包含放射近红外线的荧光体的面膜以及利用上述面膜的皮肤美容方法技术

本发明专利技术公开一种包含放射近红外线的荧光体的面膜以及利用上述面膜的皮肤美容方法。因为上述分散有放射近红外线的荧光体的面膜能够放射出近红外线，因此具有皮肤再生、伤口治疗、感染治疗、皱纹改善等效果。

Mask containing phosphor for near-infrared radiation and skin cosmetic method using the above mask

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含放射近红外线的荧光体的面膜以及利用上述面膜的皮肤美容方法
本专利技术涉及一种包含放射近红外线的荧光体的面膜以及利用上述面膜的皮肤美容方法。
技术介绍
最近，在全球范围内正在积极开展与LightTherapy即光照疗法相关的研究活动。其中，具有医学效果的近红外线区域为630nm至950nm的波长区域，在包括NASA以及哈佛医科大学论文在内的1,000余篇论文中已经指出了在上述区域中具有皮肤再生、伤口治疗、感染治疗以及皱纹改善等效果。此外，韩国的KAIST和盆唐首尔大学医院还利用其开发出了有机发光二极管(OLED)贴片，伤口治疗效果与目前相比提升了40％以上。此外，在美容行业还开发出了利用上述远红外线的发光二极管(LED)面膜进行销售。作为最具代表性的产品，LG电子的名为“DERMA”的发光二极管(LED)面膜正在市面上销售。但是，在上述内容中所提及的利用近红外线的有机发光二极管(OLED)贴片以及发光二极管(LED)面膜具有几个缺点。具体来讲，不仅需要消耗电力，而且在市面上销售的发光二极管(LED)面膜的平均价格高达的100万韩元，此外还因为需要消耗电力而导致重量较重且使用感不佳。为此，本专利技术人在为了解决如上所述的现有问题而潜心研究的过程中发现，能够通过将具有放射近红外线的固有特性的荧光体适用于现有的面罩或面膜包而轻易地开发出放射近红外线的面膜产品，从而完成了本专利技术。关于此，在大韩民国注册专利第10-1519854号中公开了一种远红外线放射水凝胶组合物以及包含上述水凝胶组合物的水凝胶面膜包。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术旨在解决如上所述的现有问题，适用本专利技术的一实施例提供一种包含放射近红外线的荧光体的面膜。适用本专利技术的另一实施例提供一种利用上述面膜的皮肤美容方法。本专利技术拟达成的技术课题并不限定于在上述内容中所提及的技术课题，具有本专利技术所属
之一般知识的人员能够通过下述记载进一步明确理解未被提及的其他技术课题。用于解决问题的方案作为用于达成如上所述的技术课题的技术手段，本专利技术的一方面，提供一种面膜，包括：面罩，分散有包含放射近红外线的荧光体的粉末或颗粒；其中，上述包含荧光体的粉末或颗粒包括核心荧光体以及外壳物质。从上述荧光体所放射出的光线的波长能够是630nm至950nm。上述荧光体的大小(size)能够是2nm至20μm。上述荧光体能够包括从由量子点、青色素、荧光素(fluorescein)、四甲基罗丹明(tetramethylrhodamine)、BODIPY、Alexa、Y2O2S:Eu、Y2O3:Eu、(Y,Gd)BO3:Eu及其上述之组合构成的组中选择的物质。上述量子点能够包括从由CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、CdHgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe；GaN、GaP、GaAs、GaSb、A1N、A1P、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、A1NP、AINAs、AINSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GalnNP、GalnNAs、GalnNSb、GalnPAs、GalnPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb；SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe；Si、Ge、SiC、SiGe、CdSe-ZnS、InP-ZnS及其上述之组合构成的组中选择的物质。上述量子点的大小能够是2nm至20nm。上述外壳物质能够包括从由硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、三甲基镓(tri-methyl-gallium)、醋酸镓(Galliumacetate)、氯化镓(Galliumchloride)、油酸镓(Galliumoleate)、硬脂酸镓(Galliumstearate)、硬脂酸锌(Zincstearate)、油酸锌(zincoleate)、醋酸锌(zincacetae)、二甲基锌(dimethylzinc)、二乙基锌(diethylzinc)、三正辛基硒化膦(tri-n-octylphosphineselenide)、三正丁基硒化膦(tri-n-butylphosphineselenide)、三正苯基硒化膦(trin-phenylphosphineselenide)、二正辛基硒化膦(tri-n-octylphosphineselenide)、二正丁基硒化膦(tri-n-butylphosphineselenide)、二正苯基硒化膦(tri-n-phenylphosphineselenide)、一正辛基硒化膦(tri-n-octylphosphineselenide)、一正丁基硒化膦(tri-n-butylphosphineselenide)、一正苯基硒化膦(tri-n-phenylphosphineselenide)、硒(Selenium)粉末、氧化硒(Seleniumdioxide)、硒代尿素(Seleno-urea)、辛烷硒醇(octaneselenol)、十二烷硒醇(dodecane-selenol)、三正辛基硫化膦(tri-n-octylphosphinesulfide)、三正丁基硫化膦(tri-n-butylphosphinesulfide)、三正苯基硫化膦(tri-nphenylphosphinesulfide)、二正辛基硫化膦(tri-n-octylphosphinesulfide)、二正丁基硫化膦(tri-n-butylphosphinesulfide)、二正苯基硫化膦(tri-n-phenylphosphinesulfide)、一正辛基硫化膦(tri-n-octylphosphinesulfide)、一正丁基硫化膦(tri-n-butylphosphinesulfide)、一正苯基硫化膦(tri-n-phenylphosphinesulfide)、硫粉末(elementalSulfurpowder)、硫氧化物(Sulfuroxide)、硫脲(thio-urea)、辛烷硫醇(octanethiol)、十二烷硫醇(dodecanethiol)及其上述之组合构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种面膜，其特征在于：/n包括：面罩，分散有包含放射近红外线的荧光体的粉末或颗粒；/n其中，上述包含荧光体的粉末或颗粒包括核心荧光体以及外壳物质。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181008 KR 10-2018-01200101.一种面膜，其特征在于：
包括：面罩，分散有包含放射近红外线的荧光体的粉末或颗粒；
其中，上述包含荧光体的粉末或颗粒包括核心荧光体以及外壳物质。


2.根据权利要求1所述的面膜，其特征在于：
从上述荧光体所放射出的光线的波长为630nm至950nm。


3.根据权利要求1所述的面膜，其特征在于：
上述荧光体的大小为2nm至20μm。


4.根据权利要求1所述的面膜，其特征在于：
上述荧光体包括从由量子点、青色素、荧光素、四甲基罗丹明、BODIPY、Alexa、Y2O2S:Eu、Y2O3:Eu、(Y,Gd)BO3:Eu及其上述之组合构成的组中选择的物质。


5.根据权利要求4所述的面膜，其特征在于：
上述量子点包括从由CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、CdHgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe；GaN、GaP、GaAs、GaSb、A1N、A1P、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、A1NP、AINAs、AINSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GalnNP、GalnNAs、GalnNSb、GalnPAs、GalnPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb；SnS、SnSe...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪寿廷，
申请(专利权)人：洪寿廷，
类型：发明
国别省市：韩国;KR