本公开涉及一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包含：衬底结构，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；至少两个电子组件，其电连接到所述衬底结构的所述第一表面；至少一个屏蔽焊盘，其安置于所述衬底结构的所述第一表面上；多个通孔，其连接到所述至少一个屏蔽焊盘；多个屏蔽线接合，其安置于所述电子组件之间。所述屏蔽线接合中的每一个包含第一接合和与所述第一接合相对的第二接合，所述第一接合和所述第二接合电连接到所述至少一个屏蔽焊盘，且所述通孔不会与所述多个通孔中的任一个重叠。
Semiconductor packaging structure and manufacturing method
【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制造方法
本公开尤其涉及半导体封装结构及其制造方法。
技术介绍
半导体封装结构可包含多个电子组件；然而，电子组件之间的干扰可能不利地影响半导体封装结构的性能。可能需要在导电焊盘上形成屏蔽结构以提供对于邻近电子组件的屏蔽效力，这可能会增加半导体封装结构的间隔。此外，导电焊盘可包含低于导电焊盘的表面的通孔。在通孔上方安置屏蔽结构可能使得将屏蔽结构焊接到导电焊盘上的准确性降低。
技术实现思路
根据本公开的一些实例实施例，一种半导体封装结构包含具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底结构，且包含多个通孔；至少两个电子组件，其电连接到所述衬底结构的所述第一表面；至少一个屏蔽焊盘，其安置于所述衬底结构的所述第一表面上；多个隔室屏蔽线接合，其安置于所述电子组件之间。所述隔室屏蔽线接合中的每一个包含第一接合和与所述第一接合相对的第二接合；所述第一接合和所述第二接合电连接到所述至少一个屏蔽焊盘，且所述通孔插入于所述第一接合和所述第二接合之间。根据本公开的一些实例实施例，一种半导体封装结构包含：衬底结构，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且包含多个通孔；多个电子组件，其电连接到所述衬底结构的所述第一表面；第一屏蔽焊盘；第二屏蔽焊盘，其与所述第一屏蔽焊盘分隔开；多个隔室屏蔽线接合，其横穿所述电子组件。所述隔室屏蔽线接合中的每一个包含第一接合和与所述第一接合相对的第二接合；所述第一接合电连接到第一屏蔽焊盘，且所述第二接合电连接到第二屏蔽焊盘。根据本公开的一些实例实施例，一种半导体制造工艺包含：提供包括多个通孔的衬底结构；在衬底结构上安置至少两个电子组件；在衬底结构上安置至少一个屏蔽焊盘；以及在电子组件之间安装多个隔室屏蔽线接合。所述隔室屏蔽线接合中的每一个包含第一接合和与所述第一接合的第二接合；所述第一接合和所述第二接合电连接到所述至少一个屏蔽焊盘，且通孔插入于所述第一接合和所述第二接合之间。附图说明当结合附图阅读时，从以下具体实施方式容易理解本公开的各方面。应注意，不同特征可能不按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。图1是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的横截面图。图2是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的俯视图。图3、图4和图5是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的横截面图。图6是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的屏蔽焊盘和隔室屏蔽线接合结构的透视图。图7A和图7B是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的隔室屏蔽线接合结构的横截面图。图7C是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的隔室屏蔽线接合结构的俯视图。图8是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的俯视图。图9和图10是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的横截面图。图11展示根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的屏蔽效力模拟。图12、图13和图14是根据本申请的一些实施例的隔室屏蔽线接合结构的横截面图。图15展示根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的屏蔽效力模拟。图16、图17、图18、图19和图20是根据本申请的一些实施例的隔室屏蔽线接合结构的横截面图。图21展示根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的屏蔽效力模拟。图22和图23是根据本申请的一些实施例的隔室屏蔽线接合结构的横截面图。图24是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的俯视图。图25和图26展示根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的屏蔽效力模拟。图27A是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的横截面图。图27B是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的俯视图。图28A是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的横截面图。图28B是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的俯视图。图29A是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的横截面图。图29B是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的俯视图。图30是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的横截面图。图31A、图31B、图31C和图31D是根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的笼型屏蔽线接合结构的俯视图。图32是根据本申请的一些实施例的笼型屏蔽线接合结构的横截面图。图33和图34展示根据本申请的一些实施例的半导体封装结构的屏蔽效力模拟。图35、图36、图37、图38图39和图40示出根据本申请的一些实施例用于制造半导体封装结构的方法的各个阶段。贯穿图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或类似元件。根据以下结合附图作出的详细描述，本公开将更显而易见。具体实施方式以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例。当然，这些只是实例且并不希望为限制性的。在本公开中，在以下描述中对第一特征在第二特征之上或上的形成的参考可包含第一特征与第二特征直接接触形成的实施例，并且还可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各个实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简单和清晰的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。下文详细论述本公开的实施例。然而，应了解，本公开提供了可在多种多样的特定情境中体现的许多适用的概念。所论述的特定实施例仅仅是说明性的且并不限制本公开的范围。图1展示根据本申请的一些实施例的半导体封装结构1的横截面图。图2展示无囊封剂17和金属层18的图1的半导体封装结构1的俯视图。半导体封装结构1可包含衬底结构11、多个信号焊盘12、多个电子组件13、多个屏蔽焊盘14、多个隔室屏蔽线接合15、保护结构16、囊封剂17和金属层18。信号焊盘12安置于衬底结构11上。电子组件13安置于信号焊盘12上，且电连接到信号焊盘12。屏蔽焊盘14安置于衬底结构11上，且在两个邻近电子组件13之间。隔室屏蔽线接合15安置于屏蔽焊盘14上，且电连接到屏蔽焊盘14。隔室屏蔽线接合15安置于两个邻近电子组件13之间，且用于为邻近电子组件13提供内部屏蔽效应。保护结构16安置于衬底结构11上，且限定至少一个开口。信号焊盘12和屏蔽焊盘14安置于保护结构16的开口内。囊封剂17覆盖电子组件13和衬底结构11、信号焊盘12、屏蔽焊盘14以及隔室屏蔽线接合15中的每一个的至少一部分。金属层18覆盖囊封剂17，且用于为电子组件13提供外部屏蔽效应。在比较实例中，金属盖安置于两个邻近电子组件之间，且用于为邻近电子组件提供屏蔽效力。金属盖的竖直部分在两个邻近电子组件之间经由焊料连接到金属盖焊盘。为了避免焊料和信号焊盘之间的桥，需要焊料掩模层来环绕金属盖焊盘。也就是说，焊料掩模层必须限定开口以暴露金属盖焊盘。因此，焊料掩模层的一部分和开口安置于两个邻近电子组件之间。比较实本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其包括：/n衬底结构，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；/n至少两个电子组件，其电连接到所述衬底结构的所述第一表面；/n至少一个屏蔽焊盘，其安置于所述衬底结构的所述第一表面上；/n多个通孔，其连接到所述至少一个屏蔽焊盘；以及/n多个屏蔽线接合，其安置于所述电子组件之间，其中所述屏蔽线接合中的每一个包含第一接合和与所述第一接合相对的第二接合，所述第一接合和所述第二接合电连接到所述至少一个屏蔽焊盘，且不会与所述多个通孔中的任一个重叠。/n
【技术特征摘要】
20181129 US 62/773,170;20191125 US 16/694,8471.一种半导体封装结构，其包括：
衬底结构，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
至少两个电子组件，其电连接到所述衬底结构的所述第一表面；
至少一个屏蔽焊盘，其安置于所述衬底结构的所述第一表面上；
多个通孔，其连接到所述至少一个屏蔽焊盘；以及
多个屏蔽线接合，其安置于所述电子组件之间，其中所述屏蔽线接合中的每一个包含第一接合和与所述第一接合相对的第二接合，所述第一接合和所述第二接合电连接到所述至少一个屏蔽焊盘，且不会与所述多个通孔中的任一个重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述屏蔽线接合的高度高于所述电子组件的高度。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述衬底结构限定环绕所述至少一个屏蔽焊盘的至少一个槽，所述槽包含底部表面，且所述底部表面为粗糙表面。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括安置于所述电子组件和所述衬底结构之间的底部填充物，其中所述底部填充物覆盖所述屏蔽焊盘和所述屏蔽线接合的一部分。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括覆盖所述至少一个屏蔽焊盘的焊料，其中所述屏蔽线接合安装于所述焊料中，所述屏蔽线接合具有内嵌于所述焊料中的球结构。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括囊封剂，所述囊封剂覆盖所述电子组件、所述衬底结构、所述至少一个屏蔽焊盘和所述屏蔽线接合中的每一个的至少一部分。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其中所述屏蔽线接合的高度小于所述囊封剂的高度。
8.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其进一步包括覆盖所述囊封剂的金属层。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述至少一个屏蔽焊盘不会被阻焊层覆盖。
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述屏蔽线接合横穿所述电子组件。
11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘展源，颜瀚琦，廖国宪，陈子康，克里斯托弗·辛克，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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