【技术实现步骤摘要】
一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管
本专利技术涉及纳米金属氧化物钝化领域，尤其涉及一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管。
技术介绍
量子点发光二极管（QLED）的器件效率、寿命等技术指标的高低都与器件中的每一个功能层有着密切联系，其中，电子传输层影响着器件的电荷注入水平。金属氧化物纳米颗粒是用于量子点发光二极管的主要材料，金属氧化物纳米颗粒的电子迁移率和能带宽度对器件是影响器件的关键技术，因此制备具有合适电子迁移率和能带宽度的金属氧化物比较重要。常规的合成方法制备得到的金属氧化物纳米颗粒表面存在较多的缺陷，其不仅会影响电子迁移率也会对QLED的其它功能层产生影响。因此，相应的技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种纳米金属氧化物的制备方法，旨在解决现有纳米金属氧化物表面存在较多缺陷的问题。本专利技术的技术方案如下：一种纳米金属氧化物的制备方法，其中，包括步骤：提供一种复合材料，所述复合材料...
【技术保护点】
1.一种纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，包括步骤：/n提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；/n将所述复合材料和初始纳米金属氧化物在极性溶剂中混合，使复合材料中的金属离子电离后与初始纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合，得到所述纳米金属氧化物。/n
【技术特征摘要】
1.一种纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；
将所述复合材料和初始纳米金属氧化物在极性溶剂中混合，使复合材料中的金属离子电离后与初始纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合，得到所述纳米金属氧化物。
2.根据权利要求1所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述PAMAM树形分子选自第五代至第十代PAMAM树形分子中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述所述PAMAM树形分子选自第五代和第六代PAMAM树形分子中的一种或两种。
4.根据权利要求1所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述金属离子的元素种类选自Au、Ag、Cu、Fe、Ni、Zn和Mo中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述纳米金属氧化物选自ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述复合材料中的金属离子与所述初始纳米金属氧化物中的金属离子为相同元素。
7.根据权利要求2所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，当复合材料中的PAMAM树形分子为第五代PAMAM树形分子时，按所述第五代PAMAM树形分子的摩尔量与初始纳米金属氧化物的质量比为1mmol：（1-50）mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合；
和/或，当复合材料中的PAMAM树形分子为第六代PAMAM树形分子时，按所述第六代PAMAM树形分子的摩尔量与初始纳米金属氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：程陆玲，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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