放大器及射频集成电路制造技术

本实用新型专利技术适用于电子电路技术领域，提供了一种放大器及射频集成电路，其中放大器包括：放大单元、第一偏置单元、第二偏置单元及第一反馈单元；其中，放大单元包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第一场效应晶体管与第二场效应晶体管串联连接；第一偏置单元为第一场效应晶体管提供偏置电压，第二偏置单元为第二场效应晶体管提供偏置电压；第一反馈单元为第一场效应晶体管提供反馈电压信号；本实用新型专利技术放大单元采用共源共栅结构，同时通过第一反馈单元引入反馈信号，使得放大器噪声低且在较宽的频带范围内具有较好的增益平坦度，同时满足低噪声、宽频带及高增益的需求。

Amplifier and RF integrated circuit

【技术实现步骤摘要】
放大器及射频集成电路
本技术属于电子电路
，尤其涉及一种放大器及射频集成电路。
技术介绍
随着第五代移动通信技术的发展，通信系统对射频前端芯片的需求越来越复杂，频带要求越来越宽。放大器作为射频前端芯片中的常见部件，也对其提出了更高的要求。现有的共源极低噪声放大器噪声系数良好，但频带宽度及信号增益方面存在不足，不能同时满足通信系统对射频前端放大器低噪声、宽频带及高增益的需求。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种放大器及射频集成电路，以解决现有技术中放大器不能同时满足低噪声、宽频带及高增益的问题。本技术实施例的第一方面提供了一种放大器，包括：放大单元、第一偏置单元、第二偏置单元及第一反馈单元；其中，放大单元包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第一场效应晶体管与第二场效应晶体管串联连接；第一偏置单元与放大单元的第一端连接，用于为第一场效应晶体管提供偏置电压；第二偏置单元与放大单元的第二端连接，用于为第二场效应晶体管提供偏置电压；第一反馈单元的第一端与放大单元的第四端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放大器，其特征在于，包括：放大单元、第一偏置单元、第二偏置单元及第一反馈单元；/n其中，所述放大单元包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；所述第一场效应晶体管与所述第二场效应晶体管串联连接；/n所述第一偏置单元与所述放大单元的第一端连接，用于为所述第一场效应晶体管提供偏置电压；/n所述第二偏置单元与所述放大单元的第二端连接，用于为所述第二场效应晶体管提供偏置电压；/n所述第一反馈单元的第一端与所述放大单元的第四端连接；所述第一反馈单元的第二端与所述放大单元的第一端连接，用于为所述第一场效应晶体管提供反馈电压信号；/n所述放大单元的第三端输入射频信号，所述放大单元的第四端输出放大后的射...

【技术特征摘要】
1.一种放大器，其特征在于，包括：放大单元、第一偏置单元、第二偏置单元及第一反馈单元；
其中，所述放大单元包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；所述第一场效应晶体管与所述第二场效应晶体管串联连接；
所述第一偏置单元与所述放大单元的第一端连接，用于为所述第一场效应晶体管提供偏置电压；
所述第二偏置单元与所述放大单元的第二端连接，用于为所述第二场效应晶体管提供偏置电压；
所述第一反馈单元的第一端与所述放大单元的第四端连接；所述第一反馈单元的第二端与所述放大单元的第一端连接，用于为所述第一场效应晶体管提供反馈电压信号；
所述放大单元的第三端输入射频信号，所述放大单元的第四端输出放大后的射频信号。


2.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第二偏置单元包括：第三场效应晶体管、第六电阻、第七电阻、第八电阻及第七电容；
所述第三场效应晶体管，栅极分别与所述第七电阻的第一端、所述第七电容的第一端及所述第八电阻的第一端连接，漏极分别与所述第七电阻的第二端及所述第六电阻的第一端连接，源极接地；
所述第七电容的第二端接地；所述第八电阻的第二端与所述放大单元的第二端连接；所述第六电阻的第二端与第二电源端连接。


3.如权利要求2所述的放大器，其特征在于，所述第三场效应晶体管为砷化镓基增强型赝配高电子迁移率晶体管。


4.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第二偏置单元包括：第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第九电阻、第十电阻、第八电容及第九电容；
所述第四场效应晶体管，栅极分别与所述第九电阻的第一端、所述第八电容的第一端及所述第五场效应晶体管的漏极连接，漏极分别与第二电源端及所述第九电阻的第二端连接，源极分别与所述第五场效应晶体管的栅极、所述第九电容的第一端及第十电阻的第一端连接；
所述第五场效应晶体管的源极接地；所述第十电阻的第二端与所述放大单元的第二端连接；所述第八电容的第二端及所述第九电容的第二端均接地。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张晓朋，王文娟，高博，曲韩宾，赵亚，
申请(专利权)人：河北新华北集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13