微机电致冷器的制备方法及其结构以及致冷器系统技术方案

一种铁电薄／厚膜微机电致冷器的制备方法，其特征在于包括用作致冷片的ＰＭＮ－ＰＴ和ＰＳＴ－ＰＴ弛豫性外延铁电薄／厚膜的制备过程，以及铁电薄／厚膜微型微机电（ＭＥＭＳ）致冷器阵列的制备过程两个部分，其中：　　　　该弛豫性外延铁电薄／厚膜的制备过程又分为两个程序，一个是采用射频磁控溅射技术制备厚度为０．４～１μｍ的外延铁电薄膜，另一个是采用粉末Ｓｏｌ－Ｇｅｌ技术制备厚度为２～５０μｍ的０－３型外延铁电厚膜；。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及先进制造与自动化技术的微机电系统(MEMS)领域中的微机电致冷器，特别是涉及一种新型结构的铁电薄/厚膜MEMS致冷器的制备方法及其结构以及微型致冷器系统，这种微型冷却系统广泛应用于MEMS器件与系统、大规模集成电路(LSIC)芯片的局部致冷。
技术介绍
随着信息技术(IT)的发展，微机电系统(MEMS)在进一步向微型化、集成化和多功能化的发展过程中，其小尺寸特征(Miniaturization)及一定的体积热容，与微型驱动电源(或光电、光热、电磁、静电等其它激励手段)的高能量密度之间的矛盾愈显突出，MEMS系统需要微型冷却系统对芯片进行局部冷却，才能性能稳定、可靠地工作。便携式LSIC系统如笔记本电脑和移动PC的中央处理系统(CPU)等，也面临着与MEMS系统同样亟待解决的致冷问题。由于MEMS的微型化及所含微机械结构需与除电信号之外的各种物理量作用，MEMS的封装问题较为复杂。因此传统的致冷(或散热)方式如CPU风扇、热交换器等皆不适用于MEMS致冷，而降低环境温度对MEMS微局部的冷却效率也不高。故必须探索和研究能够与发热器件接触良好(最好是单片式制备在同一基片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李艳秋，刘少波，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：