像素驱动电路、像素结构及显示面板制造技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，提出一种像素驱动电路、像素结构及显示面板，该像素驱动电路包括多个驱动晶体管，每个所述驱动晶体管的第一端连接第一电源端，第二端连接第一节点，控制端连接第二节点，用于在第二节点电压作用下向所述第一节点输入电流。显示面板的低像素密度区可以应用上述像素驱动电路，从而能够避免低像素密度区和高像素密度区之间的亮度差异。

Pixel driving circuit, pixel structure and display panel

【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路、像素结构及显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素驱动电路、像素结构及显示面板。
技术介绍
在相关技术中，为了实现手机等显示装置全面屏设计，通常将手机等显示装置的摄像头隐藏于显示面板的显示区内。隐藏有摄像头的显示区需要将其像素密度设置为小于正常显示区的像素密度以提高其透光率，从而有利于摄像头采集待拍摄物体的光线。然而，由于隐藏有摄像头的低像素密度区和正常显示的高像素密度区具有不同的像素密度，显示面板在显示画面时高像素密度区和低像素密度区会具有不同显示亮度。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分专利技术的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种像素驱动电路、像素结构及显示面板。该显示面板能够解决相关技术中显示面板亮度分布不均匀的技术问题。本专利技术的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。根据本专利技术的一个方面，提供一种像素驱动电路，该像素驱动电路包括多个驱动晶体管，每个所述驱动晶体管的第一端连接第一电源端，第二端连接第一节点，控制端连接第二节点，用于在第二节点电压作用下向所述第一节点输入电流。本专利技术的一种示例性实施例中，该像素驱动电路还包括：第一开关电路、数据写入电路、补偿电路、第二开关电路、存储电路、第一复位电路、第二复位电路、发光单元。第一开关电路连接所述第一电源端、每个所述驱动晶体管的第一端、使能信号端，用于响应于所述使能信号端的信号以导通所述第一电源端和每个所述驱动晶体管的第一端；数据写入电路连接每个所述驱动晶体管的第一端、数据信号端、栅极信号端、用于响应所述栅极信号端的信号将所述数据信号端的信号传输到每个所述驱动晶体管的第一端；补偿电路连接所述第一节点、第二节点、栅极信号端，用于响应所述栅极信号端的信号导通所述第一节点和第二节点；第二开关电路连接所述第一节点、使能信号端、第三节点，用于响应所述使能信号端的信号将所述第二节点的信号传输到所述第三节点；存储电路连接于所述第二节点和所述第一电源端之间，用于存储所述第二节点的电压；第一复位电路连接第二节点、初始信号端、复位信号端，用于响应所述复位信号端的信号将所述初始信号端的信号传输到所述第二节点；第二复位电路连接第三节点、初始信号端、复位信号端，用于响应所述复位信号端的信号将所述初始信号端的信号传输到所述第三节点；发光单元连接于所述第三节点和第二电源端之间。本专利技术的一种示例性实施例中，所述第一开关电路包括第一晶体管，第一晶体管的第一端连接所述第一电源端，第二端连接每个所述驱动晶体管的第一端，控制端连接使能信号端；所述数据写入电路包括第二晶体管，第二晶体管的第一端连接所述数据信号端，第二端连接每个所述驱动晶体管的第一端，控制端连接所述栅极信号端；所述补偿电路包括第三晶体管，第三晶体管的第一端连接所述第一节点，第二端连接所述第二节点，控制端连接所述栅极信号端；所述第二开关电路包括第四晶体管，第四晶体管的第一端连接所述第一节点，第二端连接所述第三节点，控制端连接所述使能信号端；所述存储电路包括电容，电容连接于所述第二节点和所述第一电源端之间；所述第一复位电路包括第五晶体管，第五晶体管的第一端连接所述第二节点，第二端连接所述初始信号端，控制端连接所述复位信号端；所述第二复位电路包括第六晶体管，第六晶体管的第一端连接所述第三节点，第二端连接所述初始信号端，控制端连接所述复位信号端；所述发光单元包括发光二极管，发光二极管连接于所述第三节点和第二电源端之间。本专利技术的一种示例性实施例中，所述像素驱动电路还包括第七晶体管、第八晶体管、电容、发光单元。第七晶体管的第一端连接数据信号端，第二段连接所述第二节点，控制端连接第一栅极信号端；第八晶体管的第一端连接感测信号端，第二端连接所述第一节点，控制端连接第二栅极信号端；电容连接于所述第一节点和第二节点之间；发光单元连接于所述第一节点和第二电源端之间。根据本专利技术的一个方面，提供一种像素结构，该像素结构包括上述的像素驱动电路。本专利技术的一种示例性实施例中，所述像素驱动电路包括电容；每个所述驱动晶体管包括栅极部，多个所述栅极部共同形成所述电容的一个电极。本专利技术的一种示例性实施例中，所述像素结构包括栅极层、源漏层以及位于所述栅极层和源漏层之间的导电层，部分所述导电层形成所述电容的另一电极。本专利技术的一种示例性实施例中，所述像素结构包括数据线，所述数据线沿第一方向延伸；多个所述驱动晶体管沿所述第一方向依次并列分布。根据本专利技术的一个方面，提供一种显示面板，包括低像素密度区和高像素密度区，所述低像素密度区设置有上述的像素驱动电路。本专利技术的一种示例性实施例中，所述显示面板的显示区包括所述高像素密度区的像素密度是低像素密度区像素密度的n倍，且所述高像素密度区内的像素驱动电路与所述低像素密度区内的像素驱动电路具有相同的架构；所述高像素密度区中的像素驱动电路包括m个驱动晶体管，所述低像素密度区中像素驱动电路包括n2m个驱动晶体管；在所述高像素密度区，像素驱动电路中电容的电容值为p，在所述低像素密度区，像素驱动电路电容的电容值为n2p；且，所述高像素密度区和低像素密度区中驱动晶体管的尺寸相同。本专利技术的一种示例性实施例中，在所述高像素密度区中，像素驱动电路包括一个驱动晶体管。本公开提出一种像素驱动电路、像素结构及显示面板，该像素驱动电路包括多个驱动晶体管，每个所述驱动晶体管的第一端连接第一电源端，第二端连接第一节点，控制端连接第二节点，用于在第二节点电压作用下向所述第一节点输入电流。其中，第一节点与发光单元连接。该像素驱动电路在不改变驱动晶体管尺寸和像素驱动电路第一电源端电压的情况下，通过设置多个驱动晶体管，增加了输入到第一节点的电流，从而提高了发光单元的亮度。本公开提供的显示面板在其低像素密度区设置上述像素驱动电路，从而能够避免低像素密度区和高像素密度区之间的亮度差异。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为相关技术中一种像素驱动电路的结构示意图；图2为图1像素驱动电路中部分节点的时序图；图3为本公开像素驱动电路一种示例性实施例的结构示意图；图4为本公开像素驱动电路另一种示例性实施例的结构示意图；图5为本公开像素驱动电路另一种示例性实施例的结构示意图；图6为本公开像素结构一种示例性实施例的结构示意图；图7为本公开像素结构一种示例性实施例中有源层的结构示意图；图8为本公开像素结构一种示例性实施例中栅极层的结构示意图；...

