电磁兼容性能关系到通讯设备的稳定运行。工业应用环境下以太网容易产生浪涌以及户外使用以太网容易遭受雷击,雷击浪涌产生的过电压和过电流会损坏以太网电磁兼容平衡,因此做好工业以太网接口的雷击保护方案十分必要。1、设备安装在野外或者强电磁工业环境下。2、工业物联网网关以太网端口雷击损坏后,影响工业数据采集连续性。3、工业物联网网关雷击损害后,维修成本高。4、工业物联网网关以太网端口高浪涌防护成为设备必须具备功能之一;工业环境下网络通讯避免不了强电磁干扰形成的高浪涌、野外雷击对通讯网口的损坏,在这种情况下需要增加以太网网口的保护电路和浪涌吸收。为此,提出一种工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路,通过采用本方案保护电路,满足GB/T17626.5、IEC61000-4-5等浪涌测试标准,达到4级,以及满足GB/T17626.2、IEC61000-4-2等静电测试标准,达到4级。整体满足工业物联网应用环境,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路,应用于通信终端,所述通信终端包括RJ45以太网端口与网卡芯片,其特征在于,所述工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路包括设置在所述RJ45以太网端口与所述网卡芯片之间的一级保护电路与二级保护电路。通过采用上述技术方案,该电路应用于工业物联网网关终端;物联网网关电源所需的浪涌保护系统一般由二级组成,利用各种浪涌抑制器件的特点,可以实现可靠保护,可以有效泄放浪涌电流,吸收浪涌能量,提升了整体的防浪涌等级,从而有效保护了物联网网关后续芯片等电子元器件,使其不会因浪涌电流受损,满足GB/T17626.5、IEC61000-4-5等浪涌测试标准,达到4级,以及满足GB/T17626.2、IEC61000-4-2等静电测试标准,达到4级。整体满足工业物联网应用环境。优选的,所述一级保护电路包括陶瓷气体放电管GDT,陶瓷气体放电管GDT的一端与RJ45以太网端口电连接,陶瓷气体放电管的另一端接地。优选的,陶瓷气体放电管型号为UN1812-90CSMD,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。优选的,所述二级保护电路采用TVS管吸收差模能量作为二级保护,二级电路保护中TVS管采用瞬态抑制二极管。优选的,TVS管型号为SLVU2.8-4。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:该电路应用于工业物联网网关终端;物联网网关电源所需的浪涌保护系统一般由二级组成,利用各种浪涌抑制器件的特点,可以实现可靠保护,可以有效泄放浪涌电流,吸收浪涌能量,提升了整体的防浪涌等级,从而有效保护了物联网网关后续芯片等电子元器件,使其不会因浪涌电流受损,满足GB/T17626.5、IEC61000-4-5等浪涌测试标准,达到4级,以及满足GB/T17626.2、IEC61000-4-2等静电测试标准,达到4级。整体满足工业物联网应用环境。附图说明图1为本专利技术的实施例的结构框图;图2为本专利技术的RJ45以太网端口的电路图;图3为本专利技术的一级保护采用陶瓷气体放电管整体电路图;图4为本专利技术的瞬态抑制二极管电路图。图中:1、RJ45以太网端口;2、一级保护电路;3、二级保护电路;4、网卡芯片。具体实施方式下面将结和本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1至图4,本专利技术提供一种技术方案:如图1所示,一种工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路,应用于通信终端,所述通信终端包括RJ45以太网端口1与网卡芯片4,所述工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路包括设置在所述RJ45以太网端口1与所述网卡芯片4之间的一级保护电路2与二级保护电路3。通过采用上述技术方案,该电路应用于工业物联网网关终端;物联网网关电源所需的浪涌保护系统一般由二级组成,利用各种浪涌抑制器件的特点,可以实现可靠保护,可以有效泄放浪涌电流,吸收浪涌能量,提升了整体的防浪涌等级,从而有效保护了物联网网关后续芯片等电子元器件,使其不会因浪涌电流受损,满足GB/T17626.5、IEC61000-4-5等浪涌测试标准,达到4级,以及满足GB/T17626.2、IEC61000-4-2等静电测试标准,达到4级。整体满足工业物联网应用环境。具体的,如图3所示,所述一级保护电路2包括陶瓷气体放电管GDT,陶瓷气体放电管GDT的一端与RJ45以太网端口1电连接,陶瓷气体放电管的另一端接地。具体的,如图3所示,陶瓷气体放电管型号为UN1812-90CSMD,电容值<1.0pF,电阻>1GΩ。具体的,如图4所示,所述二级保护电路3采用TVS管吸收差模能量作为二级保护,二级电路保护中TVS管采用瞬态抑制二极管。具体的,如图4所示,TVS管型号为SLVU2.8-4。工作原理:该电路应用于工业物联网网关终端,物联网网关电源所需的浪涌保护系统一般由二级组成,利用各种浪涌抑制器件的特点,可以实现可靠保护,可以有效泄放浪涌电流,吸收浪涌能量,提升了整体的防浪涌等级,从而有效保护了物联网网关后续芯片等电子元器件,使其不会因浪涌电流受损,满足GB/T17626.5、IEC61000-4-5等浪涌测试标准,达到4级,以及满足GB/T17626.2、IEC61000-4-2等静电测试标准,达到4级。整体满足工业物联网应用环境。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路,应用于通信终端,所述通信终端包括RJ45以太网端口(1)与网卡芯片(4),其特征在于,所述工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路包括设置在所述RJ45以太网端口(1)与所述网卡芯片(4)之间的一级保护电路(2)与二级保护电路(3)。/n

【技术特征摘要】
1.一种工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路,应用于通信终端,所述通信终端包括RJ45以太网端口(1)与网卡芯片(4),其特征在于,所述工业物联网网关的以太网端口防雷浪涌保护电路包括设置在所述RJ45以太网端口(1)与所述网卡芯片(4)之间的一级保护电路(2)与二级保护电路(3)。


2.根据权利要求1所述的一种工业物联网网关的以太网端口(1)防雷浪涌保护电路,其特征在于:所述一级保护电路(2)包括陶瓷气体放电管GDT,陶瓷气体放电管GDT的一端与RJ45以太网端口(1)电连接,陶瓷气体放电管的另一端接地。
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【专利技术属性】
技术研发人员:王华戴爱明
申请(专利权)人:北京天拓智领科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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