一种开关电源驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种开关电源驱动电路，包括电阻R1、三级管Q1、二极管D1、变压器T1和MOS管Q4，所述电阻R1分别电源VCC和电阻R2，电阻R2另一端分别连接电阻R1另一端和三极管Q1集电极，三极管Q1基极分别连接三极管Q2基极和电阻R5，三极管Q2集电极连接二极管D3正极并接地，三极管Q2发射极分别连接三极管Q1发射极、二极管D3负极、二极管D1负极和电阻R6。本实用新型专利技术开关电源驱动电路在原来的基础之上，改变MOS管Q4的驱动线路，让MOS管Q4驱动更加简单，移除一组次级线圈及其他元器件，只加少量的器件就可以达到同样的效果，减小了电路的体积，降低了成本。

A driving circuit of switching power supply

【技术实现步骤摘要】
一种开关电源驱动电路
本技术涉及一种驱动电路，具体是一种开关电源驱动电路。
技术介绍
图1为一种现有技术的开关电源驱动电路，当PWM信号为高电平的时候，Q4的门极电压为高，Q4管导通，同时Q1的基极电压为高电平，Q1导通，电流方向为VCC-R10//R1-Q1到变压器T1A-PIN2到T1A-PIN1-Q4-GND。根据同名端的原理，T1A的PIN2脚为高电位，T1C的PIN5脚和T1BPIN3脚位高电平，HRB，LRB为高电平同时驱动MOSFET。当PWM为低电压的时候，Q2导通，T1APIN1脚直接连接被嵌位在VCC，另外，T1BPIN3电压为负，Q3导通，把HRB的电压放电。T1CPIN5电压为负，Q31导通，把HRB的电压放电。上述现有技术存在的不足在于需要采用两组次级线圈和两个MOSFET管，不仅增大了电路的体积，而且制作成本高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种开关电源驱动电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种开关电源驱动电路，包括电阻R1、三级管Q1、二极管D1、变压器T1和MOS管Q4，所述电阻R1分别电源VCC和电阻R2，电阻R2另一端分别连接电阻R1另一端和三极管Q1集电极，三极管Q1基极分别连接三极管Q2基极和电阻R5，三极管Q2集电极连接二极管D3正极并接地，三极管Q2发射极分别连接三极管Q1发射极、二极管D3负极、二极管D1负极和电阻R6，电阻R6另一端分别连接二极管D1正极、电阻R3、电阻R7和MOS管Q4的G极，MOS管Q4的S极接地，MOS管Q4的D极分别连接二极管D5正极和变压器T1初级侧线圈T1A，二极管D5负极连接电源VCC，变压器T1初级侧线圈T1A另一端连接电阻R7另一端，变压器T1次级侧线圈T1B一端分别连接电阻R9和二极管D2正极，二极管D2负极分别连接电阻R10、三极管Q3发射极、电阻R4和电阻RS，电阻RS另一端连接电阻R4另一端，所述三极管Q3集电极分别连接二极管D4正极和变压器T1初级侧线圈T1A另一端，二极管D4负极分别连接电阻R9另一端、电阻R10另一端和三极管Q3基极。作为本技术进一步的方案：所述电阻R5另一端为PWM信号输入端。作为本技术进一步的方案：所述三极管Q3为PNP三极管。作为本技术进一步的方案：所述三极管Q1和三极管Q2为NPN三极管。作为本技术进一步的方案：所述电源VCC为直流电源。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术开关电源驱动电路在原来的基础之上，改变MOS管Q4的驱动线路，让MOS管Q4驱动更加简单，移除一组次级线圈及其他元器件，只加少量的器件就可以达到同样的效果，减小了电路的体积，降低了成本。附图说明图1为现有技术电路的电路图。图2为本技术电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图2，一种开关电源驱动电路，包括电阻R1、三级管Q1、二极管D1、变压器T1和MOS管Q4，所述电阻R1分别电源VCC和电阻R2，电阻R2另一端分别连接电阻R1另一端和三极管Q1集电极，三极管Q1基极分别连接三极管Q2基极和电阻R5，三极管Q2集电极连接二极管D3正极并接地，三极管Q2发射极分别连接三极管Q1发射极、二极管D3负极、二极管D1负极和电阻R6，电阻R6另一端分别连接二极管D1正极、电阻R3、电阻R7和MOS管Q4的G极，MOS管Q4的S极接地，MOS管Q4的D极分别连接二极管D5正极和变压器T1初级侧线圈T1A，二极管D5负极连接电源VCC，变压器T1初级侧线圈T1A另一端连接电阻R7另一端，变压器T1次级侧线圈T1B一端分别连接电阻R9和二极管D2正极，二极管D2负极分别连接电阻R10、三极管Q3发射极、电阻R4和电阻RS，电阻RS另一端连接电阻R4另一端，所述三极管Q3集电极分别连接二极管D4正极和变压器T1初级侧线圈T1A另一端，二极管D4负极分别连接电阻R9另一端、电阻R10另一端和三极管Q3基极，所述电阻R5另一端为PWM信号输入端。