【技术实现步骤摘要】
一种减少NANDFLASH擦写次数的方法及系统
本申请涉及数据存储
，尤其涉及一种减少NANDFLASH擦写次数的方法及系统。
技术介绍
NAND闪存(NANDFLASH，NANDFLASH)是一种FLASH存储器，具有容量较大、改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因此，得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MPS随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。但是，由于制造工艺的原因，NANDFLASH的擦写次数是有限制的，例如目前市面上的SLCNANDFLASH的擦写次数一般在3000-6000次，MLCNANDFLASH的擦写次数一般只有几百次，还用过程中超过NANDFLASH的擦写次数就会形成坏块。如果电子设备在配置数据每次做出修改后都要擦写一次NANDFLASH，会造成NANDFLASH的频繁擦写，形成坏块，导致配置数据无法保存，造成电子设备故障，减少NANDFLASH的使用时间。基于此，如何在电子设备的配置数据修改后通过擦写的方式存储在NANDFLASH的基础上，合理的减少NAND...
【技术保护点】
1.一种减少NAND闪存NAND FLASH擦写次数的方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取电子设备的外部电源的工作状态；/n在所述外部电源的工作状态为断电状态下，确定所述电子设备的临时存储介质中的配置数据，与所述电子设备的NANDFLASH中的配置数据是否一致；/n在所述临时存储介质中的配置数据与所述NANDFLASH中的配置数据不一致的情况下，将所述临时存储介质中的配置数据写入所述NAND FLASH。/n
【技术特征摘要】
1.一种减少NAND闪存NANDFLASH擦写次数的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取电子设备的外部电源的工作状态；
在所述外部电源的工作状态为断电状态下，确定所述电子设备的临时存储介质中的配置数据，与所述电子设备的NANDFLASH中的配置数据是否一致；
在所述临时存储介质中的配置数据与所述NANDFLASH中的配置数据不一致的情况下，将所述临时存储介质中的配置数据写入所述NANDFLASH。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取电子设备的外部电源的工作状态，具体包括：
获取所述电子设备的外部电源的输出电压；
根据所述外部电源的输出电压确定所述外部电源的工作状态。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将临时存储介质中的配置数据写入所述NANDFLASH，具体包括：
将所述临时存储介质中的配置数据，写入所述NANDFLASH的主数据块；以及
将所述临时存储介质中的配置数据，写入所述NANDFLASH的备用数据块。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述临时存储介质中的配置数据与所述NANDFLASH中的配置数据不一致的情况下，所述方法还包括：
在所述临时存储介质中的配置数据，与所述NANDFLASH中的配置数据不一致的情况下，更新所述NANDFLASH的写入次数；
并将更新后的写入次数与临时存储介质中的配置数据一并写入所述NANDFLASH的主数据块和备用数据块中。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述电子设备开机过程中，所述主控模块获取所述NANDFLASH的主数据块和备用数据块中的配置数据；
判断所述主数据块中的配置数据以及备用数据块中的配置数据是否有效；
在所述主数据块中的配置数据与备用数据块中的配置数据均有效的情况下，比较所述主数据块中的写入次数与所述备用数据块中的写入次数；
在所述主数据块中的写入次数大于所述备用数据块中的写入次数的情况下，根据所述主数据块中的配置数据进行开机操作；
在所述主数据块中的写入次数小于备用数据块中的写入次数的情况下，根据所述备用数据块中的配置数据进行开机操作。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述主数据块中的配置数据无效的情况下，根据所述备用数据块中的配置数据进行开机操作；
在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张瑞金，刘强，孙志正，
申请(专利权)人：济南浪潮高新科技投资发展有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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