【技术实现步骤摘要】
镀膜材料的成型方法
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种镀膜材料的成型方法。
技术介绍
在半导体工艺中,于晶圆上加工制作各种电路元件结构,而使晶圆成为有特定电性功能之IC产品。对于计算机产品而言,晶圆的品质影响着整个计算机的性能。晶圆背金工艺是一种在晶圆的背面淀积金属的工艺,是连接前部芯片与后部装配的重要工艺,直接影响到后续的装配成品率、热阻等,对器件的可靠性有着重要影响。而在背金工艺中,使用的镀膜材料的洁净度对晶圆的性能有着重要的影响。现有技术中背金工艺中使用的镀膜材料存在受二次污染的问题,这是由于通常在市面上买到的镀膜材料量很大,在进行背金工艺的时候,所需要的镀膜材料很少,这就需要通过将熔化的镀膜材料液体浇注入铸型内,经冷却凝固获得所需形状和性能的镀膜材料,这样二次铸造的过程中,会出现镀膜材料被二次污染的问题,并且生产成本高。所以如何避免镀膜材料受二次污染以保证镀膜材料的纯度,这是目前急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种镀膜材料的成型 ...
【技术保护点】
1.一种镀膜材料的成型方法,其特征在于,包括步骤:/n提供镀膜材料;/n对所述镀膜材料进行挤压处理;/n经过挤压处理后,对所述镀膜材料进行拉拔处理;/n经过拉拔处理后,对所述镀膜材料进行切段。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种镀膜材料的成型方法,其特征在于,包括步骤:
提供镀膜材料;
对所述镀膜材料进行挤压处理;
经过挤压处理后,对所述镀膜材料进行拉拔处理;
经过拉拔处理后,对所述镀膜材料进行切段。
2.如权利要求1所述的镀膜材料的成型方法,其特征在于,所述挤压处理中,挤压温度为50-80℃。
3.如权利要求1或2所述的镀膜材料的成型方法,其特征在于,所述挤压处理中,所述挤压压力为20MPa-50MPa。
4.如权利要求1所述的镀膜材料的成型方法,所述拉拔处理为至少两道次拉拔处理。
5.如权利要求4所述的镀膜材料的成型方法,其特征在于,当所述拉拔处理为两道次时,每道次拉拔减薄量为0-0.05mm。
技术研发人员:姚力军,潘杰,王学泽,曹欢欢,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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