本发明专利技术公开了一种双管芯电容咪头，包括场效应管JFET1和场效应管JFET2，所述场效应管JFET1和场效应管JFET2的G极均接到咪头膜片相对应的固定电极上，场效应管JFET1和场效应管JFET2的S极与咪头金属外壳均接地，场效应管JFET1和场效应管JFET2的D极分别作为两个信号输出极，本发明专利技术可以同时工作于相机麦克风接口与手机麦克风接口，不需要切换开关或外部转接线。
A double core condenser microphone
【技术实现步骤摘要】
一种双管芯电容咪头
本专利技术涉及麦克风
，具体是一种双管芯电容咪头。
技术介绍
目前音视频录制一般多使用手机或者相机，录音方面，手机和相机的麦克风接口定义不同，导致麦克风需要使用外置的转接线或者在产品上使用切换开关，才可以即可用在手机也可用在相机。在产品的兼容性、成本等方面造成不足。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种双管芯电容咪头，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种双管芯电容咪头，包括场效应管JFET1和场效应管JFET2，所述场效应管JFET1和场效应管JFET2的G极均接到咪头膜片相对应的固定电极上，场效应管JFET1和场效应管JFET2的S极与咪头金属外壳均接地，场效应管JFET1和场效应管JFET2的D极分别作为两个信号输出极。作为本专利技术的进一步技术方案：所述场效应管JFET1的D极连接到TRRS接头的1与2极，场效应管JFET2的D极连接到TRRS接头的4极，GND连接到TRRS接头的3极。作为本专利技术的进一步技术方案：所述TRRS接头为3.5mmTRRS接头。作为本专利技术的进一步技术方案：所述场效应管JFET2的D极连接到TRRS接头的1与2极，场效应管JFET1的D极连接到TRRS接头的4极，GND连接到TRRS接头的3极。作为本专利技术的进一步技术方案：所述场效应管JFET1的D极连接电阻R1和电容C1，场效应管JFET2的D极连接电阻R2和电容C2。作为本专利技术的进一步技术方案：所述电容C为信号耦合电容。作为本专利技术的进一步技术方案：所述电阻R为偏置电阻。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术可以同时工作于相机麦克风接口与手机麦克风接口，不需要切换开关或外部转接线。附图说明图1是实施例1的电路图；图2是实施例2的电路图。图3是实施例1外接负载的电路图。图4为实施例1外接偏置电压的电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1：请参阅图1，一种双管芯电容咪头，包括场效应管JFET1和场效应管JFET2，所述场效应管JFET1和场效应管JFET2的G极均接到咪头膜片相对应的固定电极上，场效应管JFET1和场效应管JFET2的S极与咪头金属外壳均接地，场效应管JFET1和场效应管JFET2的D极分别作为两个信号输出极。电容咪头的原理是利用一张极薄的膜片，作为电容的一个极，与其相隔零点几毫米，有另外一个固定电极，这样形成一个几p法拉的电容器，薄膜电极跟随声波振动而造成电容的容量变化，形成电信号，由于这个电容只有几p法拉，其内阻极高，达到G欧姆的级别。所以需要一个电路，来将这个G欧姆的阻抗转换成低阻抗来输出，这个电路，也叫做“预放大电路”通常集成在电容咪头的内部，需要外置偏置电压电路给该电路供电。该电路一般由JFET为主构成。如图3所示，场效应管JFET1的D极连接到TRRS接头的1与2极，场效应管JFET2的D极连接到TRRS接头的4极，GND连接到TRRS接头的3极。TRRS接头为3.5mmTRRS接头。场效应管JFET2的D极连接到TRRS接头的1与2极，场效应管JFET1的D极连接到TRRS接头的4极，GND连接到TRRS接头的3极。手机的麦克风接口使用的是3与4极，当接入到手机的3.5mm接口时，手机对3与4极施加偏置电压，咪头工作，输出声音信号。相机的麦克风接口使用的是1、2及3极，当接入到相机的3.5mm接口时，相机对1、2及3极施加偏置电压，咪头工作，输出声音信号。这样便可实现只用一个咪头，不使用切换开关或外置转接线，就可以实现产品的多兼容性，整体设计上可以简化制造工艺及附加器件，降低产品总成本。如图4所示，场效应管JFET1的D极连接电阻R1和电容C1，场效应管JFET2的D极连接电阻R2和电容C2。电容C为信号耦合电容。电阻R为偏置电阻。分别在D极施加偏置电压后，可以分别工作，输出声音信号，VBIAS为偏置电压，R为偏置电阻，C为信号耦合电容。实施例2：与实施例1的不同之处在于，如图2的设计方式，将所有极引出，通过外部连接亦可实现图1的方式，也可根据实际产品需求灵活设计。对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种双管芯电容咪头，包括场效应管JFET1和场效应管JFET2，其特征在于，所述场效应管JFET1和场效应管JFET2的G极均接到咪头膜片相对应的固定电极上，场效应管JFET1和场效应管JFET2的S极与咪头金属外壳均接地，场效应管JFET1和场效应管JFET2的D极分别作为两个信号输出极。/n
【技术特征摘要】
1.一种双管芯电容咪头，包括场效应管JFET1和场效应管JFET2，其特征在于，所述场效应管JFET1和场效应管JFET2的G极均接到咪头膜片相对应的固定电极上，场效应管JFET1和场效应管JFET2的S极与咪头金属外壳均接地，场效应管JFET1和场效应管JFET2的D极分别作为两个信号输出极。
2.根据权利要求1所述的一种双管芯电容咪头，其特征在于，所述场效应管JFET1的D极连接到TRRS接头的1与2极，场效应管JFET2的D极连接到TRRS接头的4极，GND连接到TRRS接头的3极。
3.根据权利要求2所述的一种双管芯电容咪头，其特征在于，所述TRRS接头为3.5m...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯帆，
申请(专利权)人：深圳市咔莱科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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