【技术实现步骤摘要】
具有管芯上组合节点结构的一体成型的多路径功率放大器
本文中所描述的主题的实施例大体上涉及多路径功率放大器，且更具体地说，涉及多尔蒂(Doherty)功率放大器。
技术介绍
典型的多尔蒂功率放大器(PA)包括用以接收和划分输入射频(RF)信号的信号分离器、用以放大来自分离器的第一信号的主放大器、用以放大来自分离器的第二信号的峰值放大器、用以组合来自主放大器和峰值放大器的放大后的信号的信号组合器，及用以确保放大后的信号同相组合且所需阻抗存在于多尔蒂PA的各个点处的各种阻抗变换和相位延迟元件。信号分离器和信号组合器通常实施于印刷电路板(PCB)衬底上，并且主放大器和峰值放大器使用以物理方式耦合到PCB衬底的一个或多个离散封装的装置来实施。在现代无线4G和5G通信系统中，RF功率放大器的设计变得更复杂。这些系统中的一些需要PA在非常低的功率输出回退(例如，8到12分贝(dB))下操作以获得良好的线性度，同时限制与高峰值平均功率比相关联的信号压缩并实现高功率增加效率。多尔蒂PA和倒置的多尔蒂PA配置在无线基站中仍然流行。然而，...
【技术保护点】
1.一种多路径放大器(100，200)，其特征在于，包括：/n半导体管芯(201)；/n射频RF信号输入端子(202)；/n组合节点结构(290)，其与所述半导体管芯(201)一体成型；/n第一放大器(220)，其与所述半导体管芯(201)一体成型，其中所述第一放大器(220)的输入(225)电耦合到所述RF信号输入端子(202)：/n多个接合线(238)，其连接于所述第一放大器(220)的输出(231)与所述组合节点结构(290)之间；及/n第二放大器(240′，240″)，其与所述半导体管芯(201)一体成型，其中所述第二放大器(240′，240″)的输入(245′，2...
【技术特征摘要】
20181205 EP 18306616.61.一种多路径放大器(100，200)，其特征在于，包括：
半导体管芯(201)；
射频RF信号输入端子(202)；
组合节点结构(290)，其与所述半导体管芯(201)一体成型；
第一放大器(220)，其与所述半导体管芯(201)一体成型，其中所述第一放大器(220)的输入(225)电耦合到所述RF信号输入端子(202)：
多个接合线(238)，其连接于所述第一放大器(220)的输出(231)与所述组合节点结构(290)之间；及
第二放大器(240′，240″)，其与所述半导体管芯(201)一体成型，其中所述第二放大器(240′，240″)的输入(245′，245″)电耦合到所述RF信号输入端子(202)，并且所述第二放大器(240′，240″)的输出(251′，251″)电耦合到所述组合节点结构(290)。
2.根据权利要求1所述的多路径放大器，其特征在于，所述组合节点结构(290)包括暴露在半导体管芯(201)的顶部表面处的细长导电接合衬垫。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的多路径放大器，其特征在于，所述第二放大器(240′，240″)的所述输出(251′，251″)运用具有可忽略的相位延迟的导电路径连接到所述组合节点结构(290)。
4.根据在前的任一项权利要求所述的多路径放大器，其特征在于，所述第一放大器(220)的所述输出(231)与所述第二放大器(240′，240″)的所述输出(251′，251″)之间的相位延迟基本上等于90度。
5.根据权利要求4所述的多路径放大器，其特征在于，进一步包括耦合在所述第一放大器(220)的所述输出(231)与接地参考之间的一个或多个电容器(239)，其中所述第一放大器(220)的所述输出(231)与所述第二放大器(240′，240″)的所述输出(251′，251″)之间的所述相位延迟由CLC拓扑产生，所述CLC拓扑包括所述第一放大器(220)的所述输出(231)处的漏极-源极电容、所述一个或多个电容器(239)的电容、所述多个接合线(238)的电感，和所述第二放大器(240′，240″)的所述输出(251′，251″)处的漏极-源极电容的至少一部分。
6.根据在前的任一项权利要求所述的多路径放大器，其特征在于，所述半导体管芯(201)包括基础半导体衬底(310)，所述基础半导体衬底具有在约1000ohm/cm到约100,000ohm/cm或更大的范围中的体电阻率。
7.根据在前的任一项权利要求所述的多...
【专利技术属性】
技术研发人员：格扎维埃·于埃，玛格丽特·A·斯马诺夫斯基，傅欣，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。