【技术保护点】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：/n多个驱动晶体管，每个所述驱动晶体管的第一端连接第一电源端，第二端连接第一节点，控制端连接第二节点，用于在第二节点电压作用下向所述第一节点输入电流。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：
多个驱动晶体管，每个所述驱动晶体管的第一端连接第一电源端，第二端连接第一节点，控制端连接第二节点，用于在第二节点电压作用下向所述第一节点输入电流。


2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括：
第一开关电路，连接所述第一电源端、每个所述驱动晶体管的第一端、使能信号端，用于响应于所述使能信号端的信号以导通所述第一电源端和每个所述驱动晶体管的第一端；
数据写入电路，连接每个所述驱动晶体管的第一端、数据信号端、栅极信号端、用于响应所述栅极信号端的信号将所述数据信号端的信号传输到每个所述驱动晶体管的第一端；
补偿电路，连接所述第一节点、第二节点、栅极信号端，用于响应所述栅极信号端的信号导通所述第一节点和第二节点；
第二开关电路，连接所述第一节点、使能信号端、第三节点，用于响应所述使能信号端的信号将所述第一节点的信号传输到所述第三节点；
存储电路，连接于所述第二节点和所述第一电源端之间，用于存储所述第一节点的电压；
第一复位电路，连接第二节点、初始信号端、复位信号端，用于响应所述复位信号端的信号将所述初始信号端的信号传输到所述第二节点；
第二复位电路，连接第三节点、初始信号端、复位信号端，用于响应所述复位信号端的信号将所述初始信号端的信号传输到所述第三节点；
发光单元，连接于所述第三节点和第二电源端之间。


3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，
所述第一开关电路包括：
第一晶体管，第一端连接所述第一电源端，第二端连接每个所述驱动晶体管的第一端，控制端连接使能信号端；
所述数据写入电路包括：
第二晶体管，第一端连接所述数据信号端，第二端连接每个所述驱动晶体管的第一端，控制端连接所述栅极信号端；
所述补偿电路包括：
第三晶体管，第一端连接所述第一节点，第二端连接所述第二节点，控制端连接所述栅极信号端；
所述第二开关电路包括：
第四晶体管，第一端连接所述第一节点，第二端连接所述第三节点，控制端连接所述使能信号端；
所述存储电路包括：
电容，连接于所述第二节点和所述第一电源端之间；
所述第一复位电路包括：
第五晶体管，第一端连接所述第二节点，第二端连接所述初始信号端，控制端连接所述复位...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘利宾，冯宇，史世明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11