一种光响应型抗再沉淀剂及其制备方法和用途技术

本发明专利技术提供了一种光响应型抗再沉淀剂及其制备方法和用途，以及制备该抗再沉淀剂的原料。所述抗再沉淀剂为特殊结构的取代偶氮苯。该抗再沉淀剂具有良好的抗再沉淀性，引入的氮氮双键使其具有光刺激响应性，也易于被检测。

A photoresponsive anti redeposition agent and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种光响应型抗再沉淀剂及其制备方法和用途
本专利技术属于洗涤化学品领域，具体涉及一种光响应型抗再沉淀剂及其制备方法和用途。
技术介绍
洗涤化学品领域的抗再沉淀剂具有抗再沉积和抗絮凝能力，以及良好的分散和悬浮性能，一般需要带有丰富的电荷，与织物、污垢之间具有较好的亲和力，使其能吸附在污垢粒子及织物的表面上，而目前的在售的抗沉淀剂难以达到这种效果。偶氮苯作为一种光敏性分子，在染料领域获得了广泛的应用。偶氮苯型非离子表面活性剂通过偶氮苯分子的光致异构化，利用顺反式构型空间位阻的差异，改变了在染料液膜表面排列的紧密程度，可以实现低浓度、高稳泡的效果。但尝试将偶氮苯与聚合物结合，并将其应用在洗涤化学品领域时，会发现其泡沫偏高，稳泡效果不佳，这也限制了偶氮苯无法实际应用在洗涤化学品领域。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有技术存在的问题，提供一种特殊结构的取代偶氮苯抗再沉淀剂，该抗再沉淀剂高支化度提供了抗再沉淀的性能，同时引入的氮氮双键具有刺激响应性。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光响应型抗再沉淀剂，其特征在于，所述抗再沉淀剂为特殊的取代偶氮苯，具有如下结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种光响应型抗再沉淀剂，其特征在于，所述抗再沉淀剂为特殊的取代偶氮苯，具有如下结构：



其中，R101-R110独立地选自H、NH2、NHR1、NR1R1中的任一种，且R101-R110中至少1个带有R1，优选R101-R110中至少1个选自NR1R1，更优选R101-R110全部选自NR1R1；
其中，m为0～150的整数，n为0～150的整数，且m和n中至少1个不为0；
当R101-R110选自NR1R1时，两个R1中的m和n可以相同或不同。


2.一种制备权利要求1所述抗再沉淀剂的方法，其特征在于，所述方法包含以下制备步骤：
S1：氨基苯化合物加入氧化剂氧化耦合，反应获得氨基取代偶氮苯；
S2：以氨基取代偶氮苯为起始剂，加入环氧化物，反应得到所述抗再沉淀剂。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，S1中所述氨基苯化合物为单氨基苯和/或多氨基苯，但不单独使用单氨基苯，且使用单氨基苯和多氨基苯混合物时，多氨基苯的摩尔量大于单氨基苯的摩尔量；
和/或，所述氧化剂为碳酸银、氧化银-氧化亚银、高锰酸银、二氧化锰、高锰酸钾铜联吡啶、氯化钌-双氧水混合物和氧化汞-碘(HgO-I2)中的一种或多种，优选氧化汞-碘(HgO-I2)；
和/或，所述氨基苯化合物与氧化剂的摩尔比为1：(0.8-1.2)，优选1：(0.9-1.1)；
和/或，所述氨基取代偶氮苯含有至少1个NH2基团。


4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述S1中氨基苯化合物加入氧化剂氧化耦合的反应结束后，经沉淀析出、过滤、洗涤，干燥、提纯获得氨基取代偶氮苯；
优选的，所述反应的气氛为氮气；
优选的，所述提纯方法为柱层析分离；
和/或，所述氧化反应温度为25-120℃，优选40-80℃；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦承群，刘斌，殷玲，叶天，李付国，刘洋，石正阳，黎源，
申请(专利权)人：万华化学集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37