一种中压隔离开关制造技术

本实用新型专利技术提供一种中压隔离开关，包括导电触点、半导体开关桥和控制装置，半导体开关桥并联在导电触点的两端，用于缓冲半导体开关桥的高压电流，控制装置控制半导体开关桥仅在导电触点闭合或断开期间短时间导通。具体地通过控制装置由电流传感器检测导电触点的电流，根据电流方向控制半导体开关桥的每一个门，由电容器充电，缓冲导电触点原本需要产生的电弧。该中压隔离开关能够通过半导体开关桥并在导电触点两端，半导体开关桥能在导电触点的闭合和打开时进行短时间的充放电，有效的缓冲导电触点在闭合或打开的过程的期间原本需要产生的电弧以及稳定电流导通速率。

A medium voltage disconnector

【技术实现步骤摘要】
一种中压隔离开关
本技术涉及电气开关设备
，尤其涉及一种中压隔离开关。
技术介绍
隔离开关是电路中常用的一种装置，它可以通过正面操作或者侧面操作改变其打开或关闭状态。在中高压的交流电路中，虽然隔离开关可以对电路进行保护，但是在打开或关闭隔离开关时，隔离开关都容易会产生电弧。但是都期望在打开或关闭隔离开关时，尽可能地不会产生电弧，以及稳定电流导通的速率。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种能够缓冲打开或关闭时产生电弧以及能够稳定电流导通速率的中压隔离开关。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种中压隔离开关，包括导电触点、半导体开关桥和控制装置，所述半导体开关桥并联在导电触点的两端，用于缓冲半导体开关桥的高压电流，所述控制装置控制半导体开关桥仅在导电触点闭合或断开期间短时间导通。进一步的，还包括电流传感器，电流传感器的检测端设置在导电触点的其中一端，输出端连接到控制装置，所述控制装置根据电流传感器的信号控制半导体开关桥的导通。进一步的，所述半导体开关桥由四个半导体开关和电容桥接形成，根据电流传感器所检测的电流方向选择反向电流方向的两个半导体开关接通。进一步的，所述半导体开关桥具有多个，并且多个半导体开关桥串联。进一步的，所述半导体开关桥的尾端串联有电感器。本技术的有益效果是：通过采用上述技术方案，该中压隔离开关能够通过半导体开关桥并在导电触点两端，半导体开关桥能在导电触点的闭合和打开时进行短时间的充放电，有效的缓冲导电触点在闭合或打开的过程的期间原本需要产生的电弧以及稳定电流导通速率。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术隔离开关的基础电路图；图2是图1电路图的一种等价简化电路图；图3是图1电路图的另一种等价简化电路图；图4是本技术隔离开关的优化方案的电路图。附图标记：1、导电触点；2、半导体开关桥；21、半导体开关；22、电容；3、控制装置；4、电流传感器；5、电感器。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域技术人员可以更好的理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。如图1所示，一种中压隔离开关，包括导电触点1、半导体开关桥2和控制装置3，所述半导体开关桥并联在导电触点的两端，用于缓冲半导体开关桥的高压电流，所述控制装置控制3半导体开关桥仅在导电触点闭合或断开期间短时间导通。该中压隔离开关利用半导体开关桥2与电流对准，能够导通的电流的导电触点1与半导体开关桥2并联，根据导电触点1的闭合和打开时进行充放电，并且只有一侧导通，以保持旁路模式。之后当导电触点1达到稳定后，半导体开关桥2完全断开，并且电流对半导体开关桥2充电停止。半导体开关桥2能够有效的缓冲导电触点1在闭合或打开的过程的期间原本需要产生的电弧。作为一个实施例，半导体开关桥2的导通是通过电流传感器4检测导电触点1的电流信号而开启的。具体的，半导体开关桥2由四个半导体开关21和电容22桥接形成，四个半导体开关21，根据导电触点1的闭合和断开，以及经过导电触点1的电流方向，仅接通反向电流方向的两个半导体开关21的一侧，正向电流方向的两个半导体开关21的一侧不接通，以保持旁路模式。图1为该实施例的电路图，图3是图1的一种等效电路图，由于元器件耐压性能的原因不能作为具体的实施，但是可以作为图1的模拟电路图使用。该电路中，半导体开关桥2存在由控制装置3打开和关闭四个半导体开关S1、S2、S3、S4。控制装置3由电流传感器4检测导电触点的电流，根据电流方向控制半导体开关桥2的每一个门，由电容器C充电，缓冲导电触点1原本需要产生的电弧。当半导体开关桥2接收到命令时，例如，当电流从图1的左侧流向右侧时，首先，半导体开关S2和S4接通。保持导电状态，直到导电触点1连接稳定或断开稳定，半导体开关桥2关闭，同时留下电容C的电荷，也会重新卸放到电路中流向负载的方向。因此，还可以在半导体开关桥2的尾端串联有电感器5，电容C的电荷会被电感L所消耗，不会被施加到负载上，防止脉冲电流冲入负载。图2为电流从图1的左侧流向右侧时的一种等效电路图，用于作为参考。同理的，当电流从图的右侧流向左侧时，使半导体开关S1和S3接通。双向接通可以通过为电容C选择一对半导体开关S1和S3、S2和S4电流来实现。由于，电容C作为缓冲时受到的冲击比较大，单个电容C不一定可以承受这个电压，可以选择将多个电容串联起来，增加电容的耐压值。但是由于半导体开关桥2通常作为一个整体，因此如图4所示，将多个半导体开关桥2串联起来，达到多个电容串联起来的目的。但是电容C串联的数量也不宜太多会影响容值。本技术的上述实施例并不是对本技术保护范围的限定，本技术的实施方式不限于此，凡此种种根据本技术的上述内容，按照本领域的普通技术知识和惯用手段，在不脱离本技术上述基本技术思想前提下，对本技术上述结构做出的其它多种形式的修改、替换或变更，均应落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中压隔离开关，其特征在于：包括导电触点、半导体开关桥和控制装置，所述半导体开关桥并联在导电触点的两端，用于缓冲半导体开关桥的高压电流，所述控制装置控制半导体开关桥仅在导电触点闭合或断开期间短时间导通。/n

【技术特征摘要】
1.一种中压隔离开关，其特征在于：包括导电触点、半导体开关桥和控制装置，所述半导体开关桥并联在导电触点的两端，用于缓冲半导体开关桥的高压电流，所述控制装置控制半导体开关桥仅在导电触点闭合或断开期间短时间导通。


2.根据权利要求1所述的一种中压隔离开关，其特征在于：还包括电流传感器，电流传感器的检测端设置在导电触点的其中一端，输出端连接到控制装置，所述控制装置根据电流传感器的信号控制半导体开关桥的导通。


3.根据权利要求2所述的一种中压隔离开关，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：林永林，
申请(专利权)人：广州通开电气设备有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44