【技术实现步骤摘要】
外延设备的测温装置以及外延设备
本专利技术属于半导体制造设备领域，更具体地，涉及一种外延设备的测温装置以及外延设备。
技术介绍
外延工艺一般均需要在高温下进行。以硅外延为例，对于高端单片硅外延设备，一般是用多个红外灯对晶圆加热的，温场分布是外延设备的重要指标之一，需要对其进行精准标定。在工艺过程中，晶圆一般是旋转的，不存在圆周方向的温度不均匀现象，只需表征温场沿晶圆半径的分布即可得出整个晶圆的温场分布。图1示出了一种典型的温场标定测温装置的结构示意图。如图1所示，热电偶2通过密封机构3固定于腔室14的校温托盘13内，热电偶2通过导线与温度显示设备(未示出)连接，采用热电偶2单点测温，只能得到校温托盘13的中心或某一点的温度，不能真实反应整个晶圆区域内热场分布情况。图2示出了另一种典型的温场标定测温装置的结构示意图。如图2所示，其采用热偶晶圆(TCwafer)测温，热偶晶圆19上设有多个传感器17，多个传感器17通过导线1与温度显示设备连接，可以得到腔体20内托盘21的晶圆区域温度分布。热偶晶圆19采用多个热电...
【技术保护点】
1.一种外延设备的测温装置，用于测量所述外延设备反应腔室(14)中校温托盘(13)的温度，其特征在于，所述测温装置包括：/n温度传感器，所述温度传感器可选择性地插设于所述校温托盘(13)内，用于检测所述校温托盘(13)的温度；/n驱动机构，用于驱动所述温度传感器沿所述校温托盘(13)的径向移动。/n
【技术特征摘要】
1.一种外延设备的测温装置，用于测量所述外延设备反应腔室(14)中校温托盘(13)的温度，其特征在于，所述测温装置包括：
温度传感器，所述温度传感器可选择性地插设于所述校温托盘(13)内，用于检测所述校温托盘(13)的温度；
驱动机构，用于驱动所述温度传感器沿所述校温托盘(13)的径向移动。
2.根据权利要求1所述的外延设备的测温装置，其特征在于，所述温度传感器为热电偶(2)，所述热电偶(2)的部分插设于所述校温托盘(13)内，且沿所述校温托盘(13)的径向设置，另一部分设于所述反应腔室(14)外。
3.根据权利要求2所述的外延设备的测温装置，其特征在于，所述驱动机构位于所述反应腔室(14)外部，包括导轨(5)、密封连接板(8)、波纹管(12)、底座(4)和密封连接机构(3)，所述密封连接机构(3)密封连接于所述反应腔室(14)，所述底座(4)密封连接于密封连接机构(3)，所述热电偶(2)穿过所述密封连接机构(3)和所述底座(4)密封连接于所述密封连接板(8)，所述波纹管(12)套设于所述热电偶(2)上，所述波纹管(12)的两端分别密封连接于所述底座(4)和所述密封连接板(8)，所述导轨(5)固定连接于所述底座(4)，所述密封连接板(8)能够沿所述导轨(5)滑动从而带动所述热电偶(2)沿所述校温托盘(13)的径向移动。
4.根据权利要求3所述的外延设备的测温装置，其特征在于，所述驱动机构还包括平行于所述导轨(5)设置的丝杠(...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏振军，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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