【技术实现步骤摘要】
一种基于柔性衬底的Ga2O3纳米柱光催化材料及制备方法
本专利技术涉及一种氧化镓纳米柱光催化领域，具体是涉及一种基于柔性衬底的Ga2O3纳米柱阵列及其制备方法
技术介绍
随着人类科技的不断发展，能源危机和环境污染问题逐渐成为制约全球各国经济发展的重要因素。光催化过程可以利用光能将废气、工业废水分解为水和二氧化碳等无机小分子物质，或者通过光解水制氢获取清洁能源，因而在环境和能源领域具有广阔的应用前景。目前已开发出各种各样的光催化剂，其中Ga2O3作为一种新型的宽禁带半导体，禁带宽度为4.8eV，具有良好的化学稳定性和热稳定性，其宽带隙大大提高了光生电子的迁移速率有效促进了电荷的分离。与商业TiO2颗粒相比，Ga2O3具有更好的光催化性能，因为它能够为光生电荷载体提供更合适的氧化还原电位，从而为光催化提供更高的驱动力。同时Ga2O3也是一种环境友好型材料，无毒性，因此在光催化领域有一定的优势。目前报道的关于Ga2O3作为光催化研究中多采用水热法或溶液沉淀法合成纳米粒子或纳米柱形态的Ga2O3催化剂，并与废水组成的...
【技术保护点】
1.一种基于柔性衬底的Ga
【技术特征摘要】
1.一种基于柔性衬底的Ga2O3纳米柱光催化材料，其特征在于，包括柔性衬底层，位于所述柔性衬底层上的SnO2籽晶层，位于所述SnO2籽晶层上的Ga2O3纳米柱阵列，所述Ga2O3纳米柱阵列由若干Ga2O3纳米柱间隔阵列排布而成，所述Ga2O3纳米柱的横截面为四边形。
2.根据权利要求1所述的基于柔性衬底的Ga2O3纳米柱光催化材料，其特征在于，所述Ga2O3纳米柱的柱高为1～2μm，横截面对角线长度为80～500nm。
3.根据权利要求1所述的基于柔性衬底的Ga2O3纳米柱光催化材料，其特征在于，所述Ga2O3纳米柱阵列为α-Ga2O3纳米柱阵列、α/β-Ga2O3相结纳米柱阵列或β-Ga2O3纳米柱阵列。
4.根据权利要求1所述的基于柔性衬底的Ga2O3纳米柱光催化材料，其特征在于，所述柔性衬底层为柔性玻璃纤维衬底。
5.一种制备权利要求1-4任一项的基于柔性衬底的Ga2O3纳米柱光催化材料的方法，其特征在于，包括：
在真空下通过射频磁控溅射在柔性衬底上沉积一层SnO2薄膜，并退火，形成柔性衬底/SnO2籽晶层；
将柔性衬底/SnO2籽晶层置于Ga(NO3)3水溶液中，水热反应，形成GaOOH纳米柱阵列；
在400℃一次煅烧4...
【专利技术属性】
技术研发人员：王顺利，孙翰林，郭道友，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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