集成电光调制器制造技术

本发明专利技术公开一种集成电光调制器，包括层叠设置的SiO

Integrated electro-optic modulator

【技术实现步骤摘要】
集成电光调制器
本专利技术涉及集成电光调制器
，具体涉及一种集成电光调制器。
技术介绍
集成光收发芯片是光收发模块中的核心器件，在光通信、数据互连系统中有重要和广泛的应用，集成光收发芯片技术也是目前我国打破国外技术垄断实现核心芯片自主化迫切需要突破的关键技术。硅基集成光收发芯片支持100G/400G乃至更高速率的传输，同时支持COB封装工艺，在集成度、成本方面具有较大优势。电光调制器是集成光收发芯片中最关键的器件单元，目前主流的技术方案有：(1)LiNbO3电光调制器；(2)基于薄硅工艺的MZ调制器和基于厚硅工艺的EA调制器；(3)基于三五族化合物的EA调制器。近年来也有一种新的基于硅基LiNbO3薄膜的MZ调制器的报道。这些技术方案中，LiNbO3电光调制器体积太大，难以用于集成光收发芯片，基于薄硅工艺的MZ调制器具有调制速率高、集成度高、同时支持O波段(1.3um波段)和C波段(1.5um波段)的光调制等优势，但插损大、且与单模光纤耦合比较困难；基于厚硅工艺的EA调制器也具有调制速率高、集成度高的优势，但只支持C波段(1.5u本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电光调制器，其特征在于：包括SiO

【技术特征摘要】
1.一种集成电光调制器，其特征在于：包括SiO2层、位于所述SiO2层上层叠设置的Si层，所述Si层上设有第一硅波导相移臂和第二硅波导相移臂，所述SiO2层内设有PLC波导分路器和PLC波导合路器；所述PLC波导分路器的两路分支基于倏逝波耦合分别与第一硅波导相移臂和第二硅波导相移臂光路连通；所述PLC波导合路器的两路分支基于倏逝波耦合分别与第一硅波导相移臂和第二硅波导相移臂光路连通。


2.如权利要求1所述的集成电光调制器，其特征在于：所述第一硅波导相移臂和第二硅波导相移臂在SiO2层上的正投影分别与所述PLC波导分路器两路分支的近输出端重叠；该重叠的长度或/宽度与倏逝波耦合的耦合效率相关。


3.如权利要求1所述的集成电光调制器，其特征在于：所述PLC波导分路器第一分支近输出端与第一硅波导相移臂之间的垂直距离与两者之间倏逝波耦合的耦合效率相关；所述PLC波导分路器第二分支近输出端与第二硅波导相移臂之间的垂直距离与两者之间倏逝波耦合的耦合效率相关。


4.如权利要求1所述的集成电光调制器，其特征在于：所述PLC波导分路器两路分支的近输出端均为倒锥形结构。


5.如权利要求1～4任一项所述的集成电光调制器，其特征在于：所述第一硅波导相移臂和第二硅波导相移臂在SiO2层上的正投影分别与所述PLC波导合路器两路分支的近输入端重叠；该重叠的长度或/宽度与倏逝波耦合的耦合效率相关...

【专利技术属性】
技术研发人员：王皓，朱宇，陈奔，施伟明，吴邦嘉，沈笑寒，张拥建，洪小刚，邢园园，吴有强，
申请(专利权)人：亨通洛克利科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32