一种电能质量装置的存储系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种电能质量装置的存储系统，包括CPU、Nor Flash、DDR3、eMMC、铁电存储器；其中，所述Nor Flash的输入/输出端与所述CPU的第一输入/输出端连接，所述DDR3的输入/输出端与所述CPU的第二输入/输出端连接，所述eMMC的输入/输出端与所述CPU的第三输入/输出端连接，所述铁电存储器的输入/输出端与所述CPU的第四输入/输出端连接。本实用新型专利技术通过使用多种存储介质的组合，按功能和数据重要程度来独立存储数据，使电能质量装置运行更稳定，数据存储更可靠。

A storage system of power quality device

【技术实现步骤摘要】
一种电能质量装置的存储系统
本技术涉及数据存储
，尤其涉及一种电能质量装置的存储系统。
技术介绍
目前，随着电网的快速发展，用户用电的需求增大且对电能质量的要求越来越高，使得电能质量装置得到广泛应用。电能质量装置在电网当中主要进行电能质量的监测，由于电网属于工业环境，现场电磁兼容(EMC)环境较复杂，导致电能质量装置在监测时会产生大量的波形文件和PQ数据，使得现有的电能质量装置在运行时会出现内部程序和存储数据相互冲突和混乱的现象，所以一个可靠稳定的存储系统显得尤为重要。
技术实现思路
本技术实施例的目的是提供一种电能质量装置的存储系统，通过使用多种存储介质的组合，按功能和数据重要程度来独立存储数据，使电能质量装置运行更稳定，数据存储更可靠。为实现上述目的，本技术一实施例提供了一种电能质量装置的存储系统，包括CPU、NorFlash、DDR3、eMMC、铁电存储器；其中，所述NorFlash的输入/输出端与所述CPU的第一输入/输出端连接，所述DDR3的输入/输出端与所述CPU的第二输入/输出端连接，所述eMMC的输入/输出端与所述CPU的第三输入/输出端连接，所述铁电存储器的输入/输出端与所述CPU的第四输入/输出端连接。优选地，所述NorFlash通过第一SPI接口与所述CPU进行数据交互。优选地，所述DDR3通过DDR3控制器与所述CPU进行数据交互。优选地，所述eMMC通过MMC接口与所述CPU进行数据交互。优选地，所述铁电存储器通过第二SPI接口与所述CPU进行数据交互。与现有技术相比，本技术实施例所提供的一种电能质量装置的存储系统，通过使用多种存储介质的组合，按功能和数据重要程度来独立存储数据，从而使电能质量装置的数据存储更独立和重要参数存储更可靠。附图说明图1是本技术一实施例提供的一种电能质量装置的存储系统的结构示意图；图2是本技术另一实施例提供的一种电能质量装置的存储系统的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。参见图1，是本技术一实施例提供的一种电能质量装置的存储系统的结构示意图，所述存储系统包括CPU、NorFlash、DDR3、eMMC、铁电存储器；其中，所述NorFlash的输入/输出端与所述CPU的第一输入/输出端连接，所述DDR3的输入/输出端与所述CPU的第二输入/输出端连接，所述eMMC的输入/输出端与所述CPU的第三输入/输出端连接，所述铁电存储器的输入/输出端与所述CPU的第四输入/输出端连接。具体地，存储系统包括CPU、NorFlash、DDR3、eMMC、铁电存储器；其中，NorFlash的输入/输出端与CPU的第一输入/输出端连接，DDR3的输入/输出端与CPU的第二输入/输出端连接，eMMC的输入/输出端与CPU的第三输入/输出端连接，铁电存储器的输入/输出端与CPU的第四输入/输出端连接。CPU采用OMAPL138，工业级运行温度，带有第一SPI接口、第二SPI接口、DDR3控制器、MMC接口。一般地，NorFlash为串行NorFlash，其作用主要是存储电能质量装置的装置程序，即整机运行程序。在电能质量装置上电启动时，CPU能从串行NorFlash中读取整机运行程序。DDR3的作用主要是为电能质量装置的正常运行提供程序运行空间。