防尘薄膜组件制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种防尘薄膜组件，能够尽可能地减少从防尘薄膜组件整体产生的释放气体，可防止该释放气体成分吸附于曝光装置内的反射镜或掩膜的表面而使反射率降低的情形、释放气体成分吸附于装置内壁面而产生污染的情形。本发明专利技术的防尘薄膜组件，其在23℃、1×10

Film as-dust

【技术实现步骤摘要】
防尘薄膜组件
本专利技术是关于一种，作为制造LSI(Large-ScaleIntegration,大型集成电路)、超LSI等半导体装置、印刷基板、液晶显示器等时的防尘罩使用的防尘薄膜组件。
技术介绍
近年来，LSI的设计准则朝向分季微米(sub-quartermicrometer)的微细化进步，伴随于此，曝光光源的短波长化亦进步，亦即，曝光光源从水银灯的g线(436nm)、i线(365nm)，转变为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等，进一步研讨使用主波长13.5nm的EUV(ExtremeUltraViolet,极紫外线)光的EUV曝光。在LSI、超LSI等的半导体制造或液晶显示板的制造中，对半导体晶圆或液晶用原板照射光线而制作图案，但若微尘附着于此情况下使用的光刻用掩膜(亦单称作“掩膜”)及倍缩光掩膜(以下统称作“曝光原版”而记述)，则上述微尘吸收光线、使光线折射，故转印的图案变形、边缘变得不平整，除此之外亦使基底变黑脏污，有尺寸、品质、外观等受损等问题。上述作业，通常在无尘室进行，即便如此，仍难本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防尘薄膜组件，其在23℃、1×10

【技术特征摘要】
20181203 JP 2018-2264571.一种防尘薄膜组件，其在23℃、1×10-3Pa以下的环境气体下搁置10分钟后，所述防尘薄膜组件的真空时气体释出量为：
就水系气体而言，每1个防尘薄膜组件的水系气体释出量为1×10-3Pa·L/s以下；
就测定质量数的范围为45～100amu的烃系气体而言，每1个防尘薄膜组件的烃系气体释出量为1×10-5Pa·L/s以下，
就测定质量数的范围为101～200amu的烃系气体而言，每1个防尘薄膜组件的烃系气体释出量为4×...

【专利技术属性】
技术研发人员：簗瀬优，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP