【技术实现步骤摘要】
一种基于表面等离子定向耦合式电光调制器
本专利技术涉及光电调制器
，尤其涉及一种基于表面等离子定向耦合式电光调制器。
技术介绍
随着单芯片上集成内核的数量逐渐增加，NoC(NETWORK-on-CHIP)成为下一代多核和众核处理器片上互连的关键技术，内核之间借鉴了宏观网络互连方式进行相互交换数据，有效地提高了总通信容量，有效解决了总线结构的延迟和时钟同步问题，然而片上电互连仍然存在功耗大、带宽有限、电磁干扰严重、通信延迟和相互串扰的问题。因此，随着片上硅基光电子技术的提高，片上能够集成更多的光电子器件，光片上网络的提出，有效地解决了上述问题，并且提出了一系列的光片上网络拓扑结构，如mesh、Torus、Octagon和它们的3D拓扑结构，这些结构在在成千上百的内核处理器上十分有优势，然而在一些通信需求数据量较大且实时性要求很高的场合，在路由预约和转发情况下，这种拓扑结构并不能很好地满足要求，近年来SPPs器件吸引的大量学者们对其进行研究，并提出了利用ITO激活材料设计了一些SPPs电光调制器，例如一种基于定向耦合技术的...
【技术保护点】
1.一种基于表面等离子定向耦合式电光调制器，其特征在于，所述基于表面等离子定向耦合式电光调制器包括二氧化硅基底、第一硅波导、第二硅波导、激活块和Au电极，所述第一硅波导与所述二氧化硅基底固定连接，并位于所述二氧化硅基底上表面，所述第二硅波导与所述二氧化硅基底固定连接，并位于所述第一硅波导一侧，所述激活块与所述第二硅波导固定连接，并位于远离所述第一硅波导一侧，所述Au电极与所述激活块固定连接，并位于所述激活块之中，且位于靠近所述第二硅波导一侧，其中，所述第二硅波导为L型硅波导。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于表面等离子定向耦合式电光调制器，其特征在于，所述基于表面等离子定向耦合式电光调制器包括二氧化硅基底、第一硅波导、第二硅波导、激活块和Au电极，所述第一硅波导与所述二氧化硅基底固定连接，并位于所述二氧化硅基底上表面，所述第二硅波导与所述二氧化硅基底固定连接，并位于所述第一硅波导一侧，所述激活块与所述第二硅波导固定连接，并位于远离所述第一硅波导一侧，所述Au电极与所述激活块固定连接，并位于所述激活块之中，且位于靠近所述第二硅波导一侧，其中，所述第二硅波导为L型硅波导。
2.如权利要求1所述的一种基于表面等离子定向耦合式电光调制器，其特征在于，所述激活块包括第三HfO2层、第二Au层、第二HfO2层、第一ITO层、第一HfO2层和第一Au层，所述第三HfO2层与所述Au电极固定连接，并位于所述Au电极外侧，所述第二Au层与所述第三HfO2层固定连接，并位于远离所述第二硅波导一侧，所述第二HfO2层与所述第二Au层固定连接，并位于远离所述第三HfO2层一侧，所述第一ITO层与所述第二HfO2层固定连接，并位于远离所述第二Au层一侧，所述第一HfO2层与所述第一ITO层固定连接，并位于远离所述第二HfO2层一侧，所述第一Au层与所述第一HfO2层固定连接，并位于远离所述第一ITO层一侧。
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【专利技术属性】
技术研发人员：许川佩，梁志勋，朱爱军，胡聪，杜社会，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：广西;45
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