一种电压分段式的电场辅助离子迁移连续制作掩埋式光波导的方法技术

本发明专利技术公开了一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法。放置隧道式高温炉，炉内有传送带和坩埚；坩埚内有熔盐，且熔盐内部设置通过导线接地的负电极；玻璃基片和石英管组成的底部密闭腔置于石英花篮中，腔内有熔盐，石英花篮悬挂于传送带上且玻璃基片浸入坩埚内的熔盐中；底部密闭腔中设置正电极，正电极与石英花篮相对位置固定，且通过电极引线搭上正电极滑竿，并可沿正电极滑竿滑动；正电极滑竿由通过绝缘性滑轨接头连接的多段正电极滑轨组成，多段正电极滑轨分别连接不同的直流电源正极。本发明专利技术可提高光波导芯片质量、提高生产效率、降低能耗的基础上，还可以减小掩埋式光波导制作过程中直流电场产生的焦耳热效应带来的不利影响。

A method of continuous fabrication of buried optical waveguide by voltage segmented electric field assisted ion migration

【技术实现步骤摘要】
一种电压分段式的电场辅助离子迁移连续制作掩埋式光波导的方法
本专利技术涉及光器件、集成光学领域，具体涉及一种电压分段式的电场辅助离子迁移连续制作掩埋式光波导的方法。
技术介绍
1969年，S.E.Miller提出了集成光学的概念，其基本思想是在同一块衬底(或基片)的表面制作光波导，并以此为基础实现光源、耦合器、滤波器等各种器件的集成化制作。通过这种集成化，实现光学系统的小型化、轻量化、稳定化，提高器件性能。采用离子交换法在玻璃基片上制作的集成光器件一直受到企业界和研究者们的重视。基于离子交换技术的玻璃基集成光波导器件具有一些优异的性质，包括：传输损耗低，易于掺杂高浓度的稀土离子，与光纤的光学特性匹配，耦合损耗小，环境稳定性好，易于集成，成本低廉等。1972年，第一篇关于离子交换制作光波导的论文发表，标志着玻璃基集成光学器件研究的起步。自那时起，各国研究机构投入大量的人力和财力进行玻璃基集成光器件的开发。截至目前，一些玻璃基片上的集成光学器件已经实现规模化生产与系列化，成功地用于光通信、光互连和光传感网络，并显示出巨大的竞争力。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压分段式的电场辅助离子迁移连续制作掩埋式光波导的方法，采用电压分段式的电场辅助离子迁移技术对离子交换后的玻璃基片(4)进行电场辅助离子迁移连续制作掩埋式光波导，在隧道式高温炉(15)中采用连续式制作的方式对一次离子交换后的玻璃基片(4)进行电场辅助离子迁移。其特征在于：石英管形成的底部密闭腔内不含掺杂离子的熔盐(8)中的正电极(9)通过电极引线(11)悬挂于由一号正电极滑轨(181)、二号正电极滑轨(182)、三号正电极滑轨(183)，以及绝缘性滑轨接头(22)顺序连接构成的正电极滑竿上；一号正电极滑轨(181)通过导线(21)连接一号直流电源(121)的正极，二号正电极滑轨(182...

【技术特征摘要】
1.一种电压分段式的电场辅助离子迁移连续制作掩埋式光波导的方法，采用电压分段式的电场辅助离子迁移技术对离子交换后的玻璃基片(4)进行电场辅助离子迁移连续制作掩埋式光波导，在隧道式高温炉(15)中采用连续式制作的方式对一次离子交换后的玻璃基片(4)进行电场辅助离子迁移。其特征在于：石英管形成的底部密闭腔内不含掺杂离子的熔盐(8)中的正电极(9)通过电极引线(11)悬挂于由一号正电极滑轨(181)、二号正电极滑轨(182)、三号正电极滑轨(183)，以及绝缘性滑轨接头(22)顺序连接构成的正电极滑竿上；一号正电极滑轨(181)通过导线(21)连接一号直流电源(121)的正极，二号正电极滑轨(182)通过导线(21)连接二号直流电源(122)的正极，三号正电极滑轨(183)通过导线(21)连接三号直流电源(123)的正极；在石英花篮(19)，连同其内的玻璃基片(4)、石英管(13)、正电极(9)、电极引线(11)、不含掺杂离子的熔盐(8)、从隧道式高温炉(15)的进口端输送至出口端的过程中，正电极(9)连接的电极阴线在正电极滑竿上滑动，并保持良好接触。


2.根据权利要求1所述的一种电压分段式的电场辅助离子迁移连续制作掩埋式光波导的方法，采用电压分段式的电场辅助离子迁移技术对离子交换后的玻璃基片(4)进行电场辅助离子迁移连续制作掩埋式光波导，其特征在于：所述的玻璃基片(4)材...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝寅雷，牛梦华，蒋建光，邓鑫宸，车录锋，周柯江，
申请(专利权)人：浙江大学深圳研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44