【技术实现步骤摘要】
一种量子点的制备方法
本专利技术涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点的制备方法。
技术介绍
量子点的制备技术有很多种，无论何种方式制备得到的量子点在表层都会存在相应的阴阳离子缺陷，也即是表面生长的不是很完好；量子点表层存在的阴阳离子缺陷会在一定程度上造成激子捕获引起猝灭。针对量子点表面的阴离子缺陷可以通过表面配体修饰剂进行弥补改善，而针对量子点表面的阳离子缺陷在现有技术中主要是采用有机金属阳离子前躯体对量子点表面进行钝化处理，而采用该技术方案处理会造成量子点表面进一步的产生阴离子缺陷，因此现有技术有待改进。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点及其制备方法、量子点发光二极管，旨在解决现有技术无法有效去除量子点表面阳离子缺陷的问题。本专利技术的技术方案如下：一种量子点的制备方法，其中，包括步骤：提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；对所述复合材料中的PAMAM树形分子末梢...
【技术保护点】
1.一种量子点的制备方法，其特征在于，包括步骤：/n提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；/n对所述复合材料中的PAMAM树形分子末梢官能团进行改性处理，使PAMAM树形分子中的胺基转变为油溶性基团，得到油溶性复合材料；/n将所述油溶性复合材料和初始量子点在非极性溶剂中混合，使油溶性复合材料中的金属离子电离后与初始量子点表面的阳离子空位结合，得到所述量子点。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种量子点的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；
对所述复合材料中的PAMAM树形分子末梢官能团进行改性处理，使PAMAM树形分子中的胺基转变为油溶性基团，得到油溶性复合材料；
将所述油溶性复合材料和初始量子点在非极性溶剂中混合，使油溶性复合材料中的金属离子电离后与初始量子点表面的阳离子空位结合，得到所述量子点。
2.根据权利要求1所述量子点的制备方法，其特征在于，所述PAMAM树形分子选自第五代至第十代PAMAM树形分子中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述量子点的制备方法，其特征在于，所述PAMAM树形分子选自第五代和第六代PAMAM树形分子中的一种或两种。
4.根据权利要求1所述量子点的制备方法，其特征在于，所述金属离子的元素种类选自Mn、Zn、Cd、Hg、Pb、In、Ag、Mg、Au、Cu、Li、Al、Cd、In、Cs、Ga和Gd中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述量子点的制备方法，其特征在于，所述对所述复合材料中的PAMAM树形分子末梢官能团进行改性处理，使PAMAM树形分子中的胺基转变为油溶性基团的步骤包括：
将所述复合材料溶解在极性溶剂后加入端基修饰剂，使所述复合材料中的PAMAM树形分子上的胺基官能团与端基修饰剂发生反应转变为油溶性基团，得到所述油溶性复合材料。
6.根据权利要求5所述量子点的制备方法，其特征在于，所述端基修饰剂选自对甲苯磺酰氯、邻甲苯磺酰氯、间甲苯磺酰氯、对二甲氨基苯磺酰氯、邻二甲基苯磺酰氯和间二甲氨基苯磺酰氯中的一种或多种。
7.根据权利要求5所述量子点的制备方法，其特征在于，在20-50℃条件下，将所述复合材料溶解在极性溶剂后加入端基修饰剂，使所述复合材料中的PAMAM树形分子上的胺基官能团与端基修饰剂发生反应转变为油溶性基团，得到所述油溶性复合材料。
技术研发人员：程陆玲，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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