电子设备的后盖及电子设备制造技术

本实用新型专利技术实施例提供一种电子设备的后盖及电子设备，所述电子设备的后盖包括叠加设置的N层介质层，所述N层介质层的介电常数不同，所述N为大于或等于三的正整数，所述N层介质层的介电常数递增。通过本实用新型专利技术实施例提出的电子设备的后盖，可以减少后盖对天线性能的影响，使得后盖透射的天线信号的能力提升。

Back cover and electronic equipment of electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
电子设备的后盖及电子设备
本技术实施例涉及电子设备
，尤其涉及一种电子设备的后盖及电子设备。
技术介绍
对于5G毫米波电子设备来说，目前主流的方案是采用封装天线(Antennainpackage，AIP)的形式，即把毫米波的阵列天线、射频集成电路(RadiaoFrquencyIntergartedCircuit，RFIC)以及电源管理集成电路(PowerManagementIntergartedCircuit，PMIC)集成在一个模块内，然后把一个或多个集成的模块置入手机等移动终端内部。这时候，手机等电子设备的后盖对毫米波天线的性能影响很大，如后盖材质的介电常数、介质损耗角正切、天线到后盖的距离、以及后盖的厚度等均影响毫米波天线的性能。特别是后盖的厚度，对毫米波的透射性能的影响至关重要，一般要求后盖的厚度为毫米波的导波波长的一半或者其整数倍。因此，为了使得置入手机等电子设备的毫米波天线的透射性能最佳，往往需要把后盖的厚度设计成毫米波导波波长的一半或者其整数倍，但存在如下缺陷：手机等电子设备会有外观设计的参数要求，这时候后盖的设计往本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备的后盖，其特征在于：所述后盖包括叠加设置的N层介质层，所述N层介质层的介电常数不同，所述N为大于或等于三的正整数，所述N层介质层的介电常数递增。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子设备的后盖，其特征在于：所述后盖包括叠加设置的N层介质层，所述N层介质层的介电常数不同，所述N为大于或等于三的正整数，所述N层介质层的介电常数递增。


2.如权利要求1所述的后盖，其特征在于，所述N层介质层的厚度相同。


3.如权利要求1所述的后盖，其特征在于，所述N层介质层中，至少部分介质层的厚度不同。


4.如权利要求3所述的后盖，其特征在于，从所述后盖的内表面至外表面的方向上所述N层介质层的厚度递增或递减。


5.如权利要求1所述的后盖，其特征在于，还包括：后盖本体，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：简宪静，邾志民，马荣杰，王义金，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44