磁传感器装置制造方法及图纸

本发明专利技术的磁传感器装置具备复合芯片部件和安装于复合芯片部件上的传感器芯片。传感器芯片包含：第1磁传感器，检测外部磁场的平行于X方向的方向的分量；第2磁传感器，检测外部磁场的平行于Y方向的方向的分量；以及第3磁传感器，检测外部磁场的平行于Z方向的方向的分量。复合芯片部件包含：第1磁场发生器，产生平行于X方向的方向的附加磁场分量；第2磁场发生器，产生平行于Y方向的方向的附加磁场分量；以及第3磁场发生器，产生平行于Z方向的方向的附加磁场分量。

Magnetic sensor device

【技术实现步骤摘要】
磁传感器装置
本专利技术涉及一种磁传感器装置，其包含用于检测外部磁场的规定的方向的分量的磁传感器和用于产生与外部磁场不同的磁场的磁场发生器。
技术介绍
近年来，用于检测外部磁场的规定的方向的分量的磁传感器被应用于各种用途。作为磁传感器，已知有一种使用了设置于基板上的至少1个磁检测元件的磁传感器。作为磁检测元件，例如可以使用磁阻效应元件。用于检测外部磁场的规定的方向的分量的磁传感器生成对应于外部磁场的规定的方向的分量的检测信号。在下文中，将上述规定的方向称为主轴方向。主轴方向例如与磁传感器的磁敏方向一致。在此，在该磁传感器中，将磁传感器的检测信号的变化相对于主轴方向的磁场的强度的变化的比例称为主轴灵敏度。主轴灵敏度可能会因磁传感器的个体差异而不同。另外，在包含用于检测外部磁场的多个方向的分量的多个磁传感器的装置中，存在多个磁传感器的主轴灵敏度互不相同的情况。另外，根据磁传感器的使用环境，存在主轴灵敏度变化的情况。因此，在包含磁传感器的装置中，可以期待根据需要测量磁传感器的主轴灵敏度，从而可以基于该测量结果来校正磁传感器的检测信号。在中国专利申请公开第101641609B号说明书中记载了一种磁传感器，其具备多个磁敏部互相分开而设置的半导线基板和设置于半导线基板上的磁性体，且多个磁敏部设置于磁性体的端部区域。该磁传感器基于多个磁敏部的输出，检测关于互相正交的3个轴的磁场强度。在该磁传感器中，各个磁敏部的磁敏方向是垂直方向。该磁传感器具备用于灵敏度测量的水平磁场产生用线圈和用于灵敏度测量的多个垂直磁场产生用线圈。水平磁场产生用线圈产生水平磁场分量。通过水平磁场分量，在磁性体的端部附近产生垂直磁场分量，并且多个磁敏部通过检测该垂直磁场分量来检测水平磁场分量。多个垂直磁场产生用线圈被设置于多个磁敏部附近，并产生垂直磁场分量。多个磁敏部分别检测由多个垂直磁场产生用线圈产生的垂直磁场分量。根据在中国专利申请公开第101641609B号说明书中记载的磁传感器，能够测量关于3个轴的主轴灵敏度。然而，在包含用于检测外部磁场的多个方向的分量的多个磁传感器的装置中，多个磁传感器存在具有芯片部件的方式，并且可以被安装于基板等的支撑体的情况。在此，将以支撑体为基准设定的坐标系称为基准坐标系，将以多个磁传感器的各个为基准设定的坐标系称为传感器坐标系。在包含多个磁传感器的装置中，即使多个磁传感器的各个的传感器坐标系以与基准坐标系一致的方式被设计，也可能存在引起由相对于支撑体的多个磁传感器的排列的偏差引起各个传感器坐标系与基准坐标系不一致的情况发生。另外，由于多个磁传感器的相互的位置偏差，可能引起多个磁传感器的传感器坐标系不一致的情况发生。在这些情况下，在各个磁传感器中，可能根据主轴方向以外的方向的磁场的强度的变化而引起检测信号产生变化。在此，将磁传感器的检测信号的变化相对于主轴方向以外的方向的磁场的强度的变化的比例称为其它轴灵敏度。因此，在包含多个磁传感器的装置中，根据需要，期待不仅可以测量各个磁传感器的主轴灵敏度，也可以测量其它轴灵敏度，从而可以基于其测量结果校正多个磁传感器的检测信号。在日本专利申请公开第2015-75465号公报中，记载了一种三维磁场测量装置，其具备：磁性体；配置于磁性体附近的第1至第4磁检测元件；信号处理部；校正系数存储部；以及磁场分量计算部。信号处理部基于第1至第4磁检测元件的输出信号，生成对应于输入至磁性体的三维磁场矢量的输出信号。校正系数存储部存储用于校正包含于信号处理部的输出信号的其它轴灵敏度分量的校正系数。磁场分量计算部基于信号处理部的输出信号和校正系数，生成三维的输出信号。另外，日本专利申请公开第2015-75465号公报中记载了一种用于生成校正系数的校正系数生成装置。