处理腔室以及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种处理腔室，具有可装卸的盖部，用于对被处理基板实施加热处理，其能够抑制盖部下表面中的面向腔室内部空间的部分的温度降低。处理腔室具有：腔室主体，在上部具有开口，用于容纳被处理基板和对被处理基板进行加热的热源；盖部，相对于开口能够开闭；以及密封部，当盖部相对于开口处于关闭状态时，在盖部与腔室主体之间包围开口来对盖部与腔室主体之间的间隙进行密封。密封部具有：主体侧密封部件，由弹性材料形成，以沿着开口的周围包围开口的方式设置于腔室主体；盖侧密封部件，由弹性材料形成，设置于盖部的下表面中与主体侧密封部件相对的位置，在关闭状态下，通过主体侧密封部件与盖侧密封部件抵接对间隙进行密封。

Processing chamber and base plate processing device

【技术实现步骤摘要】
处理腔室以及基板处理装置
本专利技术涉及一种用于在内部对基板进行加热处理的处理腔室以及使用该处理腔室的基板处理装置，特别地，涉及一种具有相对于腔室主体自由开闭的盖部的装置。
技术介绍
例如，在半导体基板、显示装置用玻璃基板、光掩膜用玻璃基板、光盘用基板等各种的基板的处理工序中，广泛采用在基板上涂敷涂敷液后，使涂敷液所含的成分挥发的处理。为了促进挥发，有时对基板进行加热。在这样的以加热处理为目的的基板处理装置中，为了抑制热的扩散而提高能量效率，或者为了防止因加热而挥发的涂敷液的成分向周围飞散，通常在腔室内进行处理。在该情况下，因加热而挥发的涂敷液的成分在腔室内被冷却并析出，有时附着于腔室内壁面。这样的附着物因落到基板而成为污染源。为了对应该问题，例如，在日本特开2008-251670号公报(专利文献1)中记载的基板处理装置中，沿着腔室的顶面设置有用于形成升温后的气体的气流的机构。即，在腔室的侧部设置有喷出加热气体的供气口。另外，加热气体从隔着基板而设置在与供气口相反一侧的排气口排气。由此，挥发的涂敷液的成分不会在腔室内析出而被排出到外部。在这样的腔室中，为了进行设置在腔室内的加热装置等处理单元的装卸、清扫等维护作业，通常壁面的一部例如上表面构成为自由装卸的盖部。在该情况下，腔室主体与安装于其上的盖部之间的间隙通过插入密封件等密封部件来保持气密性。然而，由于如上述那样进行加热处理的腔室内成为高温，因此，盖部中的面向腔室内空间的部分与除此以外的部分之间会产生较大的温度差。由于该温度差会导致盖部变形，从而密封变得不充分，气密性降低，从而外部气体有时会侵入腔室内。由此，在盖部的周缘部产生温度降低，特别地，会产生来自涂敷液的挥发成分液化或固化而附着于面向腔室内空间的面的问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题而提出，目的在于，提供一种处理腔室，该处理腔室具有可装卸的盖部，其能够防止盖部的热变形所导致的气密性的降低，能够抑制盖部下表面中的面对腔室内部空间的部分的温度降低。本专利技术的一个实施方式提供一种处理腔室，用于对被处理基板实施加热处理，为了达到上述目的，该处理腔室具有：腔室主体，在上部具有开口，用于容纳所述被处理基板和对所述被处理基板进行加热的热源；盖部，相对于所述开口能够开闭；以及密封部，在所述盖部相对于所述开口处于关闭状态时，在所述盖部与所述腔室主体之间包围所述开口来对所述盖部与所述腔室主体之间的间隙进行密封。并且，所述密封部具有：主体侧密封部件，由弹性材料形成，以沿着所述开口的周围包围所述开口的方式设置于所述腔室主体；盖侧密封部件，由弹性材料形成，设置于所述盖部的下表面中与所述主体侧密封部件相对的位置，在所述关闭状态下，通过所述主体侧密封部件与所述盖侧密封部件抵接对所述间隙进行密封。在这样的结构的专利技术中，通过均具有弹性的主体侧密封部件与盖侧密封部件抵接，对腔室主体与盖部之间的间隙进行密封。根据这样的结构，由于通过具有弹性的密封部件彼此的抵接来密封间隙，因此，相对于因盖部的热变形引起的间隙的增大，密封部件能够追随该间隙而保持密封状态。即，在本专利技术中，即使由于盖部的热变形而与腔室主体的间隙增大，密封部件也追随该间隙增大而保持气密状态。这样一来，能够防止因低温的外部气体向腔室内的侵入而引起的盖部下表面的温度降低。另外，本专利技术的另一个实施方式提供一种基板处理装置，具有：所述处理腔室、以及配置于所述处理腔室的内部的作为所述热源的加热部。在这样结构的专利技术中，在上述处理腔室内进行加热处理。在本专利技术的处理腔室中，能够防止因盖部发生热变形而气密性降低而导致外部气体的侵入，从而能够抑制由此所引起的盖部下表面的温度降低。因此，能够防止来自作为被处理物的基板的挥发成分被冷却而附着于盖部下表面而落到基板上。如上所述，根据本专利技术，通过在腔室主体和盖部两方上均设置由弹性材料构成的密封部件，能够抑制因盖部的热变形而导致的气密性的降低。由此，能够防止因外部气体侵入而引起的盖部下表面的温度降低。因此，在密封位置的内侧，特别是靠近密封位置的位置，能够抑制面向腔室内空间的盖部下表面中的温度降低。附图说明图1A是表示本专利技术的一个实施方式的基板处理装置的结构的侧面剖视图。图1B是表示本专利技术的一个实施方式的基板处理装置的结构的侧面剖视图。图2是表示顶板的更详细的结构的分解组装图。图3A是表示密封部的结构的图。图3B是表示密封部的结构的图。图3C是表示密封部的结构的图。图4A是表示顶板与腔室主体的尺寸关系的图。图4B是表示顶板与腔室主体的尺寸关系的图。图5A是表示顶板的局部剖视图。图5B是表示顶板的局部剖视图。图6A是例示本实施方式的效果的图。图6B是例示本实施方式的效果的图。附图标记的说明：1：基板处理装置10：处理腔室11：腔室主体12：顶板(盖部、板状体)13：支撑机构14：密封部15：加热板(加热部)16：气体喷嘴(气流形成部)120：框架部121：内侧框架(框体)122：外侧框架(加强构件)123：加强件124：上侧面板125：下侧面板126：加强板(加强构件)141：主体侧密封件(主体侧密封部件)142：顶板侧密封件(盖侧密封部件)Ps：密封位置S：基板(被处理基板)具体实施方式图1A和图1B是表示本专利技术的一个实施方式的基板处理装置的结构的侧面剖视图。更具体而言，图1A表示关闭基板处理装置1的顶板12的关闭状态，图1B表示打开顶板12的打开状态。该基板处理装置1用于接收在表面涂敷有涂敷液的基板并在常压下进行加热，从而使涂敷液中的溶剂成分挥发的目的。作为基板，例如，能够使用半导体基板、玻璃基板等各种基板。作为涂敷液，例如，能够使用光致抗蚀剂液。例如，为了在基板表面形成光致抗蚀剂膜，可以使用该基板处理装置1。此外，基板和涂敷液的种类并不限定于此。为了统一地表示以下各图中的方向，如图1A所示，设定XYZ正交坐标轴。在此，XY平面表示水平面。另外，Z轴表示铅垂轴，更具体而言，(-Z)方向表示铅垂向下方向。基板处理装置1具有：处理腔室10、以及容纳于该处理腔室10的内部的加热板15。加热板15的上表面15a成为通过未图示的控制部升温至规定的温度(例如，150℃)的平坦面。作为被处理物的基板S通过从外部被搬入至处理腔室10内并载置于加热板15的上表面15a，从而被加热。由此，被涂敷在基板S的上表面的涂敷液被加热而使溶剂成分挥发，从而在基板S的上表面形成覆膜。为了防止从基板S挥发的溶剂成分的飞散、废料等向基板S的附着，在处理腔室10内实施加热处理。处理腔室10具有：在上部设置有开口111的大致箱型的腔室主体11、以及相对于开口111自由开闭地设置的顶板12。更具体而言，顶板12是通过支撑机构13、13自由升降地支撑Y方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理腔室，用于对被处理基板实施加热处理，其中，/n具有：/n腔室主体，在上部具有开口，用于容纳所述被处理基板和对所述被处理基板进行加热的热源；/n盖部，相对于所述开口能够开闭；以及/n密封部，在所述盖部相对于所述开口处于关闭状态时，在所述盖部与所述腔室主体之间包围所述开口来对所述盖部与所述腔室主体之间的间隙进行密封，/n所述密封部具有：/n主体侧密封部件，由弹性材料形成，以沿着所述开口的周围包围所述开口的方式设置于所述腔室主体；/n盖侧密封部件，由弹性材料形成，设置于所述盖部的下表面中与所述主体侧密封部件相对的位置，/n在所述关闭状态下，通过所述主体侧密封部件与所述盖侧密封部件抵接对所述间隙进行密封。/n

【技术特征摘要】
20181212 JP 2018-2321801.一种处理腔室，用于对被处理基板实施加热处理，其中，
具有：
腔室主体，在上部具有开口，用于容纳所述被处理基板和对所述被处理基板进行加热的热源；
盖部，相对于所述开口能够开闭；以及
密封部，在所述盖部相对于所述开口处于关闭状态时，在所述盖部与所述腔室主体之间包围所述开口来对所述盖部与所述腔室主体之间的间隙进行密封，
所述密封部具有：
主体侧密封部件，由弹性材料形成，以沿着所述开口的周围包围所述开口的方式设置于所述腔室主体；
盖侧密封部件，由弹性材料形成，设置于所述盖部的下表面中与所述主体侧密封部件相对的位置，
在所述关闭状态下，通过所述主体侧密封部件与所述盖侧密封部件抵接对所述间隙进行密封。


2.如权利要求1所述的处理腔室，其中，
就所述主体侧密封部件和所述盖侧密封部件而言，相对于相同的按压力的弹性变形量相互不同。


3.如权利要求2所述的处理腔室，其中，
所述盖侧密封部件的所述弹性变形量大于所述主体侧密封部件的所述弹性变形量。


4.如权利要求1至3中任一项所述的处理腔室，其中，
所述主体侧密封部件的上表面是与长度方向垂直的截面为向上凸的曲线形状的曲面，
所述盖侧密封部件的下表面是与长度方向垂直的截面为向下凸的曲线形状的曲面，
在所述主体侧密封部件的最上端部与所述盖侧密封部件的最下端部在...

【专利技术属性】
技术研发人员：中根慎悟，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP