DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质技术

本发明专利技术涉及一种DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质，设备包括用于提供环境温度控制的老化柜，及连接并控制所述老化柜的通信控制模块，以及用于放置被测试DRAM芯片的测试板，所述测试板包括有用于测试DRAM芯片的SSD主控模块，所述SSD主控模块通过高速DRAM接口连接多个DRAM芯片进行测试。本发明专利技术通过在测试板上使用SSD主控模块来同时连接多个DRAM芯片进行老化测试，在保证单个DRAM芯片的测试效率不受影响的前提下，大大提高了DRAM芯片老化测试设备的同测数量，进而提高了DRAM芯片老化测试的效率。

DRAM chip aging test equipment, method, computer equipment and storage medium

【技术实现步骤摘要】
DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质
本专利技术涉及老化测试，更具体地说是指一种DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质。
技术介绍
DRAM芯片是动态随机存取存储器，DRAM存储芯片只能将数据保持很短的时间，所以需要定时刷新。生产过程中，需要对DRAM芯片进行功能测试，实现自动加载DRAM芯片所需测试的程序并能集成功能测试，通过系列的老化、功能测试，将被测试的DRAM芯片进行筛选，以分出Good或NG或其它等级。业界目前依托AdvantestSystem/TeradyneSystem进行BURNIN测试->CORE测试->Speed测试。DRAM测试设备主要依靠国外半导体设备厂商提供测试平台，资源稀缺。具体的测试流程包括：BURNIN测试为高低温下低速老化测试和颗粒修复测试；CORE测试为DRAMARRAYCOREFrequency测试；Speed测试为高速测试。其中，CORE测试能同测数量少，测试速率低，测试设备贵，成本高；Speed测试能同测数量也少，设备也非常贵。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种DRAM芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：第一方面，本专利技术提出一种DRAM芯片老化测试设备，包括用于提供环境温度控制的老化柜，及连接并控制所述老化柜的通信控制模块，以及用于放置被测试DRAM芯片的测试板，所述测试板包括有用于测试DRAM芯片的SSD主控模块，所述SSD主控模块通过高速DRAM接口连接多个DRAM芯片进行测试。第二方面，本专利技术还提出一种DRAM芯片老化测试方法，基于如上所述的DRAM芯片老化测试设备，包括以下步骤：将DRAM芯片放置在测试板，同时根据测试板编号生成对应的DRAM分布文件，DRAM芯片放置完成后将测试板连接老化柜，所述的DRAM分布文件包括DRAM芯片在测试板上的放置位置信息；获取来自控制终端的控制指令和测试程序；通过测试板上的SSD主控模块运行测试程序，驱动对应的DRAM芯片进行相应的老化测试以得到测试数据，老化柜根据控制指令进行温度控制；将测试数据通过通信控制模块上传到控制终端，并根据DRAM分布文件和测试数据生成相应的测试信息文件，所述测试信息文件包括DRAM芯片在测试板上的放置位置信息，以及对应DRAM芯片的测试数据；根据测试信息文件自动分选对应测试板上的DRAM芯片。第三方面，本专利技术还提出一种计算机设备，所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述的DRAM芯片老化测试方法。第四方面，本专利技术还提出一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现如上所述的DRAM芯片老化测试方法。本专利技术与现有技术相比的有益效果是：本专利技术通过在测试板上使用SSD主控模块来同时连接多个DRAM芯片进行老化测试，在保证单个DRAM芯片的测试效率不受影响的前提下，大大提高了DRAM芯片老化测试设备的同测数量，进而提高了DRAM芯片自动老化测试的效率。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步描述。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种DRAM芯片老化测试设备的应用示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种DRAM芯片老化测试设备的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种DRAM芯片老化测试方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种DRAM芯片老化测试方法的子流程示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种DRAM芯片老化测试方法的子流程示意图；图6为本专利技术实施例提供的计算机设备的示意性框图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。还应当理解，在此本专利技术说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本专利技术。如在本专利技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。还应当进一步理解，在本专利技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。参考图1和2，本专利技术提出了一种DRAM芯片老化测试设备，包括用于提供环境温度控制的老化柜，及连接并控制老化柜的通信控制模块30，以及用于放置被测试DRAM芯片12的测试板10，测试板10包括有用于测试DRAM芯片12的SSD主控模块11，SSD主控模块11通过其本身的高速DRAM接口连接多个DRAM芯片12进行测试，SSD主控模块11可以同时通过DRAM接口连接多个DRAM芯片12进行老化测试，在保证单个DRAM芯片12的测试效率不受影响的前提下，大大提高了DRAM芯片老化测试设备的同测数量，进而提高了DRAM芯片老化测试的效率。其中，SSD主控模块11集成的DDRPHY(物理层接口，PhysicalInterface)，能够对DRAM芯片12进行测试。利用SSD主控模块11的本身的高速DRAM接口进行DRAM的高速测试，以MARVELL88SS1100为例，DDR4最高可支持1200MHZ的频率。如图2所示，利用SSD主控模块11的ADD/CMDflyby的走线及SSD主控模块11多达32个DDRI/O接口可以同时测试多个DRAM芯片12来提高同测数量，以位宽为8的DRAM芯片12为例，一个SSD主控模块11最高可同时测试4个DRAM芯片12，而每一个测试板10上可以同时设置多个SSD主控模块11，每一台老化柜可以同时连接测试多个测试板10，也即是可以同时测试多个DRAM芯片12。具体的，老化柜用于提供测试板10的测试环境和装载条件，老化柜内设置有包含多层放置位的测试架，测试板10对应设置于测试架的放置位上进行老化测试。其中，测试板10上的SSD主控模块11通过本身的高速DRAM接口连接DRAM芯片12进行测试，以使测试板10可以同时通过DRAM接口连接多个DRAM芯片12进行老化测试，在保证单个DRAM芯片12的测试效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DRAM芯片老化测试设备，其特征在于，包括用于提供环境温度控制的老化柜，及连接并控制所述老化柜的通信控制模块，以及用于放置被测试DRAM芯片的测试板，所述测试板包括有用于测试DRAM芯片的SSD主控模块，所述SSD主控模块通过高速DRAM接口连接多个DRAM芯片进行测试。/n

