【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于增加转矩的磁阻电机的改进的转子
本专利技术涉及一种旋转磁阻电机的转子，该转子具有围绕旋转轴线的旋转方向，其中，转子在旋转方向上观察包括具有不同磁阻的区域，其中，这些区域中的包括具有μr>50的第一磁导率的材料的区域形成具有该转子的极数2p的极，其中，这些区域与非磁性材料邻接，其中，极距在旋转方向上观察从具有比第一磁导率小的、μr<5的第二磁导率的区域的中心延伸至下一个具有第二磁导率的区域的中心，其中，具有第二磁导率的区域的宽度在旋转方向上观察至少在转子的表面上在极距的1％与50％之间，其中，极的径向深度至少在局部对应于极距的圆弧长度的10％以上。
技术介绍
专利文献EP2775591A1公开了一种旋转磁阻电机的转子，该转子具有围绕旋转轴线的旋转方向，其中，该转子在旋转方向上观察包括具有不同磁阻的区域，其中，包括具有良好磁导率(μr>50)的材料的区域形成具有该转子的极数2p的极，其中，这些区域被非磁性材料(μr<5)包围，其中，极距在旋转方向上观察从一个非磁性区域的中心延伸至下一个非磁性区域的中心...
【技术保护点】
1.一种旋转磁阻电机(11)的转子(1)，所述转子具有围绕旋转轴线(A)的旋转方向(R)，其中，在所述旋转方向(R)上观察，所述转子(1)包括具有不同磁阻的区域(2A...2D、3A...3D)，/n其中，所述区域中的包括具有μr>50的第一磁导率的材料的区域(3A...3D)形成具有所述转子的极数2p的极，/n其中，所述区域与μr<5的非磁性材料邻接，/n其中，在所述旋转方向(R)上观察，极距从具有比所述第一磁导率小的、μr<5的第二磁导率的区域(2A...2D)的中心延伸至下一个具有所述第二磁导率的区域(2A...2D)的中心，/n其中，在所述旋转方向...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171020 EP 17197576.61.一种旋转磁阻电机(11)的转子(1)，所述转子具有围绕旋转轴线(A)的旋转方向(R)，其中，在所述旋转方向(R)上观察，所述转子(1)包括具有不同磁阻的区域(2A...2D、3A...3D)，
其中，所述区域中的包括具有μr>50的第一磁导率的材料的区域(3A...3D)形成具有所述转子的极数2p的极，
其中，所述区域与μr<5的非磁性材料邻接，
其中，在所述旋转方向(R)上观察，极距从具有比所述第一磁导率小的、μr<5的第二磁导率的区域(2A...2D)的中心延伸至下一个具有所述第二磁导率的区域(2A...2D)的中心，
其中，在所述旋转方向(R)上观察，具有所述第二磁导率的区域(2A...2D)的宽度(B)至少在所述转子(1)的表面上在所述极距(P)的1％与50％之间，
其中，极的径向深度(T)至少在局部对应于所述极距(P)的圆弧长度的10％以上，
其特征在于，具有所述第二磁导率的区域(2A...2D)具有用于增加所述磁阻电机(11)的转矩的永磁材料。
2.根据权利要求1...
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