COT控制Buck转换器瞬态响应增强电路制造技术

本发明专利技术提供一种COT控制Buck转换器瞬态响应增强电路，包括：一驱动控制模块、一第一PMOS管、一第一NMOS管、一电感、一电压输出端、一第一电阻、一第一电容、一第二电阻、一第一比较器、一第二比较器、一逻辑控制模块、一RS触发器模块和一定时器模块。本发明专利技术的一种COT控制Buck转换器瞬态响应增强电路，采用比较器产生控制信号并用简单的逻辑控制实现瞬态增强的功能，功耗小，所占面积小，并且结构简单易于实现。

Transient response enhancement circuit of cot controlled buck converter

【技术实现步骤摘要】
COT控制Buck转换器瞬态响应增强电路
本专利技术涉及瞬态响应增强电路领域，尤其涉及一种COT控制Buck转换器瞬态响应增强电路。
技术介绍
相比于线性稳压器，直流-直流(DC-DC)开关电源以其高转换效率的优点被深入研究，并且被广泛应用到很多电子产品中。而降压(Buck)转换器是目前市场上最广泛使用的一种类型。一般有电压控制、电流控制、迟滞控制进行控制，恒定导通时间(COT)控制是在迟滞控制的基础上发展起来的。它的结构简单，不需要误差放大器，系统响应速度快。随着电子技术的发展，许多电子产品都有低功耗的要求，因此会额外设计休眠模式以减小功耗。从休眠模式切换为工作模式时，输出电压会瞬间降低，通过一段时间后才能恢复稳定值，这个恢复时间反映了Buck转换器的瞬态响应性能。请参阅图1，现有的一种COT控制Buck转换器的基本结构，包括比较器模块Comp1、定时器模块1、RS触发器模块2、驱动控制模块DC、上功率PMOS管P1、下功率NMOS管N1等。输出电压Vout与参考电压Vin1通过比较器模块Comp1进行比较，当Vout低于Vin1时，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种COT控制Buck转换器瞬态响应增强电路，其特征在于，包括：/n一驱动控制模块；/n一第一PMOS管，所述第一PMOS管的栅极连接所述驱动控制模块，所述第一PMOS管的源极连接一电压输入端；/n一第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极连接所述驱动控制模块，所述第一NMOS管的源极连接一接地端，所述第一NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极；/n一电感，所述电感的第一端连接所述第一PMOS管的漏极；/n一电压输出端，所述电压输出端连接所述电感的第二端；/n一第一电阻，/n一第一电容，所述第一电阻和所述第一电容串联于所述电压输出端与所述接地端之间；/n一第二电阻，所述第二电阻连接于...

【技术特征摘要】
1.一种COT控制Buck转换器瞬态响应增强电路，其特征在于，包括：
一驱动控制模块；
一第一PMOS管，所述第一PMOS管的栅极连接所述驱动控制模块，所述第一PMOS管的源极连接一电压输入端；
一第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极连接所述驱动控制模块，所述第一NMOS管的源极连接一接地端，所述第一NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极；
一电感，所述电感的第一端连接所述第一PMOS管的漏极；
一电压输出端，所述电压输出端连接所述电感的第二端；
一第一电阻，
一第一电容，所述第一电阻和所述第一电容串联于所述电压输出端与所述接地端之间；
一第二电阻，所述第二电阻连接于所述电压输出端与所述接地端之间；
一第一比较器，所述第一比较器的正相输入端连接一第一基准电压输入端，所述第一比较器的反相输入端连接所述电压输出端；
一第二比较器，所述第二比较器的正相输入端连接一第二基准电压输入端，所述第二比较器的反相输入端连接所述电压输出端；
一逻辑控制模块，所述逻辑控制模块的第一输入端连接所述第一比较器，所述逻辑控制模块的第二输入端连接所述第二比较器，所述逻辑控制模块的第三输入端连接一定时器模块；
一RS触发器模块，所述RS触发器模块的S端连接所述逻辑控制模块的第一输出端，所述RS触发器模块的R端连接所述逻辑控制模块的第二输出端；所述RS触发器模块的反向输出端连接所述驱动控制模块；和
所述定时器模块，所述定时器模块连接所述第一基准电压输入端、所述逻辑控制模块的第三输入端和所述RS触发器模块的反向输出端。


2.根据权利要求1所述的COT控制Buck转换器瞬态响应增强电路，其特征在于，所述第二比较器包括：
一第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极连接所述电压输入端，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的栅极；
一第一电流源，所述第一电流源连接于所述第二PMOS管的漏极与所述接地端之间；
一第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极连接所述电压输入端，所述第三PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极；
一第二电容，所述第二电容连接于所述第三PMOS管漏极与所述接地端之间；
一第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极连接所述电压输入端，所述第四PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的栅极；
一第二电流源，所述第二电流源连接于所述第四PMOS管的漏极与所述接地端之间；
一第五PMOS管，所述第五PMOS管的源极连接所述电压输入端，所述PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海华，赵杰友，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31