【技术特征摘要】
1.一种DRAM芯片老化测试设备，其特征在于，包括用于提供环境温度控制的老化柜，及连接并控制所述老化柜的通信控制模块，以及用于放置被测试DRAM芯片的测试板，所述测试板包括有用于测试DRAM芯片的SSD主控模块，所述SSD主控模块通过高速DRAM接口连接多个DRAM芯片进行测试。


2.根据权利要求1所述的DRAM芯片老化测试设备，其特征在于，所述通信控制模块的受控端连接有控制终端，通信控制模块的控制端通过连接器连接所述老化柜，控制终端下发控制指令到通信控制模块并控制老化柜工作，老化柜通过通信控制模块上传测试数据。


3.根据权利要求1所述的DRAM芯片老化测试设备，其特征在于，所述老化柜内设置有包含多层放置位的测试架，所述测试板对应设置于所述测试架的放置位上进行老化测试。


4.根据权利要求3所述的DRAM芯片老化测试设备，其特征在于，所述老化柜内设置有温度可调节的温控腔体，所述测试架设置于所述温控腔体内，通过调节温控腔体的温度以调节测试架的环境温度。


5.一种DRAM芯片老化测试方法，其特征在于，基于权利要求1-4所述的DRAM芯片老化测试设备，包括以下步骤：
将DRAM芯片放置在测试板，同时根据测试板编号生成对应的DRAM分布文件，DRAM芯片放置完成后将测试板连接老化柜，所述的DRAM分布文件包括DRAM芯片在测试板上的放置位置信息；
获取来自控制终端的控制指令和测试程序；
通过测试板上的SSD主控模块运行测试程序，驱动对应的DRAM芯片进行相应的老化测试以得到测试数据，老化柜根据控制指令进行温度控制；
将测试数据通过通信控制模块上传到控制终端，并根据DRAM分布...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵佳思，刘栋，张卫民，
申请(专利权)人：记忆科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44