【技术实现步骤摘要】
密封圈和工艺门
本技术涉及半导体设备领域，特别涉及一种用于立式炉工艺门的密封圈和包括该密封圈的工艺门。
技术介绍
立式炉具有占地面积小、自动化程度高和成膜均匀性好等优点，因此在半导体制造领域有着广泛的应用。立式炉对硅片进行处理的过程通常包括：硅片装载、升舟、升温、主工艺过程、降温、降舟及硅片卸载等。升舟后到降舟前的整个过程中，立式炉反应腔室必须处于完全密闭的状态，否则不能按照预定的气体比例进行反应，造成产品报废；还可能造成特气泄露，危及工厂安全。为了提高生产效率通常会在上个处理过程结束后立即开始下一个处理过程，工艺过程中路口的密封是设备一直处于稳定、可靠状态的重要手段之一。目前，立式炉反应腔室的密封是通过密封圈在工艺门与反应腔室中间形成适当的压缩量进行密封。密封圈长时间受热，很容易与反应腔室粘连，且工艺温度越高粘连越紧密，在降舟时会发生密封圈脱出现象。密封圈一旦脱出很容易造成产品报废，甚至是特气泄露，危及整个工厂的安全。图1显示通用的立式炉的结构示意图。利用立式炉进行热氧化工艺形成SiO2的基本工艺流程为：<...
【技术保护点】
1.一种密封圈，其特征在于，所述密封圈包括密封圈本体，所述密封圈本体顶部的部分区域整体向上凸起形成凸出部，所述凸出部的宽度小于所述密封圈本体的宽度。/n
【技术特征摘要】
1.一种密封圈，其特征在于，所述密封圈包括密封圈本体，所述密封圈本体顶部的部分区域整体向上凸起形成凸出部，所述凸出部的宽度小于所述密封圈本体的宽度。
2.根据权利要求1所述的密封圈，其特征在于，所述密封圈本体的外表面包括环形底面、分别从所述环形底面的内周和外周连接于所述环形底面的第一圆弧面和第二圆弧面，所述凸出部的外表面为第三圆弧面，所述第三圆弧面分别与所述一圆弧面、第二圆弧面连接。
3.根据权利要求2所述的密封圈，其特征在于，在所述密封圈本体的横截面上，所述第一圆弧面和所述第二圆弧面的轮廓分别为第一圆弧和第二圆弧，且所述第一圆弧和所述第二圆弧相对于所述横截面上的中心线对称，所述第三圆弧面的轮廓为第三圆弧，所述第三圆弧的两个端点分别连接于所述第一圆弧和所述第二圆弧。
4.根据权利要求3所述的密封圈，其特征在于，在所述横截面上，所述第一圆弧与所述第三圆弧的公切线与所述环形底面之间形成第一夹角，所述第二圆弧与所述第三圆弧的公切线与所述环形底面之间形成第二夹角，所述第一夹角和所述第二夹角的角度范围均为30～60°。
5.根据权利要求4所述的密封圈，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘科学，孙妍，吴艳华，王玉霞，武鹏科，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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