电压调节电路制造技术

一种电压调节电路，包括分压参考电路、放大器、晶体管、低压输出电阻和电压调节单元电路。本实用新型专利技术利用分压参考电路获得多个参考电压，然后通过放大器分别对各参考电压进行第一级的放大，将参考电压放大至适宜的电压范围后，通过各放大器后端连接的电压调节单元电路分别对各电压输出端进行电压的第二级放大和幅值调节。由此，本实用新型专利技术能够利用第一级放大保证输出电压稳定，利用第二级放大保证输出电压具有足够增益，并能够通过第二级放大中的电位器对各路输出电压分别进行微调，实现更为精准可控的稳定电压输出。

Voltage regulating circuit

【技术实现步骤摘要】
电压调节电路
本技术涉及电源电路领域，尤其涉及一种电压调节电路。
技术介绍
电气柜中各单元电路中的操作电路、切换电路、检测电路等分别对应有各自的供电需求。现有电气柜中所设置的电源电路通常需要针对每一种供电需求单独设计配套的电源电路。现有电气柜中电源结构复杂，各类电源电路之间容易相互影响且输出电压的误差较大。现有电气柜中各路电源输出没有对应的状态标记，因此检修时需要逐一排查各路电源电路工作情况，不利于对电气设备的维护和检查。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种电压调节电路。本申请通过分级放大可在更大电压变化范围调节电压输出。为实现上述目的，本技术提供的电压调节电路，其包括：分压参考电路，其连接电气柜的输入电压，所述分压参考电路包括低压输出端以及N个参考电压输出端，N≥1；放大器，包括有N个，N≥1，各所述放大器的第一输入端分别连接第一电平，各所述放大器的第二输入端分别连接各参考电压输出端；晶体管，包括有N个，N≥1，各所述晶体管的控制端分别连接各所述放大器的输出端，各所述晶体管按照其所连接的放大器的输出端的电压由高至底顺序串联连接；低压输出电阻，其一端连接所述低压输出端；电压调节单元电路，其包括有N个，N≥1，每一个所述电压调节单元电路均分别包括有低压输入端和高压输入端，各所述电压调节单元电路的低压输入端均连接至所述低压输出电阻的另一端，各所述电压调节单元电路的高压输入端分别连接至各所述晶体管的驱动输出端，各所述电压调节单元电路的输出端之间分别串联连接有负载电阻，各所述负载电阻还分别连接所述电压调节电路的各电压输出端。可选的，上述任一的电压调节电路，其中，所述晶体管为P沟道MOS晶体管，输出端电压最高的放大器所连接的P沟道MOS晶体管的源极连接第二电平，其中，所述第二电平不超过各所述放大器输出的最高电压，各所述P沟道MOS晶体管的漏极为其驱动输出端。可选的，上述任一的电压调节电路，其中，每一个所述电压调节单元电路均分别独立的设置有：第一放大管，其基极或门极连接所述电压调节单元电路的低压输入端，其发射极接地，其集电极串联第一电阻，所述第一电阻连接至所述电压调节单元电路的高压输入端；第二放大管，其基极或门极连接所述第一放大管的集电极，其发射极接地；电位器，其一端与所述第二放大管的集电极连接，其另一端连接所述电压调节单元电路的输出端。可选的，上述任一的电压调节电路，其中，所述第一放大管或第二放大管均为NPN三极管。可选的，上述任一的电压调节电路，其中，所述第一放大管或第二放大管均为IGBT晶体管。可选的，上述任一的电压调节电路，其中，所述第一放大管的集电极和第二放大管的基极之间还连接有发光元件。可选的，上述任一的电压调节电路，其中，所述第一放大管的集电极和第二放大管的门极之间还连接有发光元件可选的，上述任一的电压调节电路，其中，所述发光元件为发光二极管，所述发光二极管的正极连接所述第一放大管的集电极，所述发光二极管的负极连接所述第二放大管的基极或门极。可选的，上述任一的电压调节电路，其中，所述电位器的型号为WX3。可选的，上述任一的电压调节电路，其中，放大器其型号为LM387。本技术和现有方案相比具有如下技术效果:1.本技术提供一种电压调节电路，其利用分压参考电路获得多个参考电压，然后通过放大器分别对各参考电压进行第一级的放大，将参考电压放大至适宜的电压范围后，通过各放大器后端连接的电压调节单元电路分别对各电压输出端进行电压的第二级放大和幅值调节。由此，本专利技术能够利用第一级放大保证输出电压稳定，利用第二级放大保证输出电压具有足够增益，并能够通过第二级放大中的电位器对各路输出电压分别进行微调，实现更为精准可控的稳定电压输出。2.进一步，本技术还可进一步将每一个所述电压调节单元电路设计具有两级放大，两级放大分别通过NPN三极管或IGBT晶体管实现，这两个放大管之间还可以设置发光元件进行电压输出状态的提示。当选择发光元件为发光二极管时，一旦电压输出故障，发光二极管反向关断可以保护电压调节单元内部电路，避免负载顶端的电压或电流冲击损伤电源电路。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，并与本技术的实施例一起，用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：图1为根据本技术的电压调节电路的原理图；图2为图1中分压参考电路的示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术，并不用于限定本技术。本技术中所述的“和/或”的含义指的是各自单独存在或两者同时存在的情况均包括在内。本技术中所述的“连接”的含义可以是部件之间的直接连接也可以是部件间通过其它部件的间接连接。本技术所提供的电压调节电路，参考图1所示，其包括：分压参考电路，其连接电气柜的输入电压，所述分压参考电路包括低压输出端VL以及N个参考电压输出端，N≥1；放大器，包括有N个LM387放大器，N≥1，各所述放大器的第一输入端分别连接第一电平Vrf，各所述放大器的第二输入端分别连接各参考电压输出端；晶体管，包括有N个，N≥1，各所述晶体管的控制端分别连接各所述放大器的输出端，各所述晶体管按照其所连接的放大器的输出端的电压由高至底顺序串联连接；低压输出电阻R3，其一端连接所述低压输出端VL；电压调节单元电路，其包括有N个，N≥1，每一个所述电压调节单元电路均分别包括有低压输入端和高压输入端，各所述电压调节单元电路的低压输入端均连接至所述低压输出电阻R3的另一端，各所述电压调节单元电路的高压输入端分别连接至各所述晶体管的驱动输出端，各所述电压调节单元电路的输出端之间分别串联连接有负载电阻RL，各所述负载电阻RL还分别连接所述电压调节电路的各电压输出端。其中的分压参考电路在一种实现方式下，可直接通过图2所示的分压电路实现。该分压电路在供电电压V1和地电平之间串联相应阻值的多个电阻各电阻之间的公共端作为各参考电压输出端输出不同电压幅值的参考电压至相应的放大器。放大器对参考电压放大后提供至电压调节单元电路进行进一步的放大和微调。上述电路结构中，所述晶体管可选择为P沟道MOS晶体管。其中，参考图1所示，对应于输出端电压最高的放大器所连接的P沟道MOS晶体管的源极连接第二电平EP1，对应于输出端电压最高的放大器所连接的P沟道MOS晶体管的漏极连接下一个P沟道MOS晶体管的源极，下一个P沟道MOS晶体管的栅极连接对应输出端电压较高的放大器的输出端。如此，各P沟道MOS晶体管按照其栅极接收的电压大小顺序串联。其中，所述第二电平EP1不超过各所述放大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压调节电路，其特征在于，包括：/n分压参考电路，其连接电气柜的输入电压，所述分压参考电路包括低压输出端(VL)以及N个参考电压输出端，N≥1；/n放大器，包括有N个，N≥1，各所述放大器的第一输入端分别连接第一电平(Vrf)，各所述放大器的第二输入端分别连接各参考电压输出端；/n晶体管，包括有N个，N≥1，各所述晶体管的控制端分别连接各所述放大器的输出端，各所述晶体管按照其所连接的放大器的输出端的电压由高至底顺序串联连接；/n低压输出电阻(R3)，其一端连接所述低压输出端(VL)；/n电压调节单元电路，其包括有N个，N≥1，每一个所述电压调节单元电路均分别包括有低压输入端和高压输入端，各所述电压调节单元电路的低压输入端均连接至所述低压输出电阻(R3)的另一端，各所述电压调节单元电路的高压输入端分别连接至各所述晶体管的驱动输出端，各所述电压调节单元电路的输出端之间分别串联连接有负载电阻(RL)，各所述负载电阻(RL)还分别连接所述电压调节电路的各电压输出端。/n

【技术特征摘要】
1.一种电压调节电路，其特征在于，包括：
分压参考电路，其连接电气柜的输入电压，所述分压参考电路包括低压输出端(VL)以及N个参考电压输出端，N≥1；
放大器，包括有N个，N≥1，各所述放大器的第一输入端分别连接第一电平(Vrf)，各所述放大器的第二输入端分别连接各参考电压输出端；
晶体管，包括有N个，N≥1，各所述晶体管的控制端分别连接各所述放大器的输出端，各所述晶体管按照其所连接的放大器的输出端的电压由高至底顺序串联连接；
低压输出电阻(R3)，其一端连接所述低压输出端(VL)；
电压调节单元电路，其包括有N个，N≥1，每一个所述电压调节单元电路均分别包括有低压输入端和高压输入端，各所述电压调节单元电路的低压输入端均连接至所述低压输出电阻(R3)的另一端，各所述电压调节单元电路的高压输入端分别连接至各所述晶体管的驱动输出端，各所述电压调节单元电路的输出端之间分别串联连接有负载电阻(RL)，各所述负载电阻(RL)还分别连接所述电压调节电路的各电压输出端。


2.如权利要求1所述的电压调节电路，其特征在于，所述晶体管为P沟道MOS晶体管，输出端电压最高的放大器所连接的P沟道MOS晶体管的源极连接第二电平(EP1)，其中，所述第二电平(EP1)不超过各所述放大器输出的最高电压，各所述P沟道MOS晶体管的漏极为其驱动输出端。


3.如权利要求1所述的电压调节电路，其特征在于，每一个所述电压调节单元电路均分别独立的设...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁泽宇，
申请(专利权)人：丁泽宇，
类型：新型
国别省市：江苏;32