eMMC用于存放电能质量装置在监测时产生的波形记录和其他监测数据，例如谐波数据等。铁电存储器又称FRAM，其主要用于存放电能质量装置中重要的配置参数和运行参数，例如PT变比、CT变比等。本技术该实施例提供的一种电能质量装置的存储系统，通过使用多种存储介质的组合，按功能和数据重要程度来独立存储数据，从而使电能质量装置的数据存储更独立和重要参数存储更可靠。作为上述方案的改进，所述NorFlash通过第一SPI接口与所述CPU进行数据交互。具体地，参见图2，是本技术另一实施例提供的一种电能质量装置的存储系统的结构示意图。由图2可知，NorFlash通过第一SPI接口与CPU进行数据交互。串行NorFlash采用W25Q256JV，工业级运行温度，容量32MB，内部每扇区的读写寿命高达10万次，数据写入后的保持时间高达20年，在存储系统中用于存放电能质量装置的装置程序，通过第一SPI接口与CPU进行数据交互。作为上述方案的改进，所述DDR3通过DDR3控制器与所述CPU进行数据交互。具体地，由图2可知，DDR3通过DDR3控制器与CPU进行数据交互。DDR3由4片256MB的MT41J256M8DDR3芯片组成，总容量为1GB，工业级运行温度，在存储系统中用于提供程序的运行空间，通过DDR3控制器与CPU进行数据交互。作为上述方案的改进，所述eMMC通过MMC接口与所述CPU进行数据交互。具体地，由图2可知，eMMC通过MMC接口与CPU进行数据交互。eMMC采用MTFC4GACA，工业级运行温度，容量为4GB，在存储系统中用于存储电能质量装置在监测时产生的波形文件和其他PQ数据，通过MMC接口与CPU进行数据交互。此外，可以根据电能质量装置监测产生的数据量对eMMC的容量进行调整，通过选取不同容量的eMMC器件来达到。作为上述方案的改进，所述铁电存储器通过第二SPI接口与所述CPU进行数据交互。具体地，由图2可知，铁电存储器通过第二SPI接口与CPU进行数据交互。铁电存储器采用FM25V02-G，工业级运行温度，容量为32KB，读写寿命高达100万亿次，数据写入后的保持时间高达150年，在存储系统中用于保存重要的配置参数和运行参数，通过第二SPI接口与CPU进行数据交互。综上，本技术实施例所提供的一种电能质量装置的存储系统，通过使用多种存储介质的组合，按功能和数据重要程度来独立存储不同类型数据，从而使电能质量装置的数据存储更独立和重要参数存储更可靠，并且可以根据电能质量装置的监测数据量大小对存储介质进行扩容。该存储系统能提高电能质量装置在工业复杂EMC环境下运行的可靠性和稳定性，使重要的配置参数和运行参数不丢失，并能记录大量的波形文件和PQ数据。以上所述是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电能质量装置的存储系统，其特征在于，包括CPU、Nor Flash、DDR3、eMMC、铁电存储器；其中，所述Nor Flash的输入/输出端与所述CPU的第一输入/输出端连接，所述DDR3的输入/输出端与所述CPU的第二输入/输出端连接，所述eMMC的输入/输出端与所述CPU的第三输入/输出端连接，所述铁电存储器的输入/输出端与所述CPU的第四输入/输出端连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种电能质量装置的存储系统，其特征在于，包括CPU、NorFlash、DDR3、eMMC、铁电存储器；其中，所述NorFlash的输入/输出端与所述CPU的第一输入/输出端连接，所述DDR3的输入/输出端与所述CPU的第二输入/输出端连接，所述eMMC的输入/输出端与所述CPU的第三输入/输出端连接，所述铁电存储器的输入/输出端与所述CPU的第四输入/输出端连接。


2.如权利要求1所述的电能质量装置的存储系统，其特征在于，所述NorF...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桓瑞，丁泽俊，
申请(专利权)人：南方电网科学研究院有限责任公司，中国南方电网有限责任公司，
类型：新型
国别省市：广东;44