【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成二氧化硅膜的组合物、二氧化硅膜的制造方法和二氧化硅膜
本公开涉及一种用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层的制造方法以及由其制造的二氧化硅层。
技术介绍
在平板显示装置中，包括栅电极、源电极、漏电极和半导体的薄膜晶体管(TFT)被用作开关元件。平板显示装置包括用于传输用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和用于传输要施加至像素电极的信号的数据线。另外，在半导体和各种电极之间形成用于将它们分离的绝缘层。该绝缘层可以是包括硅成分的二氧化硅层。通常，对用于形成二氧化硅层的组合物进行了许多研究，通过使用聚硅氮烷、聚硅氧烷或其混合物在图案化的基材形成涂膜，然后将转换为氧化物膜来制造二氧化硅层，并且这种二氧化硅层可在图案内部表现出改善的机械和化学强度。
技术实现思路
根据本专利技术，在覆盖图案的内部和图案的上部的二氧化硅层中，图案内部和图案上部的蚀刻速率满足预定关系，从而可以在后续工艺中选择性地除去图案内部的二氧化硅层。这样的二氧化硅层可用于半导体和显示工艺中的各种应用。本专利技术的一个...
【技术保护点】
1.一种用于形成二氧化硅层的组合物，其包含：/n含硅聚合物和溶剂，/n其中由所述用于形成二氧化硅层的组合物形成的二氧化硅层满足关系式1：/n[关系式1]/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171013 KR 10-2017-01335311.一种用于形成二氧化硅层的组合物，其包含：
含硅聚合物和溶剂，
其中由所述用于形成二氧化硅层的组合物形成的二氧化硅层满足关系式1：
[关系式1]
其中，在关系式1中，
a是图案上部的蚀刻速率，
b是图案内部的蚀刻速率，
h是图案上部的层厚度，
t是图案长度，
n是图案间隔：
在关系式1中，“图案”是指在其上涂覆所述用于形成二氧化硅层的组合物的基板上形成的图案。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述含硅聚合物是有机-无机聚硅氮烷、有机-无机聚硅氧烷或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中在关系式1中，a和b是通过湿蚀刻方法获得的蚀刻速率。
4.根据权利要求1所述的组合物，其中由所述用于形成二氧化硅层的组合物形成的二氧化硅层满足关系式2：
[关系式2]
其中，在关系式2中，
a和b与关系式1中定义的相同。
5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述含硅聚合物包含由化学式1表示的部分和由化学式2表示的部分中的至少一个：
[化...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢健培，郭泽秀，张俊英，具仑永，金龙国，金真教，裵镇希，司空峻，徐珍雨，沈秀妍，尹熙灿，李知虎，韩权愚，黄丙奎，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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