一种半导体设备及其晶圆传输腔室和晶圆传输方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体设备及其晶圆传输腔室和晶圆传输方法，其中晶圆传输腔室包括，抽气组件，用于从所述腔室本体中抽气；标记检测组件，位于所述腔室本体中，用于检测晶圆上的对准标记；定位校准组件，位于所述腔室本体中，用于承载晶圆，带动晶圆旋转，并在所述标记检测组件检测到所述对准标记后，逐渐停止旋转，使晶圆停止在一预设位置处。本发明专利技术的有益效果在于，在对晶圆传输腔室抽真空的过程中通过标记检测组件检测晶圆的对位标记，通过定位校准组件实现对晶圆的定位校准，将原来分步进行的步骤(晶圆定位校准和腔室抽真空)合并在一个步骤中同时进行，缩短了晶圆的传输时间，提高了机台的使用效率。

A semiconductor device and its wafer transfer cavity and wafer transfer method

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备及其晶圆传输腔室和晶圆传输方法
本专利技术涉及半导体设备领域，更具体地，涉及一种半导体设备及其晶圆传输腔室和晶圆传输方法。
技术介绍
随着微电子技术的迅猛发展，晶圆加工的关键尺寸逐渐减小，而晶圆加工的复杂程度却不断增加，这使得晶圆加工的总体周期不断变长。为了更加快速地得到客户需要的晶圆产品，在不影响晶圆加工工艺的前提下，如何有效地较少晶圆的总体加工时间成为了提高晶圆加工效率的关键。晶圆的总体加工时间包括晶圆的工艺时间和晶圆的传输时间。因此，晶圆传输时间的提升对晶圆加工效率的提升十分重要。等离子刻蚀机是晶圆加工过程中的重要组成部分，晶圆传输时间长短直接影响机台腔室的使用效率。目前，晶圆传输系统主要由大气传输模块、大气真空交换模块、真空传输模块组成。晶圆在大气端传输过程中需要经过位置校准装置进行位置校准，之后才会进入大气真空交换模块，最后进入真空端。晶圆在大气端停留时间较长(需要进行位置校准)，这会很大的增加晶圆的总体传输时间，进而影响晶圆的传输效率。因此，如何减少晶圆在机台上的传输时间，是目前面临的主要问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备中的晶圆传输腔室，包括腔室本体，其特征在于，还包括：/n抽气组件，用于从所述腔室本体中抽气；/n标记检测组件，位于所述腔室本体中，用于检测晶圆上的对准标记；/n定位校准组件，位于所述腔室本体中，用于承载晶圆，带动晶圆旋转，并在所述标记检测组件检测到所述对准标记后，逐渐停止旋转，使晶圆停止在一预设位置处。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备中的晶圆传输腔室，包括腔室本体，其特征在于，还包括：
抽气组件，用于从所述腔室本体中抽气；
标记检测组件，位于所述腔室本体中，用于检测晶圆上的对准标记；
定位校准组件，位于所述腔室本体中，用于承载晶圆，带动晶圆旋转，并在所述标记检测组件检测到所述对准标记后，逐渐停止旋转，使晶圆停止在一预设位置处。


2.根据权利要求1所述的晶圆传输腔室，其特征在于，还包括晶圆传感器，位于所述腔室本体中，用于检测所述定位校准组件上是否放置有晶圆。


3.根据权利要求2所述的晶圆传输腔室，其特征在于，所述晶圆传感器包括光电式接近开关或超声波式接近开关。


4.根据权利要求1所述的晶圆传输腔室，其特征在于，所述对准标记为设置在晶圆边缘的缺口。


5.根据权利要求4所述的晶圆传输腔室，其特征在于，所述标记检测组件包括相对设置的激光发射器和激光接收器，所述激光发射器和所述激光接收器中的一个设置于所述腔室本体的顶壁，另一个设于所述腔室本体的底壁。


6.根据权利要求1-5任一项所述的晶圆传输腔室，其特征在于，所述定位校准组件包括：设置于所述腔室底壁上的可旋转的支撑柱，以及与所述支撑柱固定连接并沿所述支撑柱周向分布的多个支撑杆，每个所述支撑杆的端部均设置有支撑垫。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张德群，陈国动，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11