当PWM信号输入端电压为正的时候，三极管Q1导通，回路一：VCC-R1//R2–Q1-R5-R3-LRA-GND，LRA为高电位，连接MOSFETQ4的栅极，GND连接MOSFET的源极。此回路为驱动MOSFETQ4，让MOSFETQ4导通。另外一组回路VCC-R1//R2-Q1-R5-R7-T1APIN2-T1APIN1-Q4-GND,由于三极管Q1的导通的，所以MOSFETQ4的门极电压为高电位，MOSFETQ4也是导通的。根据同名端原理T1APIN2为正，T1BPIN3脚也为正，T1BPIN3-D2-R4//R8-HRB-HRS-T1BPIN4形成一个回路。HRB也同样为高电位，连接MOSFETQ4的栅极，HRS连接MOSFET的源极。此回路为驱动MOSFETQ4，让MOSFETQ4导通。当PWM信号输入端电压转变零的时候，三极管Q2是导通的，回路一：LRA-R3-R6//D1-Q2-GND放电，让LRA变为低电压。使MOSFETQ4截止。回路二：驱动变压器T1反向，T1Bpin3为负，T1Bpin4为正，三极管Q3导通，HRB-R4//R8-Q3-HRS，让HRB的电压放电并变为低电压，使MOSFETQ4截止。综上所述，本技术开关电源驱动电路在原来的基础之上，改变MOS管Q4的驱动线路，让MOS管Q4驱动更加简单，移除一组次级线圈及其他元器件，只加少量的器件就可以达到同样的效果，减小了电路的体积，降低了成本。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关电源驱动电路，其特征在于，包括电阻R1、三级管Q1、二极管D1、变压器T1和MOS管Q4，所述电阻R1分别电源VCC和电阻R2，电阻R2另一端分别连接电阻R1另一端和三极管Q1集电极，三极管Q1基极分别连接三极管Q2基极和电阻R5，三极管Q2集电极连接二极管D3正极并接地，三极管Q2发射极分别连接三极管Q1发射极、二极管D3负极、二极管D1负极和电阻R6，电阻R6另一端分别连接二极管D1正极、电阻R3、电阻R7和MOS管Q4的G极，MOS管Q4的S极接地，MOS管Q4的D极分别连接二极管D5正极和变压器T1初级侧线圈T1A，二极管D5负极连接电源VCC，变压器T1初级侧线圈T1A另一端连接电阻R7另一端，变压器T1次级侧线圈T1B一端分别连接电阻R9和二极管D2正极，二极管D2负极分别连接电阻R10、三极管Q3发射极、电阻R4和电阻RS，电阻RS另一端连接电阻R4另一端，所述三极管Q3集电极分别连接二极管D4正极和变压器T1初级侧线圈T1A另一端，二极管D4负极分别连接电阻R9另一端、电阻R10另一端和三极管Q3基极。/n

【技术特征摘要】
1.一种开关电源驱动电路，其特征在于，包括电阻R1、三级管Q1、二极管D1、变压器T1和MOS管Q4，所述电阻R1分别电源VCC和电阻R2，电阻R2另一端分别连接电阻R1另一端和三极管Q1集电极，三极管Q1基极分别连接三极管Q2基极和电阻R5，三极管Q2集电极连接二极管D3正极并接地，三极管Q2发射极分别连接三极管Q1发射极、二极管D3负极、二极管D1负极和电阻R6，电阻R6另一端分别连接二极管D1正极、电阻R3、电阻R7和MOS管Q4的G极，MOS管Q4的S极接地，MOS管Q4的D极分别连接二极管D5正极和变压器T1初级侧线圈T1A，二极管D5负极连接电源VCC，变压器T1初级侧线圈T1A另一端连接电阻R7另一端，变压器T1次级侧线圈T1B一端分别连接电阻R9和二极管D2正极，二极管D2负...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱辉，刘跃武，张浩彬，
申请(专利权)人：深圳市迈铭科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44