校正系数生成装置被设置于三维磁场测量装置的外部。校正系数生成装置为了生成校正系数，将线性独立的3个磁场矢量输入至三维磁场测量装置。在日本专利申请公开第2015-75465号公报中记载的三维磁场测量装置中，校正系数生成装置被设置于三维磁场测量装置的外部。在该三维磁场测量装置中，存在为了高精度地生成校正系数，必须要将用于将线性独立的3个磁场矢量输入至三维磁场测量装置的手段相对于三维磁场测量装置高精度地吻合定位的问题点，以及有时候难以根据三维磁场测量装置的使用环境，通过校正系数生成装置将线性独立的3个磁场矢量输入至三维磁场测量装置的情况的问题点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种磁传感器装置，其是一种包含磁传感器的磁传感器装置，能够高精度地测量磁传感器的主轴灵敏度和其它轴灵敏度。本专利技术的磁传感器装置具备：第1磁传感器，其用于检测外部磁场的作为第1磁敏方向的分量的第1外部磁场分量；支撑体；第1磁场发生器，其能够产生第1附加磁场；以及第2磁场发生器，其能够产生第2附加磁场。第1磁传感器、支撑体、第1磁场发生器和第2磁场发生器被一体化。支撑体具有包含基准平面的外表面。第1磁传感器被安装于基准平面上。当通过第1磁场发生器产生第1附加磁场时，在第1磁传感器施加有第1附加磁场的作为平行于第1方向的方向的分量的第1附加磁场分量。当通过第2磁场发生器产生第2附加磁场时，在第1磁传感器施加有第2附加磁场的作为平行于第2方向的方向的分量的第2附加磁场分量。第1方向和第2方向是基准平面内的互不相同的方向。在本专利技术的磁传感器装置中，第1磁场发生器和第2磁场发生器可以被包含于支撑体。另外，在本专利技术的磁传感器装置中，第1磁敏方向可以平行于基准平面。另外，在本专利技术的磁传感器装置中，第1磁场发生器可以包含被配置于互不相同的位置处的第1线圈和第2线圈，第2磁场发生器可以包含被配置于互不相同的位置处的第3线圈和第4线圈。本专利技术的磁传感器装置可以进一步具备用于检测外部磁场的作为第2磁敏方向的分量的第2外部磁场分量的第2磁传感器。第2磁传感器被安装于基准平面上。当通过第1磁场发生器产生第1附加磁场时，在第2磁传感器，施加有第1附加磁场分量。当通过第2磁场发生器产生第2附加磁场时，在第2磁传感器，施加有第2附加磁场分量。在本专利技术的磁传感器装置具备第2磁传感器的情况下，第1磁敏方向和第2磁敏方向均可以平行于基准平面。另外，第1磁场发生器可以包含被配置于互不相同的位置处的第1线圈和第2线圈，第2磁场发生器可以包含被配置于互不相同的位置处的第3线圈和第4线圈。在本专利技术的磁传感器装置具备第2磁传感器的情况下，磁传感器装置可以进一步具备用于检测外部磁场的作为第3磁敏方向的分量的第3外部磁场分量的第3磁传感器。第3磁传感器被安装于基准平面上。当通过第1磁场发生器产生第1附加磁场时，在第3磁传感器，施加有第1附加磁场分量。当通过第2磁场发生器产生第2附加磁场时，在第3磁传感器，施加有第2附加磁场分量。在本专利技术的磁传感器装置具备第3磁传感器的情况下，第1磁敏方向和第2磁敏方向均可以平行于基准平面。另外，第3磁敏方向可以垂直于基准平面。另外，在本专利技术的磁传感本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁传感器装置，其特征在于，/n具备：/n第1磁传感器，其用于检测外部磁场的作为第1磁敏方向的分量的第1外部磁场分量；/n支撑体；/n第1磁场发生器，其能够产生第1附加磁场；以及/n第2磁场发生器，其能够产生第2附加磁场，/n所述第1磁传感器、所述支撑体、所述第1磁场发生器和所述第2磁场发生器被一体化，/n所述支撑体具有包含基准平面的外表面，/n所述第1磁传感器被安装于所述基准平面上，/n当通过所述第1磁场发生器产生所述第1附加磁场时，在所述第1磁传感器，施加有所述第1附加磁场的作为平行于第1方向的方向的分量的第1附加磁场分量，/n当通过所述第2磁场发生器产生所述第2附加磁场时，在所述第1磁传感器，施加有所述第2附加磁场的作为平行于第2方向的方向的分量的第2附加磁场分量，/n所述第1方向和所述第2方向是所述基准平面内的互不相同的方向。/n

【技术特征摘要】
20181212 JP 2018-2320841.一种磁传感器装置，其特征在于，
具备：
第1磁传感器，其用于检测外部磁场的作为第1磁敏方向的分量的第1外部磁场分量；
支撑体；
第1磁场发生器，其能够产生第1附加磁场；以及
第2磁场发生器，其能够产生第2附加磁场，
所述第1磁传感器、所述支撑体、所述第1磁场发生器和所述第2磁场发生器被一体化，
所述支撑体具有包含基准平面的外表面，
所述第1磁传感器被安装于所述基准平面上，
当通过所述第1磁场发生器产生所述第1附加磁场时，在所述第1磁传感器，施加有所述第1附加磁场的作为平行于第1方向的方向的分量的第1附加磁场分量，
当通过所述第2磁场发生器产生所述第2附加磁场时，在所述第1磁传感器，施加有所述第2附加磁场的作为平行于第2方向的方向的分量的第2附加磁场分量，
所述第1方向和所述第2方向是所述基准平面内的互不相同的方向。


2.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，
所述第1磁场发生器和所述第2磁场发生器被包含于所述支撑体。


3.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，
所述第1磁敏方向平行于所述基准平面。


4.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，
所述第1磁场发生器包含被配置于互不相同的位置处的第1线圈和第2线圈，
所述第2磁场发生器包含被配置于互不相同的位置处的第3线圈和第4线圈。


5.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，
进一步具备第2磁传感器，用于检测所述外部磁场的作为第2磁敏方向的分量的第2外部磁场分量，
所述第2磁传感器被安装于所述基准平面上，
当通过所述第1磁场发生器产生所述第1附加磁场时，在所述第2磁传感器施加有所述第1附加磁场分量，
当通过所述第2磁场发生器产生所述第2附加磁场时，在所述第2磁传感器施加有所述第2附加磁场分量。


6.根据权利要求5所述的磁传感器装置，其特征在于，
所述第1磁敏方向和所述第2磁敏方向中的任一个均平行于所述基准平面。


7.根据权利要求5所述的磁传感器装置，其特征在于，
所述第1磁场发生器包含被配置于互不相同的位置处的第1线圈和第2线圈，
所述第2磁场发生器包含被配置于互不相同的位置处的第3线圈和第4线圈。


8.根据权利要求5所述的磁传感器装置，其特征在于，
进一步具备第3磁传感器，其用于检测所述外部磁场的作为第3磁敏方向的分量的第3外部磁场分量，
所述第3磁传感器被安装于所述基准平面上，
当通过所述第1磁场发生器产生所述第1附加磁场时，在所述第3磁传感器施加有所述第1附加磁场分量，
当通过所述第2磁场发生器产生所述第2附加磁场时，在所述第3磁传感器施加有所述第2附加磁场分量。...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部司也，平林启，奥津吉隆，吉田将规，
申请(专利权)人：TDK株式会社，旭化成微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP