量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层的材料包括量子点和分散在所述量子点之间的多巴胺。该量子点发光二极管含有一层稳定、均匀、致密、界面缺陷少的量子点发光层，使得器件具有很好的发光效率和使用寿命。

Quantum dot led and its preparation

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管(Quantumdotlight-emittingdiode,QLED)是一种新兴的显示器件，其结构与有机发光二极管(Organiclight-emittingdiode,OLED)相似，主要由发光层、电极、以及各种功能层组装成三明治结构。与传统发光二极管以及OLED相比，QLED的主要特点是其发光材料采用性能更优异、材料更稳定的无机半导体量子点，其具有独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、表面效应等特点，使其展现出出色的物理性质，尤其是优异的光学性能，如发射光谱窄、光色纯度高、发光效率高、发光颜色可调、发光稳定性好等。此外，使用量子点组装成的QLED器件具有寿命长、色纯度高、稳定性好、寿命长、色温佳、制备工艺简单等优点，有望成为下一代的平板显示器，具有广阔的发展前景。正是由于QLED与OLED之间的差异，QLED器件结构中采用量子点纳米颗粒作为发光材料，且通常使用载流子传输性能优异的金属氧化物或金属硫化物等纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层的材料包括量子点和分散在所述量子点之间的多巴胺。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层的材料包括量子点和分散在所述量子点之间的多巴胺。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述多巴胺与所述量子点的质量比为1:(15～240)。


3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为6～28nm。


4.如权利要求1-3任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层与所述阳极之间设置有空穴功能层；和/或
所述量子点发光层与所述阴极之间设置有电子功能层；和/或
所述多巴胺与所述量子点的质量比为1:(120～200)。


5.如权利要求1-3任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层的材料还包括用于提高所述多巴胺自聚效果的调节剂，所述调节剂的质量为所述多巴胺的质量的0.2-30％。


6.如权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述调节剂选自三(羟甲基)...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁柱荣，曹蔚然，钱磊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44