用于半导体设备的过压保护装置、方法及异常检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于半导体设备的过压保护装置、方法及异常检测方法，该过压保护装置包括过压保护单元，该过压保护单元连接于反应腔室和尾气处理装置之间；还包括：气体输送单元，与过压保护单元所在气路的上游位置连接，用于向过压保护单元所在气路通入流量为第一流量值的气体；流量检测单元，与过压保护单元所在气路的下游位置连接，用于检测过压保护单元输出的第二流量值。本发明专利技术提供的用于半导体设备的过压保护装置，其能够检测过压保护单元是否异常，以确保在进行正常工艺时过压保护单元能够发挥作用，从而降低了设备风险。

Overvoltage protection device, method and abnormal detection method for semiconductor equipment

【技术实现步骤摘要】
用于半导体设备的过压保护装置、方法及异常检测方法
本专利技术涉及半导体加工
，具体地，涉及一种用于半导体设备的过压保护装置、过压保护异常检测方法和过压保护方法。
技术介绍
在化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，以下简称CVD)设备中，气体输运和控制系统是保证向反应腔室及时和准确输运反应气体的系统。它主要有管道、流量计和各种阀门等组成。其中，反应腔室中的气体需要通过排气管路排入尾气处理器，然后经过尾气处理器处理后排放到大气中。在实际应用中，为了避免腔室压力过高损坏反应腔室，通常在排气设备中配置有过压保护装置。在反应腔室的压力正常时，尾气通过排气管路排入尾气处理器，一旦腔室压力大于指定阈值(例如820Torr)，排气管路上的球阀关闭，此时过压保护气路发挥作用，能够将尾气排入尾气处理器。但是，在CVD外延工艺中，过压保护装置有可能出现异常，例如过压保护装置中的单向阀出现阻塞现象，在这种情况下，过压保护装置无法正常工作，一旦腔室压力过高，很容易造成反应腔室碎裂。专利技术内容本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体设备的过压保护装置，包括过压保护单元，所述过压保护单元连接于反应腔室和尾气处理装置之间；其特征在于，还包括：/n气体输送单元，与所述过压保护单元所在气路的上游位置连接，用于向所述过压保护单元所在气路通入流量为第一流量值的气体；/n流量检测单元，与所述过压保护单元所在气路的下游位置连接，用于检测所述过压保护单元输出的第二流量值。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体设备的过压保护装置，包括过压保护单元，所述过压保护单元连接于反应腔室和尾气处理装置之间；其特征在于，还包括：
气体输送单元，与所述过压保护单元所在气路的上游位置连接，用于向所述过压保护单元所在气路通入流量为第一流量值的气体；
流量检测单元，与所述过压保护单元所在气路的下游位置连接，用于检测所述过压保护单元输出的第二流量值。


2.根据权利要求1所述的用于半导体设备的过压保护装置，其特征在于，所述气体输送单元包括：
气源；
第一气路，所述第一气路的进气端与所述气源连接，出气端与所述过压保护单元所在气路的上游位置连接；
第一通断开关和限流器，所述第一通断开关和所述限流器设置在所述第一气路上，所述限流器用于将所述第一气路的流量限定在所述第一流量值。


3.根据权利要求2所述的用于半导体设备的过压保护装置，其特征在于，所述第一通断开关为气动通断阀或电动通断阀。


4.根据权利要求1所述的用于半导体设备的过压保护装置，其特征在于，所述流量检测单元为流量计。


5.根据权利要求1-4任意一项所述的用于半导体设备的过压保护装置，其特征在于，所述过压保护单元包括分别与所述反应腔室和尾气处理装置连接的第二气路，以及设置在所述第二气路上的第二通断开关和单向阀。


6.根据权利要求5所述的用于半导体设备的过压保护装置，其特征在于，所述第二通断开关为气动通断阀或电动通断阀。


7.一种过压保护异常检测方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈路路，赵海洋，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11