电子组件及电子组件模块制造技术

本发明专利技术提供一种电子组件，其包括：绝缘层；低电压导体图案，其形成于上述绝缘层内；高电压导体图案，其以与上述低电压导体图案在上下方向上对置的方式形成于上述绝缘层内；以及导电性的耐压保持构造，其以俯视下伸出到比上述低电压导体图案靠外侧的方式在上述绝缘层内沿着上述高电压导体图案形成。

Electronic components and electronic component modules

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子组件及电子组件模块
本专利技术涉及一种电子组件及电子组件模块。
技术介绍
在例如电力电子的领域中，正在推进具有互相对置配置的一对线圈的转换器的开发。专利文献1公开了具有一对电感器的转换器。一方的电感器以中心轴为旋转轴旋转180°而与另一方的电感器对置配置。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013－115131号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在包括隔着绝缘层互相对置的低电压导体图案及高电压导体图案的电子组件中，在低电压导体图案及高电压导体图案之间的区域形成电场。该电场具有向高电压导体图案侧集中的倾向。这样的电场集中的发生可能成为提高耐压方面的弊病。因此，本专利技术的一实施方式提供一种缓和相对于高电压导体图案的电场集中，能够提高耐压的电子组件及电子组件模块。用于解决课题的方案本专利技术的一实施方式提供电子组件，其特征在于，包括：绝缘层；低电压导体图案，其形成于上述绝缘层内；高电压导体图案，其以与上述低电压导体图案在上下方向上对置的方式形成于上述绝缘层内；以及导电性的耐压保持构造，其以俯视下伸出到比上述低电压导体图案靠外侧的方式在上述绝缘层内沿着上述高电压导体图案形成。根据该电子组件，能够利用导电性的耐压保持构造缓和相对于高电压导体图案的电场集中。由此，能够提供能够提高耐压的电子组件。本专利技术的一实施方式提供一种电子组件，包括：绝缘层；低电压导体图案，其形成于上述绝缘层内；高电压导体图案，其以与上述低电压导体图案在上下方向上对置的方式形成于上述绝缘层内；低电压焊盘，其形成于上述绝缘层之上，且与上述低电压导体图案电连接，高电压焊盘，其俯视下从上述低电压焊盘隔开间隔地形成于上述绝缘层之上，且与上述高电压导体图案电连接；以及导电性的焊盘侧耐压保持构造，其以俯视下沿着上述高电压焊盘的周缘的方式形成于上述绝缘层内。根据该电子组件，能够利用导电性的焊盘侧耐压保持构造缓和相对于高电压焊盘的电场集中。由此，能够提供能够提高耐压的电子组件。本专利技术的一实施方式提供一种电子组件，包括：第一绝缘层，其具有第一绝缘击穿强度；低电压导体图案，其形成于上述第一绝缘层内；高电压导体图案，其以与上述低电压导体图案在上下方向上对置的方式形成于上述第一绝缘层内；低电压配线，其在上述第一绝缘层内在沿着上述第一绝缘层的表面的方向上从上述高电压导体图案隔开间隔地形成，与上述低电压导体图案电连接，且在与上述高电压导体图案之间形成具有上述第一绝缘击穿强度以下的第一值的电场；导电性的电场增强构造，其在上述第一绝缘层内介于上述高电压导体图案及上述低电压配线之间的区域，且在与上述低电压配线之间形成具有上述第一绝缘击穿强度以下且上述第一值以上的第二值的电场；以及第二绝缘层，其形成于上述第一绝缘层之上，且具有上述第一绝缘击穿强度以下的第二绝缘击穿强度。对未形成电场增强构造的情况进行考虑。在该情况下，高电压导体图案相对于低电压导体图案形成于靠近第二绝缘层的位置。因此，集中到高电压导体图案的电场也成为对第二绝缘层的负荷。因此，在高电压导体图案的电场强度超过第二绝缘层的第二绝缘击穿强度的情况下，可能在第二绝缘层产生绝缘击穿。对于此，在该电子组件中，在第一绝缘层内，在高电压导体图案及低电压配线之间的区域形成有导电性的电场增强构造。由此，高电压导体图案及低电压配线之间的电场实质上被电场增强构造及低电压配线之间的距离支配。由此，能够缓和相对于高电压导体图案的电场集中。而且，也能够利用导电性的电场增强构造遮蔽形成于低电压导体图案及高电压导体图案之间的电场。因此，能够在具有超过第二绝缘击穿强度的第一绝缘击穿强度的第一绝缘层中增加电场强度，另一方面，能够降低具有第一绝缘击穿强度以下的第二绝缘击穿强度的第二绝缘层的电场强度。也就是，在电子组件中，通过特意增加绝缘击穿强度大的第一绝缘层侧的电场强度，能够降低绝缘击穿强度低的第二绝缘层侧的电场强度。由此，在第二绝缘层中，能够抑制因相对于高电压导体图案的电场集中而引起的绝缘击穿。由此，能够提供能够提高耐压的电子组件。本专利技术的上述的及再其它目的、特征以及效果通过接下来参照附图描述的实施方式的说明将明了。附图说明图1是装入有本专利技术的第一实施方式的电子组件的电子组件模块的俯视图。图2是表示上述电子组件模块的连接方式及各部分的电位的图。图3是用于对上述电子组件的平面构造进行说明的图。图4是用于对上述电子组件的下线圈的平面构造进行说明的图。图5是用于对上述电子组件的上线圈的平面构造进行说明的图。图6是沿着图3的VI－VI线的剖视图。图7是沿着图3的VII－VII线的剖视图。图8是表示上述电子组件的比较方式的结构的剖视图。图9是沿着图8的IX－IX线的剖视图。图10是比较本专利技术的比较方式的电子组件的平均绝缘击穿电压及本专利技术的第一实施方式的电子组件的平均绝缘击穿电压的图表。图11是比较本专利技术的比较方式的电子组件的绝缘击穿电压的偏差及本专利技术的第一实施方式的电子组件的绝缘击穿电压的偏差的图表。图12是用于对本专利技术的第二实施方式的电子组件的上线圈的平面构造进行说明的图。图13是图12所示的区域XIII的放大图。图14是图13所示的区域XIV的放大图。图15是图13所示的区域XV的放大图。图16是沿着图12所示的XVI-XVI线的剖视图。图17是沿着图12所示的XVII-XVII线的剖视图。图18是通过模拟求出第一耐压保持构造的伸出量与电场强度的关系的图表。图19是通过模拟求出第二假导体图案的个数与电场强度的关系的图表。图20是比较本专利技术的参考例的电子组件的平均绝缘击穿电压及本专利技术的第二实施方式的电子组件的平均绝缘击穿电压的图表。图21是与图16对应的部分的图，是本专利技术的第三实施方式的电子组件的剖视图。图22是与图14对应的部分的图，是用于对本专利技术的第四实施方式的电子组件的第一上线圈侧的平面构造进行说明的图。图23是表示图22所示的电子组件的样品的上线圈的俯视图。图24是表示图22所示的电子组件的样品的上线圈的俯视图。图25是表示图22所示的电子组件的样品的上线圈的俯视图。图26是表示图23所示的样品、图24所示的样品、以及图25所示的样品的电场强度的测定结果的图表。图27是比较本专利技术的参考例的电子组件的平均绝缘击穿电压、图23所示的样品的平均绝缘击穿电压、图24所示的样品的平均绝缘击穿电压、以及图25所示的样品的平均绝缘击穿电压的图表。图28是用于对本专利技术的第五实施方式的电子组件进行说明的剖视图。图29是用于对图28所示的电子组件的效果进行说明的图。图30是用于对图28所示的电子组件的效果进行说明的图。图31是用于对本专利技术的第六实施方式的电子组件的平面构造进行说明的图。图3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子组件，其特征在于，包括：/n绝缘层；/n低电压导体图案，其形成于上述绝缘层内；/n高电压导体图案，其以与上述低电压导体图案在上下方向上对置的方式形成于上述绝缘层内；以及/n导电性的耐压保持构造，其以俯视下伸出到比上述低电压导体图案靠外侧的方式在上述绝缘层内沿着上述高电压导体图案形成。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171013 JP 2017-1998771.一种电子组件，其特征在于，包括：
绝缘层；
低电压导体图案，其形成于上述绝缘层内；
高电压导体图案，其以与上述低电压导体图案在上下方向上对置的方式形成于上述绝缘层内；以及
导电性的耐压保持构造，其以俯视下伸出到比上述低电压导体图案靠外侧的方式在上述绝缘层内沿着上述高电压导体图案形成。


2.根据权利要求1所述的电子组件，其特征在于，
上述低电压导体图案包括螺旋状的低电压线圈，
上述高电压导体图案包括螺旋状的高电压线圈，
由上述低电压线圈及上述高电压线圈形成了变压器。


3.根据权利要求2所述的电子组件，其特征在于，
上述耐压保持构造包括以相对于上述高电压线圈的螺旋图案不连续的图案沿着上述高电压线圈延伸的假导体图案。


4.根据权利要求3所述的电子组件，其特征在于，
上述假导体图案是有端状。


5.根据权利要求3或4所述的电子组件，其特征在于，
上述高电压线圈包括内侧末端及外侧末端，
上述假导体图案与上述高电压线圈的上述外侧末端固定为相同电位。


6.根据权利要求5所述的电子组件，其特征在于，
上述高电压线圈的上述内侧末端俯视下位于上述低电压线圈的内侧的区域，
上述高电压线圈的上述外侧末端俯视下位于上述低电压线圈的外侧的区域，
上述假导体图案从上述高电压线圈的上述外侧末端引出。


7.根据权利要求3～6中任一项所述的电子组件，其特征在于，
上述耐压保持构造包括沿着从上述高电压线圈分离的方向隔开间隔地形成的多个上述假导体图案。


8.根据权利要求2～7中任一项所述的电子组件，其特征在于，
上述高电压线圈包括：俯视下在与上述低电压线圈对置的区域中外卷的第一螺旋区域；以及俯视下在上述低电压线圈外的区域中从上述第一螺旋区域连续地外卷的第二螺旋区域，
上述耐压保持构造包括上述高电压线圈的上述第二螺旋区域。


9.根据权利要求2～7中任一项所述的电子组件，其特征在于，
上述高电压线圈的第一匝数比上述低电压线圈的第二匝数大。


10.根据权利要求9所述的电子组件，其特征在于，
上述第一匝数及上述第二匝数之间的差是5以上。


11.根据权利要求1所述的电子组件，其特征在于，
上述低电压导体图案包括平板状的低电压侧电容器导体膜，
上述高电压导体图案包括平板状的高电压侧电容器导体膜，
由上述低电压侧电容器导体膜及上述高电压侧电容器导体膜形成了电容。


12.根据权利要求11所述的电子组件，其特征在于，
上述耐压保持构造包括假导体图案，该假导体图案沿着上述高电压导体图案延伸，且与上述高电压导体图案固定为相同电位。


13.根据权利要求12所述的电子组件，其特征在于，
上述假导体图案与上述高电压导体图案一体形成。


14.根据权利要求12所述的电子组件，其特征在于，
上述假导体图案从上述高电压导体图案隔开间隔地形成。


15.一种电子组件，其特征在于，包括：
绝缘层；
低电压导体图案，其形成于上述绝缘层内；
高电压导体图案，其以与上述低电压导体图案在上下方向上对置的方式形成于上述绝缘层内；
低电压焊盘，其形成于上述绝缘层之上，且与上述低电压导体图案电连接，
高电压焊盘，其俯视下从上述低电压焊盘隔开间隔地形成于上述绝缘层之上，且与上述高电压导体图案电连接；以及
导电性的焊盘侧耐压保持构造，其以俯视下沿着上述高电压焊盘的周缘的方式形成于上述绝缘层内。


16.根据权利要求15所述的电子组件，其特征在于，
上述低电压导体图案包括螺旋状的低电压线圈，
上述高电压导体图案包括螺旋状的高电压线圈，
由上述低电压线圈及上述高电压线圈形成了变压器。


17.根据权利要求16所述的电子组件，其特征在于，
上述焊盘侧耐压保持构造包括焊盘侧假导体图案，该焊盘侧假导体图案俯视下以相对于上述高电压线圈的螺旋图案不连续的图案沿着上述高电压焊盘的周缘延伸。


18.根据权利要求17所述的电子组件，其特征在于，
上述焊盘侧耐压保持构造包括沿着从上述高电压焊盘分离的方向隔开间隔地形成的多个上述焊盘侧假导体图案。


19.根据权利要求18所述的电子组件，其特征在于，
与上述高电压焊盘最接近的上述焊盘侧假导体图案及上述高电压焊盘之间的距离为上述高电压导体图案及上述低电压导体图案之间的纵向距离以下。


20.根据权利要求18或19所述的电子组件，其特征在于，
还包括导电性的线圈侧耐压保持构造，该线圈侧耐压保持构造在上述绝缘层内沿着上述高电压导体图案形成，且在俯视下伸出到比上述低电压导体图案靠外侧。


21.根据权利要求20所述的电子组件，其特征在于，
上述线圈侧耐压保持构造包括线圈侧假导体图案，该线圈侧假导体图案以相对于上述高电压线圈的螺...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中岳利，长田光生，有村昌彦，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP